|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Компьютеры, Программирование Компьютеры и периферийные устройства
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления |
Горшок торфяной для цветов. 
Карабин, 6x60 мм. 
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый. Введение Целью данного курсового проекта является расчет параметров структуры транзистора и определение технологических режимов ее изготовления. По заданным параметрам структуры транзистора выбирается технологический маршрут изготовления. Определяются технологические режимы эпитаксиального наращивания, имплантации, длительность и температура диффузии, рассчитываются профили распределения примеси. В курсовом проекте рассматривается задача синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в его производстве. Экономический расчет проекта не проводился. Новизны в работе нет, так как проектирование проводилось по материалам учебной литературы. Реферат Пояснительная записка содержит 17 рисунков, 1 таблицу, приложение. При написании проекта использовался 1 источник. Перечень ключевых слов: транзистор, диффузия, имплантация, легирующая примесь, p- -переход, удельное сопротивление, напряжение лавинного пробоя, профиль распределения, температура, коэффициент диффузии, кремний, технологический режим. Объект разработки: структура кремниевого эпитаксиально-планарного -p- транзистора. Цель работы: расчет параметров структуры транзистора и определение технологических режимов ее изготовления. Метод разработки: аналитический расчет. Полученные результаты: xjСС = 8,49 мкм, hЭС 6 мкм, ЭС = 0,4 Ом см, xjРД = 7,062 мкм, xjКБ = 3 мкм, xjЭБ = 2,3 мкм, cc = 3 мкм. Степень внедрения: не внедрено. Рекомендации по внедрению: нет. Эффективность: не рассчитывалась. Основные конструктивные и технико-эксплутационные характеристики: VКБ = 120 В, Wа = 0,8 мкм, материал подложки – ЭКДБ-10, ЭС = 0,4 Ом см. Область применения: расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов. СодержаниеВведение Определение режимов имплантации и термической диффузии Имплантированных ионов сурьмы для создания в подложке скрытого слоя Определение удельного сопротивления эпитаксиального слоя Определение толщины эпитаксиального слоя Определение режимов эпитаксии Определение режимов разделительной диффузии Определение режимов базовой диффузии Определение режимов эмиттерной диффузии Проверка величины размывания скрытого слоя в процессе последующих диффузий 10. Последовательность процессов при производстве ИМС Заключение Список использованных источников 1. Определение режимов имплантации и термической диффузии имплантированных ионов сурьмы для создания в подложке скрытого слоя Определяем параметры скрытого слоя (СС). Поскольку параметры СС в задании на курсовой проект не указаны, то мы воспользуемся стандартными технологическими режимами, используемыми в изготовлении ИМС. Скрытый слой формируется путем имплантации ионов сурьмы с последующей термической диффузией имплантированных ионов. Стандартный режим имплантации следующий: Ф = 500 мкКл/см2 – доза облучения; Е = 50 кэВ – энергия имплантированных ионов. Термическая диффузия имплантированных ионов сурьмы Sb проводится по режимам: ТСС = 1220 0С; СС = 12 ч. Распределение атомов сурьмы после диффузии определяется следующим выражением: , (1.1) где Q – количество ионов примеси на единицу поверхности, см-2; x – глубина, соответствующая данной концентрации, см; D – коэффициент диффузии примеси, см2/c; – длительность диффузии, с.
