Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте www.za4et.net.ru

Компьютеры, Программирование Компьютеры, Программирование     Компьютеры и периферийные устройства Компьютеры и периферийные устройства

Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора

Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО п-р-п-ТРАНЗИСТОРА МИНСК, 2009 Физико-топологическая модель — модель расчета электрических параметров, исходными параметрами которой являются электрофизические характеристики полупроводниковой структуры и топологические размеры транзистора (см. рис.1). Электрофизические характеристики: концентрация собственных носителей заряда, ширина запрещенной зоны и диэлектрическая проницаемость полупроводника, времена жизни, тепловые скорости, концентрации и сечения ловушек захвата, подвижности, коэффициенты диффузии и концентрации примесных электронов и дырок. Многие из этих параметров зависят от профиля легирования (распределения концентрации легирующих примесей вглубь) транзисторной структуры. Топологические размеры: длина эмиттера Lэ; ширина эмиттера Zэ; расстояния от базового контакта до края базы dбб. Параметры профиля легирования (см. рис. 1,в): концентрация донорной примеси в эпитаксиальном коллекторном слое дк, глубины залегания р-п-переходов коллектор-база хк и эмиттер-база хэ, концентрации акцепторной примеси на поверхности базы a и донорной примеси на поверхности эмиттера д , толщина эпитаксиальной пленки WЭП. Распределение концентрации акцепторной примеси при формировании базы путем двухстадийной диффузии находится из выражения (1) где 1a и 2a — время &quo ;загонки&quo ; и &quo ;разгонки&quo ; акцепторной примеси; D1a и D2a — коэффициенты диффузии акцепторной примеси при &quo ;загонке&quo ; и &quo ;разгонке&quo ;. Рис. 1. Разрез структуры и топология БТ: а - структура БТ; б - эскиз топологии БТ;в - параметры профиля легирования БТ Распределение концентрации донорной примеси при формировании эмиттера путем одностадийной диффузии рассчитывается по формуле (2) где Dд и д — коэффициент и время диффузии донорной примеси. Коэффициент диффузии определяется выражением D = Doexp(∆E/K ),(3) где Do — постоянная коэффициента диффузии примеси; ∆E — энергия активации примеси; К — постоянная Больцмана; Т — абсолютная температура диффузии примеси. Согласно (1) и (2) для расчета концентрации на любой глубине х транзисторной структуры необходимо знать значения времени диффузии 2a и д ( 1a задается), которые определяются при решении уравнений a ( xк, ) = дк, (4) д ( xэ, ) = .( xэ, 2а ). (5) Уравнения (4) и (5) являются условиями образования p- -перехода. При решении этих уравнений относительно 2a и д величины aп, д , дк, хэ, хк являются исходными параметрами модели и задаются разработчиком. Интегральные БТ работают при малых токах коллектора Iк (1. 1000 мкА). При таких токах коллектора статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером может быть рассчитан по формуле (6) где Iби — составляющая тока базы, обусловленная инжекцией дырок из базы в эмиттер; Iбп и Iб р-п — составляющие тока базы, обусловленные рекомбинацией на поверхности пассивной базы и в области пространственного заряда (ОПЗ) р-п-перехода база-эмиттер. Для БТ, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ), соблюдается следующее соотношение между токами эмиттера Iэ, коллектора Iк и базы Iб: (7) Для типичных значений Вст &g ; 20 можно с погрешностью менее пяти процентов записать Iз  = Iк.

