Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте www.za4et.net.ru

Радиоэлектроника Радиоэлектроника

Технологические основы электроники

Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
19 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения
Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
44 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков

1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС. Обратную сторону шлифуют, удаляя монокристаллический слой до вскрытия окиси кремния по границам областей, и производят доводку (для удаления нарушенного слоя). После протравливания и отмывки поверхности ее окисляют. Далее в образовавшихся изолированных областях монокристаллического кремния -типа диффузионным методом формируют элементы (базовые области, резисторы, эмиттеры, области под контакты). Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная пластина содержит эпитаксиальный -слой, то транзисторы получаются со скрытым слоем. 2. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной структуры без скрытого слоя. Чтобы получить простейшую эпитаксиально-планарную структуру, в качестве исходной заготовки используют монокристаллическую пластину кремния, равномерно легированную акцепторной примесью. Для нанесения эпитаксиального слоя на одну из сторон пластины ее освобождают от окисла и тщательно очищают (рис.2), после чего проводят осаждение монокристаллического слоя кремния -типа. Далее поверхность пластины окисляют и методом фотолитографии вскрывают окна в виде узких замкнутых дорожек, соответствующих контуру коллекторных и изолирующих областей ПМС. Проводя через окна диффузию акцепторной примеси до смыкания ее с р-областью, получают таким образом изолированные друг от друга островки равномерно легированного эпитаксиального -кремния. Рассмотренный процесс диффузии называют изолирующей или разделительной диффузией. В полученной на данной стадии заготовке (рис. 2,д) в дальнейшем формируют базовые и эмиттерные области (диффузионным методом), а также контакты и межсоединения. 3. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре На рис. 3, представлена изопланарная структура транзистора, в которой донная часть 2 коллектораизолирована от монокристаллической пластины р- -переходом, а боковая 1— толстым слоем окисла, полученным сквозным локальным окислением эпитаксиального слоя.

Начальные стадии процесса получения изопланарной структуры следующие (рис. 3). На поверхность пластины, содержащей эпитаксиальные - и -слои, осаждают (из газовой фазы) слой нитрида кремния Si3 4. Методом фотолитографии в этом слое образуют защитную маску с окнами по контуру коллекторных областей. В процессе окисления нитридная маска сохраняется. Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют. Далее проводят диффузию для формирования базы и эмиттера, формируют контактные окна и межсоединения. 4. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры Полная изоляция МДП-транзисторов обеспечивается при формировании их в виде островков на монокристаллической изолирующей пластине. В качестве изолирующей пластины обычно используют синтетический сапфир, имеющий достаточно хорошее кристаллографическое сопряжение с кремнием. Поэтому эти структуры получили название структур «кремний на сапфире» или сокращенно КНС. Эпитаксиально выращенный на сапфире кремний имеет высокую плотность структурных нарушений (дислокации), что заметно снижает подвижность носителей заряда. Вследствие этого структуры на биполярных транзисторах оказались не эффективными и наиболее широкое применение нашли МДП-КНС-структуры, особенно КМПД-КНС-структуры. В отличие от структур, изолированных р- -переходом, когда используется высокоомная (слаболегированная) пластина, структуры на изолирующей пластине устойчивы к температурным и радиационным воздействиям. В процессе формирования КМДП-КНС-структуры (рис. 4) методом эпитаксиального наращивания (процесс гетероэпитаксии) создают сплошной слой высокоомного п-Si. После маскирования окисью кремния и анизотропного травления получают отдельные изолированные островки п-Si. Проведя повторное маскирование окисью кремния, методом диффузии часть островков легируют акцепторной примесью на всю глубину, превращая их в островки р- Si. Предварительно защитив маской из окиси кремния участки будущих каналов, избирательно покрывают р-островки фосфоро-силикатным(SiO2.P2O5), а -островки — боросиликатным (SiO2.B2O3) стеклами. Последующим нагревом диффундируют до-норную (Р) и акцепторную (В) примеси из легированных стекол в области стоков и истоков. В дальнейшем стекло и участки SiO2 стравливают, наносят слой окиси кремния, вытравливают участки окисла под затвор, выращивают тонкий слой диэлектрика и формируют затворы, а также межсоединения. Гетероэпитаксиальные слои, полученные в таких структурах, имеют небольшую толщину (~1 мкм), что обусловлено относительным несовершенством кристаллической структуры, выращиваемой на сапфире: с увеличением толщины пленки плотность дислокации увеличивается. МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры.

