|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Сверхбольшие интегральные схемы |
Чашка "Неваляшка". 
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм. 
Ручка "Помада". Содержание1. ВВЕДЕНИЕ . .22. -МОП СБИС ТЕХНОЛОГИЯ .4 2.1Основы технологии производства -МОПСБИС 4 2.2Этапы технологического процесса . . 53. СБИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ (ПЛ.) .74. МИКРОПРОЦЕССОРЫ 12 5. МАТРИЧНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ . . .17 5.1 Матричные микропроцессоры . .17 5.2 Транзисторные матрицы . .17 5.3 Матричные процессоры . .20 5.4 Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц . .216. АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС .26 6.1 Основные типы БМК . . .28 6.2 Реализация логических элементов на БМК . . .30 6.3 Системы автоматизированного проектирования матричных бис, постановка задачи проектирования .31 6.4 Основные этапы проектирования . .33 7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ . .35 8. СПИСОК ИСПЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 37 1. ВВЕДЕНИЕ С момента появления первых полупроводниковых микросхем (начало 60-х годов) микроэлектроника прошла путь от простейших логических элементов до сложных цифровых устройств, изготавливаемых на одном полупроводниковом монокристалле площадью около 1 см2. Для обозначения микросхем со степенью интеграции выше 104 элементов на кристалле в конце 70-х годов появился термин "сверхбольшие интегральные схемы" (СБИС). Уже через несколько лет развитие этих микросхем стало генеральным направлением в микроэлектронике. В начале своего развития электронная промышленность представляла собой отрасль техники, целиком основанную на операциях сборки, и позволяла реализовать весьма сложные функции путем объединения множества элементов в одном изделии. При этом значительная часть прироста стоимости изделий была связана с процессом сборки. Основными этапами этого процесса являлись этапы проектирования, выполнения и проверки соединений между электронными компонентами. Функции и размеры устройств, которые могли быть реализованы на практике, ограничивались количеством используемые компонентов, их физическими размерами и надежностью. Исторически сложилось так, что первоначально внимание к ИС привлекли такие их особенности, как малые размеры и масса, а затем развитие техники ИС, позволяющей скомпоновать на поверхности кристалла значительное количество элементов, включая меж соединения, постепенно привело к возможности создания СБИС. Т.о. стало возможным не только "повышение экономичности" электронных схем, но и улучшение их характеристик с одновременным повышением надежности. Развитие техники и технологии СБИС обусловило весьма существенные вменения в специфике электронной промышленности, заключающееся в совершенствовании процесса изготовления ИС и методов их проектирования. Типичным фактором первой группы является совершенствование микро технологии. Уменьшение размеров полупроводниковых приборов позволяет одновременно добиться как улучшения характеристик ИС, формально определяемых законом пропорциональности размеров, так и улучшения их экономических (материальных и энергетических) показателей, связанных с уменьшением площади кристалла. Исторически первым полупроводниковым материалом, использованным на ранних стадиях разработки полупроводниковых приборов, был германий. Совершенствование германиевой технологии сделало возможным создание ряда приборов, включая германиевые точечные и сплавные транзисторы.
Однако вскоре германий был заменен кремнием, обладающим таким важным свойством, как возможность получения в окислительной среде тонкого, прочного и влагонепроницаемого диэлектрического слоя аморфной двуокиси кремния (SiO2). В 60-х годах наибольшее распространение получили ИС на основе биполярных транзисторов. Начиная с 1975 г. на рынке превалируют цифровые ИС на основе МОП-структур. Преимущества ИС на основе МОП-структур: Миниатюризация. Низкое потребление мощности. Высокий процент выхода. Высокое быстродействие. Высокий уровень технологичности. В технологии СБИС степень интеграции превышает 215 элементов на кристалл. Уровень миниатюризации, который был использован при производстве процессора I el Pe ium в 1993 году, составлял 0,8 мкм, сейчас используются транзисторы с длиной канала 0,18 мкм, а в перспективе - разработка устройств с длиной канала в 0,13 мкм, что в плотную приближается к пределу физических ограничений на работу такого рода транзисторов. Технология создания и получения сверхбольших интегральных схем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области (0,25- 0,5 мкм к 2000 году) и наноэлектроника (полупроводниковые приборы с размерами рабочих областей до 100 нм к 2010 году) включают следующие основных направления: технологию сверхбольших кремниевых схем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области; технологию сверхскоростных гетеропереходных приборов и интегральных схем на основе арсенида галлия, германия на кремнии и других соединений; технологию получения наноразмерных приборов, включая нанолитографию. При реализации этих направлений предусматривается создание сверхчистых монокристаллических полупроводниковых материалов и технологических реагентов, включая газы и жидкости; обеспечение сверх чистых производственных условий (по классу 0,1 и выше) в зонах обработки и транспорта пластин; разработка технологических операций и создание комплекса оборудования на новых физических принципах, в том числе кластерного типа, с автоматизированным контролем процессов, обеспечивающим заданную прецизионность обработки и низкий уровень загрязнения, а также высокую производительность процессов и воспроизводимость результатов, качество и надежность электронных элементов. Технология сверхбольших интегральных схем обеспечивает разработку и промышленное освоение выпуска широкой номенклатуры интегральных схем, составляющих элементную базу высокопроизводительных ЭВМ, специализированной и бытовой радиоэлектронной аппаратуры, средств связи и телекоммуникаций, в том числе космического базирования. При данной технологии возможные минимальные рабочие размеры составляют 0,1-0,5 мкм и менее (до 70 нм к 2010 году), достигаются высокая производительность за счет использования пластин большого диаметра (200 и более мм) и полной автоматизации процессов, значительный процент выхода годных электронных приборов и высокая окупаемость вкладываемых в производство средств. Кремниевая технология является основой создания элементной базы радиоэлектроники, вычислительной техники и средств автоматизации и связи широкого применения.