Ток Iэ обусловлен движением электронов, инжектированных из эмиттера в базу от эмиттерного к коллекторному p- -переходу. Движение электронов по базе обусловлено двумя механизмами: диффузией и дрейфом. Диффузия электронов происходит из-за возникновения градиента электронов в результате увеличения их концентрации у эмиттерного края базы вследствие инжекции. Дрейф (движение под действием электрического поля) электронов по базе обусловлен наличием в ней ускоряющего поля, образующегося в неравномерно легированной (диффузионной базе) в результате диффузии дырок от эмиттерного к коллекторному краю базы. Возникает это поле в части базы, расположенной под эмиттером. На основании изложенного ток эмиттера может быть рассчитан по формуле , (8) где q — заряд электрона; μп(х) — подвижность электронов в базе; Е(х) — напряженность поля в базе; п(х) — концентрация электронов в базе; D (x) — коэффициент диффузии электронов в базе; d (x)/dx — градиент электронов в базе. Концентрация инжектированных электронов описывается выражением (9) где про(х) — равновесная концентрация (при Uэб = 0) электронов в точке (см. рис. 1,в), которая определяется соотношением (10) где i, - концентрация собственных носителей зарядов в кремнии. Согласно (9) и (10) при уменьшении концентрации a(xэ&quo ;)- д(xэ&quo ;) увеличивается концентрация инжектированных электронов в базу. Из чего следует, что инжекция электронов в данной части эмиттера будет больше, чем в базовой. Кроме того, в базе под эмиттером имеет место ускоряющее попе. Следовательно, наибольший ток эмиттера протекает через дно эмиттерной области и часть базы, расположенной под ней. Поэтому базу под эмиттером называют &quo ;активной&quo ;, а окружающую эмиттер - &quo ;пассивной&quo ;. Подвижность μп(х) и коэффициент диффузии D (x) растут с уменьшением концентрации легирующей примеси в базе (благодаря уменьшению столкновений с ионами легирующей примеси). Напряженность поля Е(х) равна (11) где φТ = k∙ /q — температурный потенциал, W'б = х'к- хэ&quo ; — толщина квазинейтральной базы (см. рис.1,в). Из выражения (11) следует, что Е(х) увеличивается при уменьшении концентрации к и координаты х'к. Границы областей пространственного заряда (ОПЗ) р-п-переходов, определяющие толщину квазинейтральной базы, рассчитываются следующим образом. Переход база-эмиттер можно считать плавным и ширина его ОПЗ равна (12) где α(xэ)=d (xэ)/dx — градиент распределения концентрации легирующих примесей в ОПЗ, снижающийся при их уменьшении; &epsilo ;&epsilo ;о — диэлектрическая проницаемость кремния; фкз — потенциальный барьер p- -перехода база-эмиттер. Потенциальный барьер p- -перехода база-эмиттер рассчитывается по формуле (13) Ширина ОПЗ p- -перехода коллектор-база (14) где — характеристическая длина в распределении акцепторов в базе; фкк и Uкб — потенциальный барьер и напряжение на р-п-переходе коллектор-база. Потенциальный барьер p- -перехода коллектор-база находится из выражения (15) Из соотношений (12).(15) следует, что ширина p- -переходов база-эмиттер и коллектор-база увеличивается при уменьшении концентрации легирующих примесей в них, в частности при уменьшении a(xэ) и дк.

Напряжение Uкб при включении БТ по схеме с ОЭ определяется из соотношения (16) где Uкэ — напряжение питания коллектора в схеме с ОЭ; Rк — сопротивление области коллектора, по которой течет ток Iк.Граница ОПЗ p- -перехода коллектор-база в базе х'к равна (17) Сопротивление области коллектора в соответствии с рис. 1,а определяется выражением (при этом сопротивление скрытой коллекторной области -типа и подконтактной области -типа не учитываются) (18) Градиент d /dx можно найти из соотношения (19) или в соответствии с выражениями (9) и (10): (20) С учетом (10), (11) и (20) выражение (8) можно преобразовать к следующему виду: (21) где   начальное (при Uбэ = 0) значение тока эмиттера. Инжекционная составляющая тока базы Iби согласно (1) определяется выражением (22) где — начальное значение тока; — равновесная концентрация дырок в эмиттере; — напряженность тормозящего поля в эмиттере, образующегося в результате диффузии электронов от поверхности к р-п-переходу эмиттер-база; — время жизни инжектированных дырок в эмиттере. Рекомбинационная составляющая тока базы Iбп согласно (1) описывается выражением (23) где — начальное значение тока; q — концентрация ловушек захвата электронов и дырок; S , Sp — сечения ловушек захвата электронов и дырок; V , V p — тепловые скорости электронов и дырок; Dп пов — коэффициент диффузии электронов на поверхности пассивной базы; & au;п пов — время жизни электронов на поверхности пассивной базы; Рэ — периметр эмиттера. Параметры , S , Sp, V , V p не зависят от топологических размеров и профиля легирования. Коэффициент Dп пов и время & au;п пов слабо зависят от концентрации акцепторов на поверхности. Кроме того, следует заметить, что ток Iбр в отличие от других составляющих тока базы пропорционален не площади, а периметру эмиттера. Последнее обстоятельство необходимо учитывать при анализе зависимости коэффициента передачи тока от топологических размеров эмиттера. Рекомбинационная составляющая тока базы Iбр-п согласно (1) находится из выражения (24) где — времена жизни электронов и дырок в ОПЗ р-п-перехода эмиттер-база. Времена & au;по и & au;ро уменьшаются с ростом концентрации легирующих примесей в ОПЗ. На рис.2 приведены графики зависимостей всех рассмотренных токов от напряжения Uбэ, построенные для типичных значений электрофизических параметров (1), определяющих значения этих токов. Рис. 2. Графики зависимостей: а   токов Iк, Iби, 1б , 1бp- , от напряжения Uбэ; б   коэффициента передачи тока от коллектораСледует отметить, что рекомбинационные токи слабее зависят от напряжения база-эмиттер, что учитывается коэффициентом два в знаменателе экспоненциальных множителей выражений (23) и (24). С учетом (6) и графиков, приведенных на рис.2,а, можно построить график зависимости Вст(Iк), представленный на рис.2,б. Сильная зависимость коэффициента передачи тока от тока коллектора имеет место в диапазоне рабочих токов коллектора БТ. Поэтому при проведении исследований зависимости коэффициента Вст(Iк) от конструктивно-технологических параметров необходимо поддерживать ток Iк постоянным, что обеспечивается соответствующим изменением напряжения прямого смещения на p- -переходе база эмиттер Uбэ.

