Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте www.za4et.net.ru

Компьютеры, Программирование Компьютеры, Программирование     Компьютеры и периферийные устройства Компьютеры и периферийные устройства

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
87 руб
Раздел: Небесные фонарики
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый.
Оригинальный светильник - ночник - проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фонариков) 2) Три
330 руб
Раздел: Ночники

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра ЭТТ РЕФЕРАТ На тему: «Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета» МИНСК, 2008 1. Конденсаторы В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупро­водниковых ИМС, предназначенных для использования их .емкос­ти, чаще всего находят применение обратно-смещенные р — п-g реходы Кроме того, применяются структуры типа металл —ди­электрик .— полупроводник (МДП) (в том числе в биполярных микросхемах). Реже используются структуры типа металл — ди­электрик — металл (МДМ). На рисунке 1.1 изображены структуры конденсаторов полупровод­никовых микросхем, а В таблице 1.1 представлены ориентировочныезначения их параметров . Рисунок 1.1. Структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем: а—на основе эмиттерного р—п -перехода транзистора; б—на основе коллекторного перехода: в - на основе р- перехода кол­лектор—подложка; г-на основе парал­лельно включенных емкостей эмиттерного и коллекторного р— -переходов; д—типа металл—диэлектрик—полупроводник. Поскольку профиль распределения концентрации примесей в вертикальных (боковых) плоскостях пленарных р — -переходов, полученных диффузией, значительно отличается от профиля рас­пределения в горизонтальной части р — -переходов и аналитичес­кий расчет его затруднителен, В таблице приводятся ориентиро­вочные значения параметров для обоих случаев. Полная емкость. Таблица 1.1 конденсатора при использовании данных Таблица рассчитывается в соответствии с соотношением (1.1) где Согор, Соверт и Sгор Sверт — удельные емкости и площади гори­зонтальных и вертикальных плоскостей р — «-переходов. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) конденсатора оп­ределяется выражением (1.2) где Т — температура. Если в интервале температур (Т2—Т1) изменение емкости (С2 — С1) связано с изменением температуры линейной зависи­мостью, то ТКЕ описывается формулой (1.3) Для конденсаторов на основе р—переходов при обратных на­пряжениях порядка нескольких вольт ТКЕ составляет величину ас = (2—5) 104 1/град. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупро­водник рассчитывается следующим образом. Поскольку полная удельная емкость структуры типа МДП Со состоит из последова­тельно включенных удельных емкостей диэлектрика СОд и прост­ранственного заряда в полупроводнике С0П) она может быть опре­делена согласно соотношению: (1.4) Удельная емкость диэлектрика является величиной постоянной, определяет максимальную удельную емкость всей структуры и рассчитывается по формуле (1.5) Где и — диэлектрическая проницаемость и толщина диэлект­рической пленки. Емкость области пространственного заряда в поверхностном слое полупроводника зависит от приложенного к МДП-конденсатору напряжения. Если знак и величина приложенного напряжения таковы, что на поверхности полупроводника образуется слой, обогащенный ос­новными носителями заряда, полная удельная емкость определяет­ся удельной емкостью диэлектрика, т. е. С0=С0я. (Для структуры, изображенной на рисунке 1.1, д, это равенство будет выполняться при приложении к металлическому электроду, расположенному над окислом, достаточно большого по величине напряжения положи­тельного знака.)

