![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Эффект Ганна |
смотреть на рефераты похожие на "Эффект Ганна "МIНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ Радіофізичний факультет Кафедра радіоелектроніки К У Р С О В А Р О Б О Т А з курсу: “Основи фізики твердого тіла” на тему: “Ефект Ганна” Виконав: студент гр. РЕ-01-1 О. Л. Бузмаков “ ” 2004 p. Перевірив: ст.викладач Б.О. Полежаєв “ ” 2004 p. Дніпропетровськ 2004 Зміст стр. 1. Реферат . 3 2. Вступ . . 4 3. Ефект Ганна . . . 5 4. Діод Ганна, генератори Ганна . . 14 5. Висновок . . 20 6. Список використаної літератури .21 1. Реферат Дана робота містить 21 сторінку та складається з 6 розділів: вступу, рефератної частини, теоретичної сторони ефекту Ганна, практичної сторони – діодів та генераторів Ганна, висновку та списку використаної літератури. Також має 14 ілюстрацій (10 рисунків: 4 ескпериментальних графіки, 3 зображення реальних діодів, 7 схематичних зображення) і 10 розрахункових формул. Діоди Ганна, генератори Ганна, – подібна ВАХ, негативний опір, арсенид галію, фосфит індію, домен, Дж. Ганн, зонна енергетична структура з двома мінімумами, пікова характеристика I=I( ). 2. Вступ У даній роботі розглядаються процеси, що проходять у однорідних напівпровідниках електронного типу провідності при сильних електричних полях. Цей ефект спостерігається в арсеніді галія, фосфиту індію та інших напівпровідниках, де існує два мінімума в енергетичній структурі кристалу. Виникнення негативної частини графіку ВАХ відбувається у результаті різних значень рухливості електронів у двох мнімумах цих матеріалів. На основі цього явища можна конструювати генератори, які можуть працювати на високих частотах від 1 до 50 ГГц, при цьому частота визначається довжиною кристалу. У зв’язку з підвищенною увагою до спектру надвисоких частот електромагнітних хвиль в останні роки, можна сказати, що вивчення цих явищ є досить актуальним. 3. Ефект Ганна Виникнення негативної диференційної провідності в однорідних напівпровідниках під дією сильного електричного поля. У сильних електричних полях рухливість носіїв заряду починає залежати від напруженості прикладеного поля: µ = µ(?). Внаслідок цього статична провідність напівпровідника ?0 = e µ, що входить у дифиринційний закон Ома (i = e µ? = ?0?), зберігаючись позитивною, може істотно змінити своє значення із зміною напруженості поля. Залежно від характеру цієї зміни, диференціальна провідність напівпровідника може виявитися як величиною позитивною, так і негативною. Перший випадок реалізується тоді, коли із ростом напруженості поля ? рухливість носіїв µ збільшується, так що або зменшується настільки слабко, що хоча , внаслідок чого вираз , зберігає позитивний знак. Другий випадок реалізується тоді, коли з ростом ? рухливість носіїв заряду µ падає, причому настільки різко, виконується не тільки умова , стає негативним, що й приводить до значення меншим за нуль. У напівпровідниках, зона провідності яких має більше одного мінімуму енергії, електрон з хвильовим вектором k, що відповідає одному з мінімумів, при розсіюванні може виявитися у стані із хвильовим вектором k', що належить іншому мінімуму.