Если некоторые предложения нельзя верифицировать, то они не являются научными и должны быть изъяты из научной теории. Однако последовательное проведение данного принципа ставит под сомнение научный статус не только таких дисциплин, как, например, история или психология, но и естественных наук, которые часто базируются на утверждениях, которые не проверяются (например, понятие эфира в ньютоновской физике). Предложенная модель оказывается очень узкой, так как заставляет отказаться от общих предложений науки, то есть от ее законов, достоверность которых нельзя обосновать с помощью верификации. Поэтому полное ее проведение потенциально возможно лишь в искусственном языке, тогда как реальный научный язык, являющийся расширением естественного языка за счет внедрения в него соответствующей научной терминологии и широко использующий универсальные предложения, не позволяет провести верификацию научных законов. Немецко-американский логик и философ Р. Карман (1891 - 1970) исследовал, прежде всего, языковые структуры науки

1. Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

2. Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

3. Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах

4. Проектирование оптимальной структуры строительных машин при перевозке нерудных строительных материалов

5. Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

6. Интегральная модель исторической динамики: структура и ключевые понятия
7. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
8. Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах

9. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах

10. Проектирование и корректировка организационной структуры предприятия

11. Разработка структуры автоматизированного рабочего места для ландшафтного проектирования

12. Биполярные транзисторы

13. Интегральные схемы с перестраиваемой структурой. Особенности экспериментального и математического моделирования

14. Ключевые элементы на биполярних транзисторах

15. Проектирование активных фильтров на интегральных операционных усилителях

16. Проектирование индуктивной трёхточки на транзисторе с индуктированным n-каналом

Рюкзак школьный "Ever After High. Dragon Game".
Рюкзак школьный - легкий и яркий рюкзак для ученицы начальной школы. Прочная каркасная конструкция хорошо сохраняет форму, устойчиво стоит
2451 руб
Раздел: Без наполнения
Пакеты фасовочные "Paclan", 26x35 см, 1000 штук.
Производятся из пищевого полиэтилена и безвредны для человека. Сохраняют свежесть продуктов. Пакеты выпускаются разного размера, что
305 руб
Раздел: Пакеты для продуктов
Декоративная наклейка-ростомер "Ракета", арт. EZG-1001.
Размер: 40x75 см.
366 руб
Раздел: Ростомеры

17. Работа биполярных транзисторов в микрорежиме

18. Расчет усилителей на биполярных транзисторах

19. Структура твердотельных интегральных микросхем

20. Усилители на биполярных транзисторах

21. Нелинейные и линейные модели биполярного транзистора

22. Анализ и проектирование структуры системы управления фирмой (на примере ООО МСК "АСКО-ВАЗ")
23. Проектирование организационных структур государственного управления
24. Исследование биполярного транзистора

25. Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного транзистора

26. Задание на проектирование. Проектирование промышленных предприятий

27. Проектирование мотоустановки среднемагистрального пассажирского самолета

28. Структура организации материи

29. Анализ устойчивости и поддержание орбитальной структуры космической системы связи

30. Структура и состояние водоснабжения и водосброса, подземных вод и артезианских скважин города Киева

31. Роль и значение машиностроительного комплекса в структуре народного хозяйства России

32. Структура транспорта в Европе

Магнитная мозаика "Техника".
Количество элементов различной формы - 235 штук. Дополнительных элементов - 15 штук. Количество цветов - 5. Игровое поле - 1. Средний
494 руб
Раздел: Магнитная
Магнитная мозаика "Веселый городок".
Магнитная мозаика "Веселый городок", из которой можно собрать не только городок, но и множество других картинок. В набор входят:
519 руб
Раздел: Магнитная
Держатель для сумки "Jardin D'Ete" со стразами "Стихия колец".
Держатель для сумки стал неотъемлемой частью домашнего и офисного интерьера. И теперь выбор подарка для бизнес-леди не составит особого
944 руб
Раздел: Прочее

33. Оценка инженерно-геологических и гидрогеологических условий района строительства /Пояснительная записка к геологическому разрезу 2 по карте №5/

34. Аппарат государственной власти и его структура

35. Нормы права. Структура норм права

36. Структура государственных органов США по Конституции 1787 года

37. Двухпалатная структура Федерального Собрания

38. Отчет по учебно-ознакомительной практике (c правовыми основами местного самоуправления, формированием представительных и исполнительных органов власти, структурой и функциями органов местного самоуправления)
39. Понятие и структура компетенции местного самоуправления
40. Структура налоговых органов РФ права, обязанности и функции

41. Структура налоговых органов Российской Федерации

42. Цели, задачи и структура Федерального закона № 122-ФЗ

43. Структура нормы права

44. Структура правоотношения. Классификация правоотношений: критерии и виды

45. Структуры экономического дискурса во французском языке. Роль коннекторов в построении аргументации

46. Культура, её структура и функции

47. Основы социокультурного проектирования

48. Структура и организация учебного процесса в средневековом университете (Болонья, Париж, Прага)

Подгузники "Солнце и Луна. Нежное прикосновение", размер: 5/XL (11-25 кг), 48 штук.
Подгузники "Солнце и Луна. Нежное прикосновение" сделаны по японской технологии в сотрудничестве с японской корпорацией WATASHI
801 руб
Раздел: Более 11 кг
Увлекательная настольная игра "Зверобуквы", новая версия.
В игровом наборе маленькие карточки-буквы и большие карты-звери. Иллюстраторы поработали здесь на славу! У каждой буквы свой яркий и
632 руб
Раздел: Карточные игры
Игра магнитная "Модная девчонка".
Любая девочка, независимо от возраста, обожает заниматься украшательством, придумывать и экспериментировать. Магнитная игра "Модная
318 руб
Раздел: Бумажные куклы

49. Проблематика и структура пьесы Б. Шоу "Пигмалион"

50. Бальзак: структура и основные идеи "Человеческой комедии"

51. Сравнительное описание слоговых структур английского и каракалпакского языков

52. Проектирование ЛВС в многоэтажном здании

53. Проектирование локально-вычислительной сети

54. Интернет: административное устройство и структура глобальной сети
55. Экспертная система по проектированию локальной сети ("NET Совет")
56. Проектирование локальной вычислительной сети

57. Проектирование локальной вычислительной сети для агетства по трудоустройству

58. Разновидности сетевых топологий

59. Микропроцессор Z80 его структура и система команд

60. Выбор логической структуры процессора

61. Система автоматизированного проектирования

62. Формирование структуры электронного учебника и решение задач на ней

63. Проектирование и разработка баз и банков данных

64. Проектирование устройства сбора данных

Датчик обнаружения угарного газа.
Ежегодно сотни людей по всему миру погибают от отравления угарным газом. Именно поэтому в каждом доме, где используется любая
783 руб
Раздел: Детекторы, датчики движения
Таблетки для посудомоечных машин "Paclan Brileo. Classic", 80 штук.
Таблетки обладают отличным моющим действием за счет входящих в состав "умных" энзимов (амилазы и протеазы). Отлично моют посуду,
592 руб
Раздел: Для посудомоечных машин
Тачка "Садовод".
Играя с тачкой «Садовод» ваш малыш сможет почувствовать себя более самостоятельным и взрослым, помогая своим родителям на даче или в
945 руб
Раздел: Садовый инвентарь