При соответствующих знаке и достаточно большой величине при­ложенного напряжения в приповерхностном слое полупроводника под окислом может образоваться инверсионный слой, т. е. слой с обратной по отношению к нейтральному состоянию полупроводни­ка проводимостью. В условиях сильной инверсии удельная емкость пространственного заряда Сов постоянна и может быть рассчитана так же, как емкость p— перехода. В условиях, промежуточных по отношению к описанным двум экстремальным случаям, полная удельная емкость МДП-конденсатора рассчитывается согласно соотношению (1.6) где — концентрация примесей в полупроводнике; U — приложен­ное напряжение. Рассмотренная зависимость емкости МДП-конденсатора на частотах выше 100 Гц от напряжения (вольт-фарадная характерис­тика) иллюстрируется Рисунок 3.1.2. Как видно из рисунка, при отрица­тельных напряжениях на металлическом электроде (для полупро­водника р-типа) удельная емкость определяется емкостью окисла, при значительных положительных на­пряжениях — емкостью простран­ственного заряда инверсионного слоя в полупроводнике, при проме­жуточных значениях напряжения она изменяется согласно соотношению (1.5). Рисунок 1.2 Зависимость нормализо­ванной удельной емкости МДП-конденсатора от величины и зна­ка приложенного напряжения. Ориентировочно структура типа МДП- (см. Рисунок 1.1, д) обладает ванной удельной емкости С0 =400 — 600 пФ/мм2 и пробивным напряжением Uпр=10—50 В. ТКЕ составляет величину около ас=10-4 1/град. Конденсаторы, как правило, не применяются в современных логических ИМС. В аналоговых микросхемах находят применение конденсаторы на основе р—«-переходов и иногда — в виде структур типов МДП или МДМ. В запоминающих устройствах (ЗУ) широко используются емкости р— -переходов и МДП-структур. 2. Резисторы В качестве резисторов, т. е. пассивных элементов ИМС, пред­назначенных для использования их электрического сопротивления, применяются обычно слои полупроводника, создаваемые с помощью диффузии примесей одновременно с коллекторными или базовыми областями транзисторов. Области, создаваемые вместе с эмиттера­ми транзисторов, применяются для этой цели реже, так как они имеют слишком малое удельное сопротивление. При использовании в технологическом процессе производства ИМС ионной имплантации примесей резисторы могут создаваться как одновременно с изготовлением областей транзистора, так и независимо. Кроме того, возможно применение резисторов, полу­ченных путем вакуумного напыления на поверхность полупровод­никового кристалла тонких пленок металлов или сплавов (в этом случае микросхемы называются совмещенными). В последнее вре­мя получили развитие резисторы из поликристаллического крем­ния, нанесенного на поверхность кристалла. Структуры резисторов, получаемых путем диффузии примесей, показаны на рисунке 1.1. Там же схематично показано распределение концентрации примесей в слоях полупровоадниковых структур, об­разующих резистор. Если микросхема должна содержать резисторы с достаточно высоким сопротивлением (порядка нескольких десятков килоом и более), то изготовляются так называемые сжатые резисторы (пинч-резисторы).

В варианте пинч-резистора, изображенного на рисунке 1.1, г, в качестве резистивного слоя используется базовый, а эмит-терный слой полностью перекрывает резистивную полоску и в полупроводниковой структуре непосредственно контактирует с кол­лекторным слоем. Соединенные таким образом коллекторный и эмиттерный слои могут играть роль полевых затворов, если на них подавать обратное по отношению к резистивному слою смещение. Аналогичную конструкцию имеет пинч-резистор, в котором резис-тивным слоем является коллекторная область транзистора (Рисунок 1.3 б).бОдним из основных параметров, характеризующих резистор, является сопротивление квадрата площади резистивного слоя ркв. Поясним смысл этого параметра, используя известную формулу для расчета электрического сопротивления R: R = pl/(bd) (2.1) где р — объемное удельное сопротивление, Ом-см; l — длина, см; bud — размеры поперечного сечения (ширина и толщина) резистивного слоя, см. Обозначим отношение p/d = pKB, получив таким образом указанный параметр, измеряемый в Ом/кв. Формула примет вид, R=pквl/b (2.2) Использование параметра удельного сопротивления ркв предполагает, что толщина d тонкого слоя или пленки фиксирована. Другими словами, сравнение удельных сопротивлений тонких слоев ] пленок может производиться по данному параметру исключительно при фиксированной (но не обязательно одинаковой) их толщин? Введем понятие коэффициента формы резистора kф — 1/b, с учетом которого формула преобразуется к виду (2.3) Другим важным параметром резистора является температурный коэффициент сопротивления (ТКС): (2.4) где Т — температура. Если в интервале температур ( 2— 1) изменение сопротивле­ния (R2—R1) связано с изменением температуры линейной зави­симостью, то ТКС описывается формулой (2.5) Таблица 2.1 bg Тип резистора Номинальные значения сопротивления, Ом Погрешность, % Удельное сопротивление, ркв, Ом/кв ТКС, 1/град Эмиттерный слой 2,5-103 10 2-6 2 10-3 Базовый слой 150 – 20 103 10 50-250 2 10-3 Коллекторный слой 250 – 10 103 10 200-300 5 10-3 Сжатые резисторы (5 – 500) 103 20 (2-10) 103 5 10-3 Рисунок 2.1 Структуры резисторов полупроводниковых микросхем: а—на основе эмиттерного слоя; 6—на основе базового слоя; в—на основе коллекторного слоя; г—сжатый резистор на основе базового слоя; д—сжатый резистор на основе коллекторного слоя. Полупроводниковые резисторы обладают паразитной распре­деленной емкостью, что является их недостатком. Паразитная ем­кость может быть охарактеризована коэффициентом (2.6) где Скв — удельная паразитная распределенная емкость квадрата резистивной полоски, пФ/кв; ,ркв — сопротивление квадрата резистивной полоски, кОм/кв; b — ширина резистора, мкм. : Значения коэффициента Кн для некоторых вариантов резисто­ров приведены В таблице. К недостаткам полупроводниковых резисторов относятся так­же сравнительно высокий ТКС и зависимость номинального сопро­тивления от величины приложенного к резистору напряжения, которое может модулировать площадь поперечного сечения резистивной полоски вследствие полевого эффекта. Кроме того, в резисто­рах, изолированных р- -переходом, может проявляться паразит­ный транзисторный эффект.