Выразим дозу в количестве частиц, внедренных на единицу поверхности: Q = 6,25 1012 Ф. (1.2) В нашем случае Q = 6,25 1012 500 = 3,125 1015 см-2. С помощью рис. 9.5, а определим коэффициент диффузии сурьмы в кремнии при температуре ТСС = 1220 0С. Заданной температуре соответствует коэффициент D = 4,5 10-13 см2/c. Глубина залегания p- -перехода CC–подложка описывается выражением: , (1.3) где 0 – величина концентрации примеси на поверхности легированного слоя, т.е. при x = 0; П – концентрация примеси в исходной подложке. Концентрация примеси 0 определяется на основе соотношения: (1.4) В нашем случае см-3. В стандартной конструкции микросхем используются кремниевые подложки с удельным сопротивлением = 10 Ом см. По графику зависимости концентрации примеси от удельного сопротивления рис. 6.4 находим, что удельному сопротивлению = 10 Ом см соответствует концентрация примеси: П = 1,2 1015 см-3. С учетом полученных результатов глубину залегания p- -перехода определяем по формуле (1.3): 8,49 10-4 см = 8,49 мкм. 2. Определение удельного сопротивления эпитаксиального слоя Величина удельного сопротивления эпитаксиального слоя (ЭС) определяется с учетом заданного значения пробивного напряжения VКБ. Известно , что величина пробивного напряжения плоского резкого p- -перехода определяется следующим соотношением: , (2.1) где ЭС – концентрация примеси в ЭС, в котором формируется p- -переход коллектор–база. Для планарного p- -перехода справедливо следующее выражение : , (2.2) где Uпр.плоск. – пробивное напряжение плоского p- -перехода; = 1 для цилиндрического и = 2 для сферического p- -перехода. , (2.3) где r – радиус кривизны p- -перехода, равный глубине залегания этого p- -перехода; W0 – ширина области объемного заряда (ООЗ) резкого p- -перехода при напряжении пробоя плоского p- -перехода: . (2.4) Проведем расчет для случая сферического p- -перехода, т.е. = 2. Зададим значение глубины залегания p- -перехода xjК-Б = 3 мкм, тогда r = xjК-Б =3 мкм. Зададим приблизительное значение ЭС. Для этого воспользуемся графиком зависимости напряжения лавинного пробоя p- -перехода с различной геометрией переходов рис. 9.3 : ЭС(15 В) = 5 1016 см-3. Используя полученное из графика значение ЭС, рассчитаем пробивное напряжение плоского p- -перехода. Согласно формуле (2.1): = 17,944 В. Определяем величину W0 в соответствии с (2.4): = 6,826 10-5 см = 0,6826 мкм. Находим . По формуле (2.2) определяем точное значение пробивного напряжения p- -перехода коллектор–база при ЭС = 5 1016 см-3: Uпр.план. = 17,944 {1/3-4,395} = 14,937 В. Сравниваем полученное нами точное значение пробивного напряжения (14,937 В), с заданным в задании на курсовой проект значением пробивного напряжением коллектор–база (15 В). Отмечаем, что разница не превышает 10%. Поэтому оставляем выбранное нами значение концентрации эпитаксиального слоя ЭС = 5 1016 см-3. С помощью рис. 6.4 найдем удельное сопротивление ЭС ЭС = 0,4 Ом см. 3. Определение толщины эпитаксиального слоя Толщина ЭС определяется исходя из соотношения: hЭСmi = xjК-Б W0 сс, (3.1
) где xjК-Б – глубина залегания p- -перехода коллектор–база; W0 – ширина ООЗ p- -перехода при рабочем напряжении (напряжении пробоя); сс – величина расплывания СС в ЭС, отсчитываемая от границы раздела подложка–ЭС. Зададим глубину залегания xjК-Б = 3 мкм и величину расплывания сс = 3 мкм. Определим ширину ООЗ p- -перехода по формуле (2.4) 6,241 10-5 см = 0,624 мкм. Согласно (3.1) толщина ЭС hЭС будет равна: 4. Определение режимов эпитаксии Температура эпитаксии обычно равна 11501200 0С. Зададим температуру эпитаксии ТЭ=1150 0С. Скорость наращивания ЭС соответствует диапазону vЭН = 0,10,3 мкм/мин. Выбираем vЭН = 0,2 мкм/мин. Следовательно, длительность эпитаксиального наращивания: 5. Определение режимов разделительной диффузии Разделительные дорожки (РД) формируются путем диффузии бора В с поверхности ЭС вглубь до смыкания с подложкой. При этом глубина залегания РД должна быть меньше ЭС на 1 мкм, т.