|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Основные виды и причины брака при нанесении слоя фоторезиста |
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый. 
Фонарь желаний бумажный, оранжевый. 
Карабин, 6x60 мм. БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ кафедра ЭТТРЕФЕРАТ на тему: &quo ;Основные виды и причины брака при нанесении слоя фоторезиста&quo ;МИНСК, 2008 При нанесении слоя фоторезиста могут появиться различные виды брака. Плохая адгезия фоторезиста к подложке вызывает при последующем травлении растравливание и искажение рисунков элементов. Причиной плохой адгезии является некачественная подготовка поверхности подложек. Локальные неоднородности рельефа слоя фоторезиста, имеющие вид капелек, обусловлены попаданием пылинок на подложки или присутствием посторонних частиц в фоторезисте. Микродефекты (проколы) слоя фоторезиста связаны с теми же причинам, что и локальные неоднородности рельефа. Неоднородности рельефа слоя фоторезиста в виде радиаль-но расходящихся длинных лучей вызываются нарушением режима центрифугирования в процессе нанесения слоя (вибрацией столика при вращении). Неоднородность толщины слоя фоторезиста на подложках и разброс ее на разных подложках являются результатами перекоса столика, уменьшения частоты его вращения и увеличения времени разгона центрифуги. Отклонение толщины слоя фоторезиста от заданной может быть также связано с изменением вязкости фоторезиста. Точность полученного в процессе фотолитографии топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса совмещения. Передача изображения с фотошаблона на подложку должна выполняться с точностью до десятых долей минимального размера элемента, что обычно составляет 0,1 - 0,5 мкм. Поэтому процессы совмещения и экспонирования проводят на одном рабочем месте одновременно на одной установке, не допуская даже малой вибрации фотошаблона и подложки. Совмещение и экспонирование являются наиболее ответственными операциями процесса фотолитографии. Перед экспонированием слоя фоторезиста фотошаблон следует правильно сориентировать относительно подложки у рисунка предыдущего слоя. Для полного формирования струю туры полупроводникового прибора или ИМС необходим комплект фотошаблонов со строго согласованными топологическими рисунками элементов. При первой фотолитографии, когда поверхность подложек еще однородна, фотошаблон ориентируют относительно базового среза подложки. При последующих фотолитографиях, когда на подложках сформированы топологические слои, рисунок фотошаблона ориентируют относительно рисунка предыдущего слоя. Совмещают рисунки фотошаблона и подложки в два эта па. На первом этапе с помощью реперных модулей - &quo ;пустых кристаллов&quo ; выполняют грубое совмещение в пределах всего поля подложки. На втором этапе с помощью микроскопа в пределах единичного модуля по специальным знакам - фигурам совмещения, предусмотренным в рисунке каждого топологического слоя, выполняют точное совмещение. Форму фигур совмещения (кресты, круги, квадраты) выбирают в зависимости от типа используемого при фотолитографии фоторезиста (Рисунок 1, а - в). Рисунок 1 Фигуры совмещения на фотошаблонах (I) и подложках после второй (II) и четвертой (III) фотолитографии: а - концентрические окружности, б - вложенные квадраты, в - биссекторные знаки Сложность операции совмещения состоит в том, что приходится с высокой точностью совмещать элементы малых размеров на большой площади.