65. Программа сложной структуры с использованием меню

66. Проектирование и создание современного web-сайта

67. Структуры данных: бинарное упорядоченное несбалансированное дерево

68. Моделирование структуры книги

69. Проектирование автоматизированных информационных систем

70. Система автоматизированного проектирования P-CAD
71. Обзор ситуации с внедрением автоматизированных банковских систем в финансовых структурах России
72. Вопросы к дисциплине: Стандартизация и проектирование программных средств (СППС)

73. Структура сходящихся последовательностей

74. Управление структурой преподавательского состава в университете

75. Топология как отражение культуры и жизнедеятельности

76. Структура отитов у детей по данным ЛОР-отделения ПЦ НЦМ-РБ

77. Системы цифрового видеонаблюдения при организации охранных структур на особо охраняемых объектах

78. Структура и управление МВД КР (Киргизской Республики)

79. Источники излучения в интегрально-оптических схемах

80. Перспективы экологической оптимизации структуры агроэкосистем на примере колхозов Баймакского района РБ

Набор капиллярных ручек "Fine Writer 045", 20 цветов, 0,8 мм, пластиковая банка.
Цвет чернил - ассорти. Набор - да. Количество в наборе - 20. Форма корпуса - шестигранная. Толщина линии - 0,45 мм. Диаметр пишущего узла
317 руб
Раздел: Капиллярные
Машинка закаточная винтовая "Мещёра-2".
Машинка идеальна для домашнего консервирования, она проста в использовании и надежна в работе. Конструкция машинки обеспечивает ее
337 руб
Раздел: Консервирование
Аэрозоль Gardex "Extreme" от клещей, 150 мл.
Аэрозоль является эффективным средством, парализующим клещей после соприкосновения с одеждой. Действие активного вещества сохраняется до
305 руб
Раздел: Аэрозоль, спрей

81. Биосфера и её структура

82. Проектирование школьного сайта

83. Особенности взаимоотношений в различных по структуре семьях и их социально-педагогическое влияние на развитие ребенка

84. Проектирование фундамента 4-хэтажного администратиного здания маслоперерабатывающего завода в пос. Ахтырский Абинского района

85. Политика (как социальное явление, ее структура)

86. Проектирование аспирационной системы деревообрабатывающего цеха
87. Проектирование и подбор состава гидротехнического бетона расчётно-экспериментальным методом
88. Проектирование манипулятора

89. Проектирование многокамерной барабанной мельницы

90. Расчет зубчатых и червячных передач в курсовом проектировании

91. Проектирование лесосушильной камеры

92. Расчет и проектирование одноступенчатого, цилиндрического, шевронного редуктора общего назначения

93. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем

94. Проектирование привода к специальной установке

95. Проектирование цеха ремонта поршневых компрессоров

96. Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу

"Счеты" - деревянная игрушка.
Эти забавные и яркие счеты изготовлены из экологически чистого материала древесины. Игра с ними прекрасно развивает мелкую моторику и
342 руб
Раздел: Счетные наборы, веера
Мантоварка алюминиевая, 3 сетки, 6 л.
Мантоварка, алюминиевая, 3-х уровневая. Размеры: длина - 28 см, ширина - 29 см. Мантоварка имеет 3 съемные сетки. Пригодна для
1019 руб
Раздел: Скороварки, пароварки, мантоварки
Набор цветных карандашей "Noris Club", 36 цветов.
Детские цветные карандаши в картонной коробке. Серия «Noris Club» предназначена для использования детьми. Специальное защитное белое
566 руб
Раздел: Более 24 цветов

97. Проектирование фасонного резца

98. Проектирование технологии процесса мехобработки корпуса (WinWord, AutoCAD 14)

99. Кинематический и силовой расчёт механизма. Определение осевого момента инерции маховика. Проектирование профиля кулачкового механизма. Проектирование зубчатого зацепления. Проектирование планетарного механизма


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.