|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Промышленность и Производство Техника
Технологические основы электроники |
Карабин, 6x60 мм. 
Забавная пачка "5000 дублей". 
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный. Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС. Обратную сторону шлифуют, удаляя монокристаллический слой до вскрытия окиси кремния по границам областей, и производят доводку (для удаления нарушенного слоя). После протравливания и отмывки поверхности ее окисляют. Далее в образовавшихся изолированных областях монокристаллического кремния -типа диффузионным методом формируют элементы (базовые области, резисторы, эмиттеры, области под контакты). Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная пластина содержит эпитаксиальный -слой, то транзисторы получаются со скрытым слоем. 2. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной структуры без скрытого слоя. Рис. 2. Последовательность формирования эпитаксиально-планарной структуры: а—исходная пластина; б—стравливание окисла, подготовка поверхности; в—эпитаксиальное наращивание -слоя, окисление поверхности; г—вскрытие окон в окисле под изолирующую (разделительную) диффузию примеси; д — диффузия акцепторной примеси, окисление поверхности; е — готовая структура после формирования диффузионных базовых и эмиттерных областей, а также получения межсоединений Чтобы получить простейшую эпитаксиально-планарную структуру, в качестве исходной заготовки используют монокристаллическую пластину кремния, равномерно легированную акцепторной примесью. Для нанесения эпитаксиального слоя на одну из сторон пластины ее освобождают от окисла и тщательно очищают (рис.2), после чего проводят осаждение монокристаллического слоя кремния -типа. Далее поверхность пластины окисляют и методом фотолитографии вскрывают окна в виде узких замкнутых дорожек, соответствующих контуру коллекторных и изолирующих областей ПМС. Проводя через окна диффузию акцепторной примеси до смыкания ее с р-областью, получают таким образом изолированные друг от друга островки равномерно легированного эпитаксиального -кремния. Рассмотренный процесс диффузии называют изолирующей или разделительной диффузией.
В полученной на данной стадии заготовке (рис. 2,д) в дальнейшем формируют базовые и эмиттерные области (диффузионным методом), а также контакты и межсоединения. 3. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре Рис. 3 Последовательность формирования изолированных областей в изопланарной структуре: а—пластина с эпитаксиальным и скрытым слоями; б — нанесение слоя нитрида кремния; в — избирательное травление нитрида кремния по контуру будущих элементов; г — глубокое окисление кремния; д — стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е—готовая структура после формирования базовых и эмиттерных областей а также межсоединений На рис. 3,е представлена изопланарная структура транзистора, в которой донная часть 2 коллектора изолирована от монокристаллической пластины р- -переходом, а боковая 1— толстым слоем окисла, полученным сквозным локальным окислением эпитаксиального слоя. Начальные стадии процесса получения изопланарной структуры следующие (рис. 3). На поверхность пластины, содержащей эпитаксиальные - и -слои, осаждают (из газовой фазы) слой нитрида кремния Si3 4. Методом фотолитографии в этом слое образуют защитную маску с окнами по контуру коллекторных областей. В процессе окисления нитридная маска сохраняется. Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют. Далее проводят диффузию для формирования базы и эмиттера, формируют контактные окна и межсоединения. 4. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры Полная изоляция МДП-транзисторов обеспечивается при формировании их в виде островков на монокристаллической изолирующей пластине. В качестве изолирующей пластины обычно используют синтетический сапфир, имеющий достаточно хорошее кристаллографическое сопряжение с кремнием. Поэтому эти структуры получили название структур «кремний на сапфире» или сокращенно КНС. Эпитаксиально выращенный на сапфире кремний имеет высокую плотность структурных нарушений (дислокации), что заметно снижает подвижность носителей заряда. Вследствие этого структуры на биполярных транзисторах оказались не эффективными и наиболее широкое применение нашли МДП-КНС-структуры, особенно КМПД-КНС-структуры. В отличие от структур, изолированных р- -переходом, когда используется высокоомная (слаболегированная) пластина, структуры на изолирующей пластине устойчивы к температурным и радиационным воздействиям. Рис. 4 Последовательность формирования КМДП-КНС-структуры: а—исходная пластина «сапфир—эпитаксиальный кремний—окись кремния»; б—избирательное анизотропное травление кремния с помощью оксидной маски (образование островков); в—избирательная диффузия акцепторной примеси; г — снятие маски с островков; д — маскирование островков с помощью SiO2; е — избирательное покрытие фосфорсиликатным стеклом (ФСС) р-островков и общее покрытие боросиликатным стеклом (БСС); ж— структура после диффузии примесей и стравливания БСС, ФСС и SiO2, з — готовая структура после нанесения SiO2 и формирования межсоединений В процессе формирования КМДП-КНС-структуры (рис. 4) методом эпитаксиального наращивания (процесс гетероэпитаксии) создают сплошной слой высокоомного п-Si.