Для этого увеличение микроскопа должно быть не менее 200 раз. Современные установки обеспечивают точность совмещения 0,25 - 1 мкм. Точность совмещения последовательных рисунков зависит от следующих факторов: точности совмещения фотошаблонов в комплекте; точности воспроизведения форм и размеров элементов рисунков в процессе фотолитографии; качества подложек и слоев фоторезиста; совершенства механизма совмещения установки; разрешающей способности микроскопа; соблюдения температурного режима. Существует два метода совмещения фотошаблонов с подложками: визуальный, при котором, выполняя совмещение, наблюдают за контрольными отметками в микроскоп; при этом точность совмещения составляет 0,25 - 1 мкм и зависит от возможностей установки; автоматизированный фотоэлектрический с помощью фотоэлектронного микроскопа, обеспечивающий точность совмещения 0,1 - 0,3 мкм. При контактной фотолитографии операцию совмещения выполняют с помощью специального механизма совмещения микроизображений (Рисунок 2), основными элементами которого являются предметный шаровой столик 1 со сферическим основанием - гнездом 2, рамка 16 для закрепления фотошаблона 15 и устройство перемещения рамки и поворота предметного столика. Предварительно подложку размещают на предметном столике так, чтобы слой фоторезиста был сверху, и закрепляют фотошаблон в подвижной рамке над поверхностью подложки 14. Между подложкой и фотошаблоном должен быть зазор для свободного перемещения рамки. Для совмещения рисунков на фотошаблоне и подложке передвигают рамку с фотошаблоном в двух взаимно перпендикулярных направлениях в плоскости подложки и поворачивают предметный столик с подложкой вокруг вертикальной оси. Современные установки совмещения и экспонирования представляют собой сложные оптико-механические комплексы. Точность совмещения и производительность зависят от выбранного метода совмещения - визуального или фотоэлектрического. В отечественных установках контактного совмещения и экспонирования (ЭМ-576, ЭМ-5006) используется принцип контактной печати с наложением фотошаблона на подложку. При идеальной плоскостности фотошаблона и подложки передача изображения осуществляется с минимальными искажениями при большой производительности. После выполнения совмещения (Рисунок 3, а) подложку прижимают к фотошаблону и экспонируют слой фоторезиста (Рисунок 3, б). Основной целью экспонирования является высокоточное воспроизведение слоем фоторезиста всех элементов топологии полупроводниковых приборов или ИМС. Правильность экспонирования влияет на качество переноса изображения с фотошаблона на слой фоторезиста. Рисунок 2. Механизм совмещения микроизображений фотошаблона и подложки при контактной фотолитографии: 1,2 - предметный столик и его гнездо, 3 - направляющие, 4 - микрозазор, 5 - штифт, 6 - регулировочный винт, 7, 10 - диафрагмы, 8, 11 - камеры, 9 - фиксатор, 12, 13 - трубопроводы, 14 - подложка, 15 - фотошаблон, 16 - рамка Процесс экспонирования зависит от качества фотошаблона, свойств фоторезиста и подложки, оптических явлений, происходящих в системе подложка - фотошаблон и точности их совмещения.
При контактном экспонировании ультрафиолетовое излучение проходит через фотошаблон и попадает на слой фоторёзиста. Следовательно, передача элементов рисунка на слое фоторезиста зависит от оптической плотности темных и светлых участков рисунка фотошаблона, резкости и ровности их краев и коэффициента отражения металлизированного слоя фотошаблона. Рисунок 3. Схемы совмещения (а) и экспонирования (б): 1 - предметный столик, 2 - подложка, 3 - слой фоторезиста, 4 - фотошаблон, 5 - микроскоп, 6 - затвор, 7 - конденсор, 8 - источник света; z - зазор между фотошаблоном и подложкой. Важной частью установки совмещения и экспонирования является микроскоп. Отечественные установки оснащены двупольным микроскопом с увеличением до 300 раз, в который одновременно можно наблюдать изображение двух модулей в разных точках подложки. Этот микроскоп позволяет плавно изменять увеличение сменой объективов. Как уже отмечалось, совмещение и экспонирование выполняют на одной установке (Рисунок 4), при этом подложка 9 с помощью подающей кассеты 1 перемещается по конвейеру 2 в устройство совмещения 3, где точно ориентируется относительно фотошаблона 4 при наблюдении в микроскоп 5. После совмещения микроскоп автоматически отводится в сторону, на его место устанавливается осветитель 6 и проводится экспонирование. Затем подложка подается в приемную кассету 8 и по