![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Определение параметров p-n перехода |
«МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского тема: «Определение параметров p- перехода» Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxx" Курсовая работа студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX дата сдачи оценка г. Москва 2001 годОглавление: 1. Исходные данные 3 2. Анализ исходных данных 3 3. Расчет физических параметров p- и - областей 3 а) эффективные плотности состояний для зоны 3 проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация 3 в) положение уровня Ферми 3 г) концентрации основных и неосновных носителей 4 заряда д) удельные электропроводности p- и - областей 4 е) коэффициенты диффузий электронов и дырок 4 ж) диффузионные длины электронов и дырок 4 4. Расчет параметров p- перехода 4 a) величина равновесного потенциального барьера 4 б) контактная разность потенциалов 4 в) ширина ОПЗ 5 г) барьерная ёмкость при нулевом смещении 5 д) тепловой обратный ток перехода 5 е) график ВФХ 5 ж) график ВАХ 6, 7 5. Вывод 7 6. Литература 8 1. Исходные данные 1) материал полупроводника – GaAs 2) тип p- переход – резкий и несимметричный 3) тепловой обратный ток () – 1 пФ 5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2 6) физические свойства полупроводника Ширина Подвижность при Эффективная масса Время Относительн запрещенн 300К, м2/В(с жизни ая ой зоны, носителей диэлектриче эВ заряда, с ская проницаемос ть электроно Дырок электрона дырки в m /me mp/me 1,42-8 0,85-8 0,04-8 0,067-8 0,082-8 10-8 13,1-8 2. Анализ исходных данных 1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: а=1017м -3, д=1019м -3 3. Температура ( ) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована) 4. – подвижность электронов и дырок 6. – эффективная масса электрона и дырки 7. – относительная диэлектрическая проницаемость 3. Расчет физических параметров p- и - областей а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация (рис. 1) (рис. 2) (рис. 1) (рис. 2) г) концентрации основных и неосновных носителей заряда д) удельные электропроводности p- и - областей е) коэффициенты диффузий электронов и дырок ж) диффузионные длины электронов и дырок 4. Расчет параметров p- перехода a) величина равновесного потенциального барьера в) ширина ОПЗ (переход несимметричный г) барьерная ёмкость при нулевом смещении – общий вид функции для построения ВФХ ж) график ВАХ – общий вид функции для построения ВАХ Ветвь обратного теплового тока (масштаб) Ветвь прямого тока (масштаб) Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам: - величина равновесного потенциального барьера (, что соответствует условию >0,7эВ - барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ ) - значение обратного теплового тока () равно 1,92(10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА ) Литература: 1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» 2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники.
Москва, «Советское радио», 1971 г. ----------------------- EgXEiEcEvEFEgEFEiEcEvX
Нас интересует режим с 16-битными пикселями, поэтому при использовании другой глубины мы активизируем режим 640×480 с текущей глубиной, вызывая функцию SetDisplayMode() интерфейса DirectDraw. Затем можно переходить к поиску нужного режима в традиционном цикле. Другой выход — просто воспользоваться той глубиной пикселей, которая в данный момент установлена в Windows. Этот вариант не подойдет в тех случаях, когда работа программы зависит от определенных параметров видеорежима, но неплохо работает, если приложение поддерживает видеорежимы с различными глубинами пикселей. В частности, он встречается в программе Switch (см. главу 4), разработанной специально для поддержки любого режима. Функция SelectInitialDisplayMode() в программе Switch выглядит так: int SwitchWin::SelectInitialDisplayMode() { DWORD curdepth=GetDisplayDepth(); int i, nummodes=GetNumDisplayModes(); DWORD w,h,d; // Искать режим 640x480 с текущей глубиной пикселей for (i=0;i<nummodes;i++) { GetDisplayModeDimensions(i, w, h, d); if (w==640 && h==480 && d==curdepth) return i; } return 0; } Эта функция ищет режим 640×480 с текущей глубиной пикселей
1. Работа банка АО "Банк ТуранАлем" в условиях перехода к рыночным отношениям
2. Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)
3. Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
4. Полупроводники, р-n переход
5. Определение параметров детонации заряда ВВ
9. Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2