У результаті такого розсіювання буде мати місце перекидання електронів з одного мінімуму в інший мінімум зони провідності. Такий вид розсіювання одержав назву «міждолинного». Міждолинне розсіювання носіїв заряду у певних умовах може приводити до виникнення коливань струму із частотою порядку 1010 Гц при прикладенні до однорідного напівпровідника сильного постійного електричного поля. Це явище, назване ефектом Ганна, уперше спостерігалось на СаАs. На рис. 3.1 зображена енергетична структура арсеніду галію у напрямку осі . Істотним тут є наявність двох мінімумів А и Б, розділених зазором ?E=0,36 еВ, в яких ефективні маси електронів різні. В області нижчої долини А електрони легкі, з ефективною масою m =0,068m0, вони мають високу рухливість . В області високої долини Б електрони важкі з m = 1,2m0 і мають низьку рухливість . Щільність станів у верхній долині приблизно в 1500 разів вище, ніж у нижній долині. Під час відсутності зовнішнього поля електрони, що перейшли з донорних рівнів у зону провідності, перебувають у термодинамічній рівновазі із граткою напівпровідника, маючи однакову з ним температуру 0. Вони можуть займати енергетичні рівні як у нижньому, так і у верхньому мінімумах зони. Відповідні концентрації в їхніх мінімумах становлять: - відстань від дна зони провідності (нижнього рівня) до рівня Фермі (рис. 3.1). Маємо відношення . Оскільки енергія електронів значно менше енергетичного зазору kТ 1. Тому у полях з напруженістю ? >3? 105 В/м температура електронного газу починає різко збільшуватися з ростом ? і вже при ? ? 3,5? 105 В/м досягає значення е ? 600К. При такій температурі електронного газу відношення 2/ 1 ? 1,75. Це означає, що при ? ? 3,5? 105 В/м більша частина електронів зони провідності з’являється не у нижньому, а у верхньому мінімумі. (рис. 3.3 в) тому що рухливість електронів у верхньому мінімумі значно менше (в 40 разів), аніж у нижньому, тоді перехід великої кількості електронів з нижнього мінімуму у верхній повинен супроводжуватися різким зменшенням їхньої ефективної рухливості, а отже, і зменшенням густини струму, що протікає через напівпровідник, яке у цьому випадку описується наступною формулою: j = e( 1µ1 2µ2) ?.На рис. 3.2 прямій ОD показана залежність j1=j1(?), накреслена в припущенні, що всі електрони зони провідності перебувають у нижньому мінімумі (п1 = п; 2 = 0), маючи рухливість µ1. Ця пряма нахилена до осі абсцис під кутом ?1. На цьому ж рисунку наведена пряма ОС, що виражає залежність j2=j2(?) у припущенні, що всі електрони перебувають у верхньому мінімумі (п1= 0; 2 = ), маючи рухливість µ1. Пряма нахилена до осі абсцис під кутом ?2< ?1. Простежимо тепер, як міняється щільність струму в напівпровіднику в міру збільшення напруженості поля ?. Доти поки ? виявляється недостатнім, щоб викликати істотний розігрів електронів, всі вони залишаються в нижньому мінімумі й залежність j=j(?) описується прямою ОD. Однак у міру росту ? все більше число електронів здобуває енергію, необхідну для переходу з нижнього мінімуму у верхній. Тому що цей перехід супроводжується падінням рухливості електронів, то він приводить до зменшення густини струму.
Однак у міру росту ? все більше число електронів здобуває енергію, достатню переходу з нижнього мінімуму у верхній. Тому що цей перехід супроводжується падінням рухливості електронів, то він приводить до зменшення густини струму. Тому починаючи з деякої напруженості ?1 наростання струму j з ростом ? спочатку сповільнюється, а при ? = ?а повністю зупиняється. При подальшому збільшенні ? перехід електронів у верхній мінімум протікає настільки інтенсивно, що j не тільки не зберігається постійним, а падає з ростом ? (ділянка ВМ). Відповідно до цього диференціальна провідність напівпровідника на цій ділянці виявляється величиною негативної: 0 vв (–) > = 0 – 0> vд00x0б)0а)x2x1 0 1 2 3 I II III I II I I0Imi Рис. 1.5. „Піковий” характер зміни сили струму у напівпровіднику при утворенні та розпаді електростатичного доменуРис. 3.6. Форма импульсу струму при прикладенні на зразок арсенида галію довжиною 2,5·10-3 см імпульсу напруги амплитудою 16 В та тривалістю 16 нс. Частота зманної складової 4,5 ГГц.Вихідна потуж-ность, мВтВихідна потуж-ность, мВтВихідна потуж-ность, мВт – рівень легуванняНапруга, ВНапруга, ВНапруга, ВНапруга, ВЧастота, ГГц – Рівень легуванняГустина потоку потуж-ності, Вт/см2Основна гармонікаВторинна гармонікаЧастота, ГГц а) б)