После маскирования окисью кремния и анизотропного травления получают отдельные изолированные островки п-Si. Проведя повторное маскирование окисью кремния, методом диффузии часть островков легируют акцепторной примесью на всю глубину, превращая их в островки р- Si. Предварительно защитив маской из окиси кремния участки будущих каналов, избирательно покрывают р-островки фосфоро-силикатным (SiO2.P2O5), а -островки — боросиликатным (SiO2.B2O3) стеклами. Последующим нагревом диффундируют до-норную (Р) и акцепторную (В) примеси из легированных стекол в области стоков и истоков. В дальнейшем стекло и участки SiO2 стравливают, наносят слой окиси кремния, вытравливают участки окисла под затвор, выращивают тонкий слой диэлектрика и формируют затворы, а также межсоединения. Гетероэпитаксиальные слои, полученные в таких структурах, имеют небольшую толщину (~1 мкм), что обусловлено относительным несовершенством кристаллической структуры, выращиваемой на сапфире: с увеличением толщины пленки плотность дислокации увеличивается. МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения. При облучении монокристаллической мишени ионами в направлениях, отличающихся от основных, профиль распределения внедренных атомов описывается нормальным законом распределения (рис. 5): Рис.5 Профили распределения электрически активных атомов бора при различных энергиях ионного пучка (1) где Q — доза легирования ; —среднеквадратическое отклонение длин пробегов . Максимальная концентрация примеси, соответствующая средней длине пробега , (2) а концентрация примеси на уровне р- -перехода (3) Если допустить, что в процессе отжига вся внедренная примесь переходит в активное состояние, а перераспределением примеси можно пренебречь, то глубина залегания р- -перехода из (2) и (3) окажется равной (4) Знак «±» указывают на возможность получения двух переходов на разной глубине, т.
По той же причине нет условий для роста фундаменталистских идей и настроений в современных аравийских монархиях, при всем том, что здесь позиции ислама как такового крепки, как, может быть, нигде. Достаточно напомнить, что Саудовская Аравия с ее Меккой признанный центр ислама, цель хаджа. Но при всем том и в Аравии, и в соседних с ней эмиратах высочайший современный технический и цивилизационный, капиталистический в своей технологической основе стандарт гармонично сочетается с ненарушенным привычным исламским, подчас исламо-бедуинским образом жизни. Для такого рода гармонии нужны были большие деньги эти деньги появились и сыграли свою благотворную позитивную роль, прежде всего в том смысле, что сняли внутреннюю социально-политическую, экономическую и любую иную напряженность, рождаемую обычно нехватками и жизненными невзгодами. Разумеется, эти рассуждения не абсолютны. Им можно противопоставить, например, ситуацию в Ливии, где все перечисленные факторы вроде бы действуют или, точнее, могли бы действовать так же, как в аравийских монархиях, но где тем не менее усилиями Каддафи все перевернуто с ног на голову и в результате для исламского фундаментализма созданы все условия. Спорить тут не с чем
1. Технологические основы машиностроения (лекции)
5. Электротехника с основами электроники
9. Основы технологического производства и ремонта машин
11. Штукатурные работы с основами охраны труда
12. Экологические основы устойчивости растений
13. Альбом схем по основам теории радиоэлектронной борьбы
14. Философские основы кибернетики и методология ее применения в военном деле
15. Гамма – каротаж. Физические основы метода
16. Межбанковские отношения на основе использования высоких технологий интербанковских телекоммуникаций
Гель Calgon "3030723", для cмягчения воды и предотвращения образования накипи, 1500 мл. 