В соответствии с абзацем первым пункта 286 Правил при взыскании по исполнительным документам в пользу отдельных граждан учреждение банка, в котором находится счет плательщика, принимает исполнительные документы только через судебного исполнителя, состоящего при суде, в районе деятельности которого находится данное учреждение банка. Приведенная норма не может быть признана законной в связи с тем, что Федеральный закон предоставил возможность взыскателю направлять исполнительный документ непосредственно в банк или иную кредитную организацию, если он располагает сведениями об имеющихся там счетах должника и о наличии на них денежных средств...» [276]. Определением от 1 октября 1999 г. Верховный Суд РФ в порядке ст. 206 ГПК РСФСР разъяснил, что указанные положения Правил безналичных расчетов в народном хозяйстве являются недействительными с момента вступления в силу Федерального закона «Об исполнительном производстве» (5 ноября 1997 г.). Во исполнение данного решения Верховного Суда 26 марта 2003 г. Центральным банком

1. Системы и методы калькулирования себестоимости. Расчет себестоимости на примере ячеек КРУ

2. Амортизация основных фондов: методы амортизации, сопоставительный расчет амортизационных отчислений различными методами

3. Новые методы определения и расчета экономической эффективности инвестиций

4. Типовые расчеты надежности систем на персональном компьютере

5. Относительная фазовая манипуляция - метод повышения надежности передачи информации

6. Оценка теплового режима ИМС. Расчет надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам
7. Расчет надежности устройства
8. Разработать оптимальное рабочее место инженера-программиста, расчет освещенности, расчет информационной нагрузки

9. Поиск максимума одной функции многих переменных методом покоординатного спуска и с помощью метода дихотомии

10. Качественный метод исследования с применением индикаторов. Весовой метод измерения скорости коррозии металлов

11. Методы расчета электрических полей

12. Математические модели и методы их расчета

13. Производственная программа предприятия и методы ее расчета

14. Метод расчета скейлинговых констант Фейгенбаума для одномерных дискретных отображений по точкам сверхустойчивых циклов

15. Методы расчета естественного и искусственного освещения

16. Расчет ВНП двумя методами. Система национальных счетов

Гель-концентрат для стирки деликатных тканей BioMio "Bio-sensitive" с экстрактом хлопка, без запаха, 1,5.
BioMio – линейка эффективных средств для дома, использование которых приносит только удовольствие. Уборка помогает не только очистить и
473 руб
Раздел: Гели, концентраты
Конструктор "Юный конструктор № 2" в чемодане.
Предназначен для игры детей от семи лет. 141 деталь.
523 руб
Раздел: Машинки, мотоциклы
Копилка-гиря "Стопудовй хит".
Стопудовый хит! Копилка в форме пудовой гири, действительно, один из хитов продаж. Отлитая из гипса по старинной форме, она повторяет
418 руб
Раздел: Копилки

17. Гидродинамический метод расчетов водозаборных сооружений

18. Расчет площади сложной фигуры с помощью метода имитационного моделирования

19. Факторы и методы учета риска в экономических расчетах

20. Применение ускоренных методов расчета расходов воды

21. Исследование усилительного каскада топологическим методом

22. Методы расчета линейных электрических цепей при импульсном воздействии. Спектральный анализ сигналов
23. Методы расчета составляющих и структурная схема цифровой станции
24. Виды скидок и методы их расчета