конвейеру 7 перемещается на операцию проявления. Осветитель состоит из источника света, оптического устройства для создания равномерного светового потока и затвора-дозатора актиничного излучения. Рисунок 4. Установка совмещения и контактного экспонирования: 1, 8 - подающая и приемная кассеты, 2, 7 - конвейеры, 3 - устройство совмещения, 4 - фотошаблон, 5 - микроскоп, 6 - осветитель, 9 - подложки В качестве источника света обычно применяют ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРШ-350 или ДРШ-500, создающую мощный световой поток. Излучение такой лампы лежит в основном в ультрафиолетовой области спектра (330 - 440 нм). Оптическое устройство создает поток параллельных лучей, равномерно освещающих подложку. Разброс освещенности в пределах рабочего поля подложки не должен превышать 5%. ' При работе на установке необходимо принимать меры по защите глаз от прямого попадания ультрафиолетового излучения. Система затвор-дозатор обеспечивает точность дозы при экспонировании не хуже 5%. Режимы проявления слоя фоторезиста зависят от времени экспонирования. Необходимую экспозицию устанавливают, учитывая тип и светочувствительность фоторезиста, а также толщину его слоя. Оптимальную дозу излучения, обеспечивающую наилучшую четкость изображения, получаемого после проявления, определяют экспериментально. Качество изображения оценивают визуально по наиболее мелким элементам топологии или специальным контрольным знакам-элементам, предусмотренным в нем. Поскольку зазор между шаблоном и подложкой, а также освещенность распределены по рабочему полю неравномерно и носят случайный характер, качество изображения контролируют на разных участках подложки. Наличие зазора между фотошаблоном и подложкой вызывает дифракционные явления, что приводит к искажению формы и размеров элементов и обусловлено проникновением света в область геометрической тени.
По крайней мере таком, который бы обеспечивал устойчивость и развитие цивилизации. Двухпиковое распределение интеллекта здесь, разумеется, будет сохранено, причем разрыв между пиками со временем начнет увеличиваться однако уже не за счет деградации культуры «морлоков», которая будет надежно законсервирована, а за счет ускоренного развития культуры «элоев». «Морлоки» же превратятся в обычных людей, живущих обычной жизнью, практически не соприкасающейся с чуждой им «сверхкультурой». Не следует считать данный прогноз чистой воды схоластикой. Транснациональные элиты в том или ином виде существовали во многих эпохах. Уже в Древнем мире образовалась тенденция к заключению браков в слое племенной знати, вождей и правителей эти родственные отношения и определяли в значительной мере принципы тогдашней геополитики. Аналогичное явление наблюдалось в Средневековье, когда Европой, фактически, управляла родственная между собой англо-франко-скандинаво-немецкая наследственная элита. Конфликты внутри такой элиты были в основном конфликтами внутри единой «семьи» и, как правило, не выражали интересы более низких сословий
1. Основные виды налогов в системе налогового законодательства РФ
4. Электрические приемники: классификация, основные виды
9. Характеристика основных видов речи
10. Два основных вида социоисторических организмов
11. Загрязнение атмосферного воздуха вредными веществами
12. Вредные вещества, воздействие и нормирование
13. Основные виды внешнеэкономических сделок
14. Мировые цены и их основные виды
15. Метод АВИ в математической теории переноса вредных веществ в гетерогенных средах
16. Воздействие и нормирование вредных веществ
Наклейки на стену "Космос", светящиеся в темноте (62 штуки). 
Овощечистка "Mayer & Boch". 
Автомобиль со звуковым сигналом "Джип-каталка", красный. 17. Основні види ризику в операціях із використанням іноземної валюти
19. Защита от влияния вредных веществ на производстве
20. Производительность труда на производстве основных видов продукции
25. Основные виды телефонной связи
26. Устная публичная речь: понятие, особенности, основные виды аргументов. Оратор и его аудитория
27. Основные виды и содержание консультационных отчетов
28. Трудовые ресурсы и производительность труда на производстве основных видов продукции животноводства
29. Гра як основний вид діяльності дітей дошкільного віку
30. Основные виды выпускаемой продукции ведущими предприятиями Кузбасса
31. Основні види діяльності (гра, навчання, праця) на різних вікових етапах
32. Основные виды человеческой деятельности
Шары Ньютона "Эврика", металл (арт. 98085). 