е. xjРD = hЭС 1 мкм. (5.1) В нашем случае, согласно выражению (5.1) xjРD = 7,062 мкм. Глубина разделительной диффузии описывается следующим выражением: , (5.2) где D2 2 – параметры второй стадии разделительной диффузии; 0 – концентрация на поверхности диффузионного разделительного слоя; П = ЭС – концентрация примеси в ЭС. В формуле (5.2) должно выполняться соотношение: 0103 П. (5.3) Положим, что 0 = 103 П = 103 ЭС = 5 1019 см-3. Из выражения (5.2) определяем D2 2: . Задаем температуру второй стадии диффузии: Т2=1220 0С. Определим D2. Пользуясь рис. 9.5, а находим, что для Т2 = 1220 0С коэффициент диффузии бора D2(1220) = 3,5 10-12 см2/c. Рассчитываем значение 2: Определяем параметры первой стадии разделительной диффузии. Распределение примеси после второй стадии диффузии описывает выражение: , (5.4) где Q – количество примеси, введенное в полупроводник на первой стадии диффузии. Оно определяется через параметры первой стадии диффузии выражением: , (5.5) где 01 – величина предельной растворимости. Определяется по графику (рис.9.5, а) . Подставим выражение (5.5) в (5.4), и выразим 0: , (5.6) где 0, согласно (5.3), принимаем равным 0 = 103 ЭС = 5 1019 см-3. Из (5.6) выражаем D1 1: . (5.7) Зададим температуру первой стадии диффузии: Т1=1150 0С. По графику зависимости рис. 9.5, а находим: D1(1150 0C) = 7 10-13 см2/c. С помощью рис. 5.2 находим предельную растворимость бора в кремнии 01( 1) = 01(1150 0C) = 5,4 1020 см-3. Определяем 1 из выражения (5.7): В результате получаем следующее распределение примеси в разделительных дорожках: . 6. Определение режимов базовой диффузии Формирование базовой области проведем методом имплантации ионов бора В с последующей термической диффузией имплантированных ионов. Выбираем дозу имплантированных ионов бора Ф = 10 мкКл/см2 и энергию имплантированных ионов ЕИ = 20 кэВ. Профиль распределения примеси после термической диффузии имплантированных ионов описывается следующим выражением: , (6.1) глубина залегания p- -перехода коллектор-база: , (6.2) где . Согласно соотношению (5.3) положим, что 0Б = 5 1019 см-3. Температуру базовой диффузии выбираем равной 1150 0С.
Такой субъективный взгляд на историю, при котором мощный зародыш будущего представляется всего лишь всеразрушающим апокалипсисом настоящего, Сен-Жюст изложил в следующем оригинальном изречении: "Республика создается путем полного разрушения всего, что ей противостоит". Думаю, что эти слова нельзя понимать банально: "прежде чем строить, надо как следует расчистить место". Связка имеет здесь всеобъемлющий смысл; для некоторых людей субъективно может наступить такая ночь истории, когда [128] будущее становится единственной сущностью, и эта сущность требует тотального разрушения прошлого. Еще один, последний, тип выключения угрожает мифологу: он постоянно рискует уничтожить реальность, которую сам же намеревался защитить. Самолет ДС-19 без всякого сомнения есть объект с определенными технологическими параметрами: он может развивать такую-то скорость, у него такие-то аэродинамические характеристики и т. д. И вот о подобной реальности мифолог говорить не может. Механик, инженер, даже пассажир непосредственно говорят о предмете, мифолог же обречен на использование метаязыка
1. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем
2. Выбор материала и расчет параметров обделок вертикальных столов метрополитенов
3. Шахта "Интинская". Расчеты параметров устойчивости пород и крепления выработки
4. Расчет параметров ступенчатого p-n перехода
5. Расчет параметров асинхронного энергосберегающего электродвигателя
9. Расчет параметров постоянно-поточной линии
10. Расчет параметров технологической операции и конструирование инструмента
11. Расчеты параметров БВР при проведении горизонтальной подземной выработки
12. Расчет параметров режимов и оборудования электрических сетей и мероприятий энергосбережения
13. Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов
15. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Бумага для офисной техники "IQ Selection", А4, 120 г/м2, 500 листов. 
Бейджи, 90х57 мм горизонтальные, с клипсой и булавкой, 50 штук. 
Фоторамка "Poster white". 18. Расчет и анализ аналитических коэффициентов финансовой деятельности предприятия
19. Расчет коэффициентов активности. Личный опыт
20. Расчет униполярного транзистора
21. Расчет усилителя на транзисторе
25. Коэффициенты расчета текучести кадров
28. Расчет и проектирование диода на основе кремния
29. Расчет первичных и вторичных параметров кабелей связи
30. Расчет усилителей на биполярных транзисторах
31. Расчет устройства для измерения параметров реле
32. Основные принципы оценки структуры и величины коэффициента технологичности конструкции оборудования
Полотенце вафельное "Дельфинарий", банное, пляжное, 100х150 см. 