25. Емкость рынка: понятие, факторы, методы расчета

26. Резистивные электрические цепи и методы их расчета

27. Методы расчета цепей постоянного тока

28. Операторный метод расчета переходных процессов в линейных цепях

29. Методы расчета налогооблагаемой базы

30. Методы расчета величины экономического износа, учитываемого при расчете стоимости имущественных комплексов

31. Расчет влияния трудовых факторов на выпуск продукции методом цепных подстановок

32. Состав ликвидационных затрат предприятия и методы их расчета

Сумка-мини для раскрашивания "Клатч", арт. 01948.
Набор для раскрашивания содержит текстильный пенал-клатч, застегивающийся на молнию, а также пять цветных водостойких маркеров. На обеих
359 руб
Раздел: Косметички, кошельки
Конструктор LEGO "Juniors. Ветеринарная клиника Мии".
Помогай Оливии и Мие лечить заболевших животных в ветеринарной клинике LEGO® Juniors! Вместе с Мией открой клинику и приготовься к
808 руб
Раздел: Больницы
Подставка под мобильный телефон "Сказочный павлин", 17 см.
Подставка под мобильный телефон, декоративная. Высота: 17 см. Материал: полистоун.
464 руб
Раздел: Держатели и подставки

33. Расчеты структурной надежности систем

34. Расчет структурной надежности системы

35. Расчет структурной надежности системы

36. Расчет на надежность стереодекодера СД-А-7

37. Расчет структурной надежности системы

38. Исследование природных ресурсов планеты с помощью космических методов
39. Исследование клеточного цикла методом проточной цитометрии
40. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ГЕНЕТИКИ

41. Методы психогенетики

42. Обзор методов и способов измерения физико-механических параметров рыбы

43. Новейшие методы селекции: клеточная инженерия, генная инженерия, хромосомная инженерия

44. Расчет ядерного взрыва

45. Зажигательные смеси, состав, средства применения и доставки, вызываемые повреждения, методы лечения и защиты

46. Методы и модели демографических процессов

47. Гидрохимический, атмохический и биогеохимический методы поисков

48. Расчет показателей разработки элемента трехрядной системы

Дорожная косметичка, 21x15x12 см, арт. 82630.
Стильная косметичка выполненная из современных полимерных материалов, станет отличным современным подарком и займет достойное место среди
324 руб
Раздел: Дорожные наборы
Набор детской посуды "Домашние животные" (3 предмета).
Набор детской посуды "Домашние животные" в подарочной упаковке. В наборе 3 предмета: - кружка 240 мл; - тарелка 19 см; - миска
310 руб
Раздел: Наборы для кормления
Тележка багажная ручная ТБР-02.
Грузоподъемность: 30 кг. Предназначена для перевозки грузов. Удобна для любого путешествия. Легко собирается в транспортное положение,
538 руб
Раздел: Хозяйственные тележки

49. Методы выделения мономинеральных фракций

50. Основні методи боротьби з інфляцією

51. Предмет, метод, источники Административного права

52. Методы осуществления государственной власти

53. Аккредитивные формы расчетов

54. Сравнение договоров подряда и купли - продажи, форма расчета-инкассо, типы ведения бизнеса
55. Правовое регулирование расчетов с использованием пластиковых карт
56. Предмет, метод и система гражданского процессуального права /Украина/

57. Корпорация BBC. Формы и методы государственного контроля вещания

58. Учет расчетов с бюджетом по налогам

59. Формы и методы выхода предприятий на внешний рынок

60. Методы комплексной оценки хозяйственно-финансовой деятельности

61. Цикл-метод обучения. (Методика преподавания эстонского языка)

62. Специфика преподавания иностранного языка и метод проектов

63. Естественная и гуманитарная культуры. Научный метод

64. Русская здрава (методы оздоровления на Руси)

Табурет-подставка детский с ручкой.
На прочный табурет малыш сможет не только сесть, но и встать. Табурет удобно использовать как подставку, легко переносить за ручку.
390 руб
Раздел: Стульчики
Набор цветных карандашей "Noris Club", акварельные, 24 цвета, с кистью.
Детские цветные карандаши в картонной коробке. Серия «Noris Club» предназначена для использования детьми. Специальное защитное белое
573 руб
Раздел: Акварельные
Одноразовые туалетные покрытия на унитаз (235 штук).
Средство личной гигиены, необходимое в местах общественного пользования. Незаменимы при использовании в туалетных комнатах: детских и
396 руб
Раздел: Сиденья, крышки для унитаза