Технология гетеропереходных интегральных схем благодаря высокому быстродействию этих приборов ориентирована на специализированные сверхскоростные применения, включая космическую технику, элементную базу суперкомпьютеров, технику связи и телекоммуникаций, а также специальную аппаратуру оборонного назначения. Нанотехнология станет промышленной приблизительно начиная с 2010 года, что откроет перспективу создания принципиально нового поколения приборов и интегральных схем на новых физических эффектах и приведет в дальнейшем к коренным преобразованиям во многих областях деятельности, в первую очередь - в науке, образовании, управлении производством, в том числе при создании микро роботов, персональных средств связи, глобальных телекоммуникаций, вычислительных устройств на нейросетевых принципах. 2. -МОП СБИС ТЕХНОЛОГИЯ2.1 Основы технологии производства -МОП СБИСТранзистор на основе структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МОП) является одним из наиболее широко используемых элементов СБИС. Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке - типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать - канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Рассмотрим основные технологические этапы производства -МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами. Принципиальная схема вентиля (инвертора) приведена на рисунке. Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения (нормально закрытых) и одного транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально открытый). Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор третьего транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора. Нормально открытый транзистор служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение (логический нуль) только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т.е. на их затворы подан высокий потенциал - логическая единица. Подложка. В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016см-3. Выбор такой концентрации обусловлен несколькими причинами. С одной стороны уменьшение содержания примеси приводит к снижению чувствительности порогового напряжения к напряжению смещения на подложке и уменьшению емкости p- переходов, приводя к увеличению быстродействия транзистора. С другой стороны возрастает концентрация неосновных носителей, вызывающих рост тока утечки через обратно смещенный p- переход, что может привести к соприкосновению областей пространственного заряда стока и истока транзистора (прокол). Одним из вариантов решения этого противоречия является выращивание слаболегированных эпитаксиальных кремниевых слоев на сильнолегированной подложке, имеющей малую концентрацию неосновных носителей.
Мы продаем компаниям в США («Монсанто электроник матириэлз компани»), Японии и Италии технологию нашего нового метода производства высококачественных кремниевых кристаллов для сверхбольших интегральных схем. Мы и «РКА астроэлектроникс» договорились о том, что «Сони» по своим каналам будет продавать Японии их новейшие спутники связи, а мы получим доступ к их сбытовой сети в Северной Америке для сбыта систем, соединяющих компьютер, телевизор и телекоммуникационные устройства. Когда я думаю о следующем веке, меня поражает. мысль о том, что мы работаем как раз над такими технологиями, которые наиболее перспективны как средства обеспечения выживания человечества. Правда, в нашей компании не производится специальная технология для аэрокосмической промышленности, хотя другие японские компании принимают в ней все более широкое участие; в Японии производятся некоторые детали широкофюзеляжных реактивных самолетов «Боинг», и в сотрудничестве с английскими и другими европейскими компаниями здесь вскоре начнется проектирование и конструирование новых видов двигателей
1. Источники излучения в интегрально-оптических схемах
2. Плёночные и гибридные интегральные схемы
3. Источники излучения в интегрально-оптических схемах
5. Интегральное исчисление. Исторический очерк
9. Гибридные интегральные микросхемы
14. Базовый интегральный модуль неокортекса. Проблема и решение - дополнительный подход
15. Возможна ли интегральная теория права?