Крафт-бумага оберточная, в рулоне, 1,02х30 метров. 
Набор продуктов. 33. Вплив водню на структуру та властивості на основі кремнію
34. Расчет оптимального теплообменника по параметрам эффективности теплопередачи
35. Расчет основных параметров переменно-поточной линии для участка крупносерийного производства
36. Дрейфовые транзисторы их параметры, преимущества и недостатки
37. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом
41. Структура организации материи
42. Анализ устойчивости и поддержание орбитальной структуры космической системы связи
43. Структура и состояние водоснабжения и водосброса, подземных вод и артезианских скважин города Киева
44. Обзор методов и способов измерения физико-механических параметров рыбы
46. Статистика населения. Методы анализа динамики и численности и структуры населения
47. Минеральный состав, текстуры и структуры руд.
48. Аппарат государственной власти и его структура
Табурет "Плетенка" складной (малый). 
Кукла Нэни, в розовом жакете. 
Деревянные часы своими руками "Котенок". 50. Сравнение договоров подряда и купли - продажи, форма расчета-инкассо, типы ведения бизнеса
51. Формы денежных расчетов в коммерческой деятельности
52. Социально-экономическая структура Верхнеудинска в феодальный период (середина XVII в.- 1862 год)
53. Структура органов власти в США по конституции 1787 года
57. Структура налоговых органов РФ права, обязанности и функции
58. Структура налоговых органов Российской Федерации
60. Понятие, структура и методики построения страховых тарифов
62. Структура и функции государственного аппарата
63. Структуры экономического дискурса во французском языке. Роль коннекторов в построении аргументации
64. Культура, её структура и функции
Горшок дорожный и насадка на унитаз "HandyPotty", голубой. 
Шкатулка музыкальная "Сердце", 16x15x7 см, арт. 24806. 
Багетная рама "Stella" (золотой), 30х40 см. 65. Структура и организация учебного процесса в средневековом университете (Болонья, Париж, Прага)
66. Проблематика и структура пьесы Б. Шоу "Пигмалион"
67. Бальзак: структура и основные идеи "Человеческой комедии"
68. Сравнительное описание слоговых структур английского и каракалпакского языков
69. Основные компоненты систем управления документооборотом. Фрейм: его структура и понятие
73. Типовые расчеты надежности систем на персональном компьютере
74. Анализ структур, характеристик и архитектур 32-разрядных микропроцессоров
75. Структура и реализация макроязыков
76. Автоматизация расчета начислений заработной платы в строительном управлении N 151
77. Программа сложной структуры с использованием меню
78. Семантический анализ структуры EXE файла и дисассемблер (с примерами и исходниками), вирусология
79. Моделирование структуры книги
Ручка перьевая "Golden Prestige", синяя, 0,8 мм, корпус хром/золото. 
Поильник-непроливайка "Малыши и малышки", со сменным носиком (с 4 месяцев), 150 мл. 
Чехол стеганый сменный "Нордтекс" (для подушки 50х70 см), на молнии. 81. Обзор ситуации с внедрением автоматизированных банковских систем в финансовых структурах России
82. "Семейный бюджет" (расчет с помощью программы Microsoft Excel 97)
83. Расчет дифференциального уравнения первого, второго и третьего порядка методом Эйлера
84. Управление структурой преподавательского состава в университете
85. Структура аффинного пространства над телом
89. Системы цифрового видеонаблюдения при организации охранных структур на особо охраняемых объектах
90. Структура и управление МВД КР (Киргизской Республики)
91. Расчет освещения рабочего места оператора ЭВМ
92. Влияние экологических и медико-биологических требований на структуру исследований и разработок
93. Выбор и расчет средств по пылегазоочистке воздуха
94. Расчет производственного освещения
Френч-пресс, 600 мл. 
Корзина "Плетенка" с крышкой, 35х29х22,5 сантиметров, бежевая. 
Чайник "Birds", 1050 мл. 98. Политика (как социальное явление, ее структура)
99. Расчет ректификационной колонны