65. Методы исследования литературы

66. Метод комплексного археолого-искусствоведческого анализа могильников

67. Конвертер программы с подмножества языка Си в Паскаль с использованием LL(1) метода синтаксического анализа (выражения)

68. Методы компьютерной обработки статистических данных. Проверка однородности двух выборок

69. Разработка программы для расчета финансовых показателей, используемых в составлении бизнес-плана на языке Visual Basic

70. Решение дифференциальных уравнений 1 порядка методом Эйлера
71. Оценка методов и средств обеспечения безошибочности передачи данных в сетях
72. Обзор возможных методов защиты

73. Метод деформируемого многогранника

74. Сравнение эффективности методов сортировки массивов: Метод прямого выбора и метод сортировки с помощью дерева

75. Методы прогнозирования основанные на нейронных сетях

76. Применение методов линейного программирования в военном деле. Симплекс-метод

77. Вычисление площади сложной фигуры методом имитационного моделирования (Windows)

78. Математические методы и языки программирования: симплекс метод

79. Билеты, решения и методичка по Информатике (2.0)

80. Вычисление определённого интеграла с помощью метода трапеций на компьютере

Лупа с креплением на голову и подсветкой (увеличение: 1,8-х - 4,8-х кратное).
Лупа с креплением на голову, обладающая регулировкой степени увеличения.
462 руб
Раздел: Лупы
Говорящий плакат "Первые знания".
С помощью этого говорящего плаката ваш ребенок изучит буквы и цифры! Нажимай на мультяшек и слушай любимые песенки. Выбери игру -
445 руб
Раздел: Электронные и звуковые плакаты
Автокружка с подогревом USB 12 V (450 мл).
Подключается к стандартному автомобильному прикуривателю и разъему USB. Сохраняет жидкость теплой, пока подключена к прикуривателю или
660 руб
Раздел: Прочее

81. Интегрирование методом Симпсона

82. Разработка программы расчета определенного интеграла по формуле Буля по схеме двойного пересчета с заданной точностью

83. Компьютерные вирусы, типы вирусов, методы борьбы с вирусами

84. Компьютерный файлово-загрузочный полиморфный стелс-вирус ONEHALF 3544, особенности алгоритма и методы борьбы с ним

85. Анализ криптостойкости методов защиты информации в операционных системах Microsoft Window 9x

86. Парольные методы защиты информации в компьютерных системах от несанкционированного доступа
87. Лабораторная работа №7 по "Основам теории систем" (Решение задачи коммивояжера методом ветвей и границ)
88. Лабораторная работа №6 по "Основам теории систем" (Решение задачи о ранце методом ветвей и границ)

89. Решение задач - методы спуска

90. Решение смешанной задачи для уравнения гиперболического типа методом сеток

91. Решение систем дифференциальных уравнений методом Рунге-Куты 4 порядка

92. Решение систем линейных алгебраических уравнений методом Гаусса и Зейделя

93. Использование численных методов для решения дифуpов (2-го порядка) (, демонстрация применения интерполяции в среде MATHCAD-а)

94. Вычисление определенного интеграла методами трапеций и средних прямоугольников

95. Сетевые методы в планировании

96. Вычисление интеграла фукции f (x) (методом Симпсона WinWord)

Перчатки виниловые одноразовые, размер XL, 100 шт..
Виниловые одноразовые перчатки применяются во время разных видов работ: в пищевой сфере, косметологии, при уборке. Перчатки мягкие и
305 руб
Раздел: Перчатки
Ферма. Лото.
Лото на новый лад. Правила остаются прежними, а вот картинки мы сделали более яркими и живыми, заменили цифры на анимационных героев
345 руб
Раздел: Лото детское
Логическая игра "Парковка. Пазл", арт. SG 434 RU.
Проверьте свои навыки парковки с помощью этой головоломки! В этой уникальной игре необходимо найти правильное место для каждого
835 руб
Раздел: Игры логические

97. Математические методы в организации транспортного процесса

98. Метод последовательных уступок (Теория принятия решений)

99. Построение графика функции различными методами (самостоятельная работа учащихся)


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.