Профессор Отто Ган хорошо знал английский язык, и потому, глядя на него, Риттнер легко мог убедиться, какой эффект произведет эта новость. Кроме него в Фарм-Халл содержалось также немало знаменитостей мировой науки. Тут были Эрих Багге, Карл Фридрих фон Вейцзеккер, Карл Вирц, Вернер Гейзенберг, Вальтер Герлах, Курт Дибнер, Хорст Коршинг, Макс фон Лауэ и Пауль Хартек. Однако к радиоприемнику Риттнер позвал лишь троих: Гана, Гейзенберга и Вирца остальные все равно бы не поместились в тесной комнатушке. Да и английского языка они не знали. И вот в назначенный час зазвучал голос диктора, который сообщил, что на японский город Хиросиму сброшена бомба нового типа, равная по силе двум тысячам обычных 10-тонных бомб, находящихся на вооружении британских ВВС. Отто Ган пришел в ужас: PПослушайте, Риттнер, я еще шесть лет назад понял, насколько оно опасно, мое открытие, но я не верил, я до сих пор не верил, что эту бомбу можно создать Пришлось коменданту успокаивать растерянного ученого и даже предложить ему порцию джина
2. Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
3. Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
5. Общественные блага. Внешние эффекты и их государственное регулирование
9. Численный расчет диода Ганна
10. Эффект Холла
11. Сверхпроводимость. Эффекты Джозефсона
12. Оздоровительный эффект бани
13. Издержки производства в длительном периоде. Эффект масштаба (Контрольная)
14. Расчёт ожидаемого экономического эффекта от автоматизации отбельного перехода
15. Физика релятивистских эффектов
17. Электрокапиллярный эффект в современной технологии
18. Возможные побочные эффекты вакцинации
19. Квантовые электродинамические эффекты в атомных системах
20. Эффекты конечной разрядности и их учет
21. Экспериментальное исследование нелинейных эффектов в динамической магнитной системе
25. Экономический эффект "влипания"
26. Применение компьютерного тестирования для контроля знаний. Мотивационный эффект
27. Терморезисторный эффект. Терморезисторы
28. Тайна «эффекта 25-го кадра». Миф и реальность
30. “Реклама – двигатель …” О лингвистической природе эффекта речевого воздействия в текстах телерекламы
31. Применение физических эффектов в рекламных целях
32. Дефекты, эффекты в стереотипах рекламной продукции
35. Фильтрация газов(баротермический эффект)
36. Эффект Холла
37. Туннельные и барьерные эффекты.
41. Влияние парникового эффекта на изменение климата Земли
42. Круговорот углекислого газа. Парниковый эффект.
43. Парниковый эффект - миф или реальность?
45. Теория совокупного спроса и совокупного предложения. Эффект храповика
46. Сущность инвестиционного акселератора. Эффект мультипликатора-акселератора
47. Микроструктура фондового рынка и внешние эффекты
48. Эффекты межличностного восприятия
49. Эффект от мероприятий по охране труда
50. Генотоксические эффекты у детей-подростков из Чебулинского района Кемеровской области
51. Гана
52. К вопросу об учете эффектов причинной механики в геофизических задачах
53. Парниковый эффект, особенности допотопного климата
57. Эффект Оже. Оже–спектроскопия
58. Эффект Холла
59. Теория электродного эффекта применительно к приземному слою атмосферы
60. О воспитательном эффекте уроков математики
62. Издержки производства в долгосрочном периоде. Эффект масштаба
65. Биологический эффект действия звука и вибрации на клетки и ткани организма
69. Договір зберігання за цивільним законодавством України
73. Запобігання виразковій хворобі та її рецидивам
75. Стандартные препараты и эффекты матрикса
76. Організація тимчасового зберігання документів, підготовка до передавання справ до архіву
78. Психологические эффекты массовой коммуникации
79. Вторая жизнь сверхпроводников. Эффект Мейснера в производстве электроэнергии
81. Принцип Кирлиан-эффекта (свечение предметов в электромагнитном поле)
82. Эффект Зеемана при малоугловом рассеянии
83. Использование фотоупругого эффекта для измерения физических величин
85. Использование потенциометрического эффекта для измерения физических величин
89. Эффект операционного рычага в финансовом менеджменте
91. Вычисление теплового эффекта реакций
92. Исследование фазовых эффектов в бинарных азеотропных смесях
93. Динамика биосферы. Парниковый эффект
96. Парниковый эффект: причины и последствия
97. Исследование парникового эффекта
98. Жилищное строительство - фактор, определяющий синергетический эффект экономического роста