Пленка воздушно-пузырчатая 2-х слойная, плотность 75 г/кв.м. 
Копилка-сейф пластиковая большая, красная. 33. Психолого-педагогический эксперимент, его сущность и основные виды
34. Основные виды поверхностей
35. Легкая атлетика. Основные виды легкой атлетики
36. Специфика основных видов налогов
37. Газоанализаторы вредных веществ в воздухе рабочей зоны
41. Основные вредные и опасные производственные факторы
43. Влияние на человека опасных вредных факторов производственной среды
44. Расчет основных технико-экономических показателей деятельности производственного участка
45. Семья и брак в трех основных религиях
47. Основные экономические элементы и показатели функционирования производственных предприятий (фирм)
48. Основные производственные средства дороги
Сковорода чугунная с деревянной ручкой 2505/25, 25 см. 
Альбом для пастели "Pastel", А2, 20 листов. 
Бутылочка для кормления "Avent" Natural (260 мл). 50. Страхование основных производственных фондов предпринимательских фирм
51. Основные понятия и категории экономической теории, их место в системе производственных отношений
52. Воспроизводство основных производственных фондов
53. Основные производственные фонды
57. Производственный травматизм и профессиональные заболевания: основные понятия и определения
58. Исследование и развитие новых видов водонасыщенных коммерческих взрывчатых веществ
59. Имущественное страхование: понятие, виды и основные условия
60. Понятие инфляции, ее виды и основные причины
61. Воздействие вредных производственных факторов на человека
63. Многообразие видов на Земле. Функции живого вещества планеты
Мебель для кукол "Столовая Конфетти". 
Кольцедержатель "Дерево с оленем", большой, белый. 
Подставка для колец "Лебедь", 10 см, арт. 62240. 65. Обеспеченность и эффективность использования основных производственных фондов ОАО "Лугансктепловоз"
66. Анализ состава и технического состояния основных производственных фондов предприятия
67. Понятие, основные принципы и виды государственной службы
68. Основные приемы поиска материала и виды вспомогательных материалов
69. Основные этапы развития фармацевтической химии и предпосылки создания новых лекарственных веществ
73. Основні організаційні форми та види туризму
74. Инвестиции в основные производственные фонды и другие внеоборотные активы организации
76. Анализ использования основных производственных фондов предприятия
77. Анализ эффективности использования основных производственных фондов
78. Анализ эффективности использования основных средств на примере ООО "Производственная фирма "Прайд"
80. Оплата труда основных производственных рабочих
Маркеры-кисти "Zendoodle. Edding 1340", 10 штук. 
Дневник школьный "Голубой щенок". 
Бумага для офисной техники "IQ Selection", А4, 160 г/м2, 167% CIE, 250 листов. 82. Основные показатели деятельности производственного участка
83. Основные производственные фонды
84. Основные производственные фонды. Их сущность, состав и структура
89. Анализ состояния основных производственных фондов предприятия ООО "Северстройинвест"
90. Анализ основных производственных фондов
91. Разработка основных разделов проекта производства работ
92. Основные этапы развития и конструктивной эволюции техники в области самолетостроения
93. Размеры звезд. Плотность их веществ
95. Виды попугаев
96. Серое и белое вещество головного мозга
Крышка силиконовая "Невыкипайка", 29 см (арт. TK 0081). 
Автокресло Еду-еду "KS-513 Lux" с вкладышем (цвет: черный/серый, 9-36 кг). 
Швабра "МОП" с отжимной ручкой, 118 см. 98. Отравляющие вещества раздражающего действия
99. Виды стихийных бедствий и методы борьбы с ними