10. Определение основных параметров технологии плавки IF-стали в конвертере с верхней подачей дутья
11. Определение энергосиловых параметров
12. Расчет параметров резания автогрейдера и определение параметров виброплиты
13. Определение основных параметров тепловоза ТЭ-116
14. Разработка технологии работы промышленной сортировочной станции и расчёт основных ее параметров
15. Параметры цепи, определение напряжения
16. Определение параметров косинусного излучателя
17. Определение температуры фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик
19. Обзор методов и способов измерения физико-механических параметров рыбы
20. Изменения, произошедшие в финансовой системе России, в переходе к рыночной экономике
21. Финансовый контроль в период перехода к рынку
25. Синтаксический распознаватель арифметического оператора условного перехода языка FORTRAN
26. Изучение взаимно влияющих друг на друга математических параметров
27. Оценивание параметров и проверка гипотез о нормальном распределении (WinWord, Excel)
28. Морфофункциональная характеристика места перехода пищевода в желудок
29. Переход к рыночной экономике в России и задачи ОВД
30. Измерение параметров лазеров
32. Разработка схемы автоматического регулирования и контроля параметров управления методической печи
33. Обзор методов и способов измерения физико-механических параметров рыбы
35. Контроль динамических параметров ЦАП
37. Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
46. Инвестиционная политика России при переходе к рыночной экономике: проблемы и перспективы
47. Переход России к рыночной экономике в опыте мирового контекста
48. Оплата труда и материальное стимулирование при переходе к рынку
49. Упразднение ВЧК и переход к ГПУ
50. Оптимизация. Качество. Эффективность: параметры реформирования Вооруженных Сил России
51. Параметры социолингвистики
52. Оценивание параметров и проверка гипотез о нормальном распределении
53. Решение некоторых уравнений и неравенств с параметром
57. К вопросу о количественно-качественных переходах
58. Некоторые аспекты оптимизации параметров ядерного топлива для ВВЭР
59. СО2 лазеры с внутрирезонаторным электронным управлением параметрами излучения
60. Подготовка судна к безопасному плаванию и промыслу (по маршруту перехода порт Керчь – промрайон ЮВА)
61. Параметры христианской политики
62. Переход к терапии атипичными антипсихотическими средствами
63. Моделирование дискретной случайной величины и исследование ее параметров
64. Социальная работа с гражданами без определенного места жительства
65. Выбор материала и расчет параметров обделок вертикальных стволов метрополитенов
66. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем
67. Электронно-дырочный переход
68. Параметры телосложения студентов тульского региона
69. Физический смысл сингулярности и скрытых параметров
73. Деятельность предприятий в условиях перехода к рыночной экономике (конспект лекций)
74. Развитие малого бизнеса в России и его роль в переходе экономики страны к рынку
75. Переход с упрощенной системы
76. Вычисление основных параметров денежных потоков
77. Изменение форм собственности в РФ при переходе к рынку
78. Переход от тоталитарной к социально-ориентированной рыночной экономике.
79. Проблемы перехода учреждений уголовно-исполнительной системы в ведение Министерства юстиции РФ
80. Арбитражный процессуальный кодекс Российской Федерации от 5 мая 1995 г. N 70-Ф3
81. Нормализация параметров микроклимата
83. Строение и свойства координационных соединений меди(II) с некоторыми О, N – содержащими лигандами
84. Проблемы реформирования системы оплаты труда в условиях перехода к рыночной экономике
85. Распределение гидрогеодинамических параметров
89. Влияние технологических добавок для офсетных красок на параметры отпечатка
90. Автоматизация расчета начислений заработной платы в строительном управлении N 151
92. Переяславские соглашения 1654 г.: договор равных или переход в подданство?
93. Методы решения уравнений, содержащих параметр
94. Графическое решение уравнений, неравенств, систем с параметром
95. Принципы построения преобразователя параметров импеданса с интеллектуальными возможностями
96. Философские аспекты взаимной дополнительности гравитермодинамических параметров
97. Геоэкологический мониторинг: исследование контролируемых параметров особо охраняемых территорий
98. Лингвориторические параметры советского официального дискурса периода Великой отечественной войны
99. Проявление солнечной активности в геофизических параметрах