16. Теория интегральной индивидуальности (B.C.Мерлин)
Чехол для гладильной доски, 50х140 см. 
Подушка детская Dream Time. 
Набор карандашей чернографитных "1500", 24 штуки, заточенные, металлический пенал. 17. "Философия отчего края" - интегральная парадигма современного образования
18. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
20. Определение интегральной антиоксидантной способности растительного сырья и пищевых продуктов
21. Триггеры в интегральном исполнении
25. Интегральные микросхемы (аналоговые и импульсные), как одна из составляющих частей РЭА
26. Логические элементы интегральных микросхем
27. Проектирование активных фильтров на интегральных операционных усилителях
28. Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003
29. Структура твердотельных интегральных микросхем
30. Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора
31. Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя
Набор дошкольника №2 (в коробке). 
Перчатки Paclan, латексные, 100 штук, размер L. 
Штора для ванной Рыжий кот "Curtain-Venice". 33. Элементы интегрального исчисления в курсе средней школы
34. Психогенетический подход в изучении интегральной индивидуальности
35. Школа интегральной социологии
37. Схема вызова всех служб города Кургана
41. Схема анализа литературно-художественного произведения
42. Реферат по научной монографии А.Н. Троицкого «Александр I и Наполеон» Москва, «Высшая школа»1994 г.
44. Средства отладки электронных схем
45. Понятие алгоритма, его свойства. Описание алгоритмов с помощью блок схем на языке Turbo Pascal
47. Схемы по лекциям по Педагогике и Психологии высшей школы
48. Политология в схемах и таблицах
"English". Электронный звуковой плакат "Английская Азбука", артикул PL-01-EN. 
Рюкзачок "Путешествие". 
Копилка "Лаванда", 16x21 см. 49. Расчет схемы электроснабжения плавильного цеха обогатительной фабрики
50. Схемы управления электродвигателями
51. Расчет тепловой схемы с паровыми котлами
52. Общая схема электроснабжения
53. Расчет тепловой схемы ПТУ К-500-65 (3000 (Часть пояснительной к диплому)
57. Стандарты схем и их разновидности
58. Проектирование схем телефонного сигнализатора
59. Микросхемо-техника: Схема контроля дешифратора на три входа /восемь выходов/
60. Складання логічних схем з метою проектування комбінаційних пристроїв
61. Двухзеркальная антенна по схеме Кассергена
62. Выбор и обоснование тактико-технических характеристик РЛС. Разработка структурной схемы
63. Разработка схемы электронного эквалайзера
64. Несколько рефератов по Исламу
Точилка для кухонных ножей. 
Табурет-подставка. 
Машинка "Бибикар (Bibicar)" с полиуретановыми колесами, зеленая. 65. Технология молока и молочных напитков (схема)
67. Роль схемы в процессе реализации государственного стандарта (философия)
68. Порядок разработки схемы финансирования инвестиционного проекта
69. Создание схемы мотивации и стимулирование персонала на предприятии
73. Реферат по теме “Человек на войне”
74. Обзорный реферат по творчеству Ф.И. Тютчева
75. Схема логистического процесса на складе
76. Гистология (Схема строения животной клетки по данным электронного микроскопа )
77. Реферат - Физиология (Транспорт веществ через биологические мембраны)
78. США и Канада в АТР: набор рефератов
79. Краткая схема бизнес-плана
80. Схемы соединения гальванических элементов. Схема включения реостата. Схема включения потенциометра
Рюкзак молодёжный "Pixie Crew" с силиконовой панелью для картинок (зелёная клетка). Точилка для кухонных ножей. Табурет-подставка. 81. Электрическая схема 3-х комнатной квартиры
82. Схема: «Как не платить налог на доходы в случае выплаты дивидендов?»
83. Исландские компании в схемах налогового планирования позволяют оптимизировать налогообложение
84. Схемы действия и усвоение языка
85. Как написать хороший реферат?
89. Проектирование схемы телефонного сигнализатора
90. Двухзеркальная антенна по схеме Кассергена
91. Описание работы электрической схемы охранного устройства с автодозвоном по телефонной линии
92. Разработка схемы электронного эквалайзера
93. Сущность и основные схемы перестрахования
94. Проектирование главной схемы электрических соединений подстанции
95. Разработка технологической схемы производства стали марки 35Г2
96. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем
Подставка под ванночку "Карапуз" универсальная (с сушилкой). 
Кружка "Кастет", белая, золотая ручка. 
Глобус политический диаметром 210 мм. 97. Схема и краткая характеристика сварки плавлением
98. Реферат по статье Гадамера Неспособность к разговору
100. Транспортная схема Суйфэньхэ-Гродеково-Уссурийск-Хабаровск