Подушка "Волк Забивака", 30x33 см. 
Таблетки для посудомоечных машин BIOMIO "BIO-TOTAL" с эфирным маслом эвкалипта, 30 штук. 17. Правовые основы валютного регулирования и валютного контроля в Российской Федерации
18. Финансовые и правовые основы полного товарищества
19. Правовые основы наследования в Российской Федерации
20. Сравнительная характеристика рабовладельческих государств на основе источников
21. Основы полномочия парламента
25. Конституционно – правовые основы религиозного и религиоведческого образования в РФ
26. Законодательные основы борьбы с международным терроризмом
27. Местное самоуправление как основа конституционного строя РФ
28. Финансовые основы местного самоуправления
29. Финансово-экономическая основа местного самоуправления в Российской Федерации
30. Правовые основы гражданской обороны
31. Понятие, назначение и правовая основа паспортной системы Российской Федерации
32. Правовые и нормативные основы труда
Полотенце вафельное "Райский уголок", банное, пляжное, 100х150 см. 
Глобус Земли, физико-политический, с подсветкой, 320 мм. 
Коробка подарочная "Штамп". 33. Основы права (вопросы к зачету)
34. Комментарии к основам законодательства Российской Федерации об охране труда
36. Режиссура "Кадр - основа аудиовизуального языка"
37. Основы социокультурного проектирования
41. Раскол православия. Никонианство, как духовная основа прозападных преобразований в России
42. История технологического образования в России
43. Информационные технологии в экономике. Основы сетевых информационных технологий
44. Основы информационных технологий
46. ПК на основе процессора INTEL 80286
47. Платежная система на основе смарт-карт
48. Разработка АРМ на основе персонального компьютера для дома
Настольная композиция "Сад Дзен", 29x21x6 см. 
Набор форм "Paterra" для приготовления пельменей, вареников, пирожков, чебуреков, 4 штуки. 
Набор фломастеров "Turbo color", 36 цветов. 49. Курсовая работа по основам программирования. Игра "Паровоз"
51. Основы ПЭВМ
52. Разработка цикла лабораторных работ по основам работы в WINDOWS 2000
53. Основы автоматики и управления
58. Основы теории систем и системный анализ
59. Исследование регрессии на основе численных данных
60. Физические и химические основы явлений наследственности
61. Гигиенические основы питания, как источник здоровья и нормального физического развития детей
63. Зоотехнические основы воспроизводства стада
64. Природные ресурсы - как основа функционирования мировой экономики
Каталка-мотоцикл "МХ". 
Крем для младенцев "Weleda" для защиты кожи в области пеленания (с календулой), 75 мл. 
Набор текстовыделителей "Frixion Light", 3 цвета, 1-3 мм. 67. Научные основы школьного курса химии. методика изучения растворов
68. Обучение аудированию на коммуникативной основе в 7, 8 классах общеобразовательной школы
76. Стекло и строительные материалы на основе органических вяжущих
78. Участок по изготовлению изделий из безвольфрамовых твердых сплавов на основе карбида титана
79. Технологические операции штамповки
80. Разработка технологического процесса ЕО автомобиля ЗИЛ-130
Швабра для пола, с отжимом. 
Игра "Городки". 
Конструктор "Цветной", 65 деталей. 81. Типовой расчет по основам светотехники
82. Проектирование технологического процесса ремонта
83. Расчет конденсационной турбины мощностью 165МВт на основе турбины-прототипа К-160-130-2 ХТГЗ
84. Основы монтажа оборудования
85. Технологический процесс изготовления детали "Корпус"
91. Моделирование процессов функционирования технологических жидкостей в системе их применения
93. Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу
94. Проектирование технологического процесса изготовления детали - крышка подшипниковая
96. Проектирование технологического процесса изготовления детали - Стабилизатор
Настольная игра "Каркуша. Маленький Сад". 
Настольная игра "Халли Галли" (Halli Galli). 
Музыкальная игрушка "Осьминог". 97. Основы пайки
98. Основы промышленного рыболовства и технология рыбных продуктов