5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения. При облучении монокристаллической мишени ионами в направлениях, отличающихся от основных, профиль распределения внедренных атомов описывается нормальным законом распределения (рис. 5): В монокристаллах можно выделить направления, вдоль которых имеются периодически расположенные атомные цепочки и свободные от атомов каналы. При облучении мишени в таких направлениях наблюдаются аномально большие пробеги ионов, так как большая их часть проникает в глубь решетки по каналам, испытывая относительно слабое торможение. В кремнии эффект каналирования ионов наблюдается в направлениях , и . Наименьшая плотность атомов имеет место в плоскостях {110} (рис. 6), наибольшая — в {111}. Соответственно средняя длина пробега ионов в направлениях вдвое больше, чем в направлениях . Рис. 6 Проекция структуры Si на плоскость (110) При каналировании потери энергии ионов происходят в основном за счет взаимодействия с электронами. Ядерное торможение в канале возможно только при столкновении ионов с атомами полупроводника и примеси, расположенными в междоузлиях. Часть ионов испытывает раннее торможение вблизи поверхности кристалла из-за столкновений с атомами кристаллической решетки. По мере облучения мишени плотность дефектов в приповерхностном слое возрастает (каналы перекрываются атомами, смещенными в область канала) и эффект каналирования исчезает. Характер распределения примесей, отвечающий описанным явлениям, показан на рис. 7. При больших дозах облучения в распределении примеси имеется два максимума. Рис. 7 Распределение примеси при каналировании ионов: 1 — при умеренных дозах легирования; 2 — при больших дозах легирования 7. Какой минимальный размер элементов можно получить при рентгеновской литографии? Чем ограничена разрешающая способность? При помощи рентгеновской литографии можно достичь разрешения до 0,05 мкм. В отличие от фотолитографии, где экспонирование производится широкими коллимированными световыми пучками, рентгенолитография не располагает соответствующей «оптикой» и экспонирование на рентгеновских установках приходится выполнять в пучках с большим углом расходимости. При наличии зазора между шаблоном и подложкой это приводит к искажению размеров и смещению элементов рисунка, передаваемого в слой резиста. Максимальное смещение элемента возникает на периферии пластины и равно , параметры на рис.

По той же причине нет условий для роста фундаменталистских идей и настроений в современных аравийских монархиях, при всем том, что здесь позиции ислама как такового крепки, как, может быть, нигде. Достаточно напомнить, что Саудовская Аравия с ее Меккой признанный центр ислама, цель хаджа. Но при всем том и в Аравии, и в соседних с ней эмиратах высочайший современный технический и цивилизационный, капиталистический в своей технологической основе стандарт гармонично сочетается с ненарушенным привычным исламским, подчас исламо-бедуинским образом жизни. Для такого рода гармонии нужны были большие деньги эти деньги появились и сыграли свою благотворную позитивную роль, прежде всего в том смысле, что сняли внутреннюю социально-политическую, экономическую и любую иную напряженность, рождаемую обычно нехватками и жизненными невзгодами. Разумеется, эти рассуждения не абсолютны. Им можно противопоставить, например, ситуацию в Ливии, где все перечисленные факторы вроде бы действуют или, точнее, могли бы действовать так же, как в аравийских монархиях, но где тем не менее усилиями Каддафи все перевернуто с ног на голову и в результате для исламского фундаментализма созданы все условия. Спорить тут не с чем

1. Технологические основы электроники

2. Технологические основы машиностроения (лекции)

3. Основы электроники

4. Технологические основы процесса сварки металлов и сплавов (её классификация, прогрессивные способы сварки)

5. Основы электроники

6. Электротехника с основами электроники
7. Системы технологий электроники и приборостроения. Основные технологические процессы, используемые на предприятиях комплекса
8. Основы моделирования технологических систем

9. Политические основы технологической подготовки школьников

10. Основы технологического производства и ремонта машин

11. Исследование и разработка технологических основ получения материалов на основе системы Ca-I-Cu-O по методу электрохимического внедрения

12. Штукатурные работы с основами охраны труда

13. Экологические основы устойчивости растений

14. Альбом схем по основам теории радиоэлектронной борьбы

15. Философские основы кибернетики и методология ее применения в военном деле

16. Гамма – каротаж. Физические основы метода

Этикетки для одежды "Living", 4 формата.
У маленьких детей всегда так много маленьких вещей – курточки, носочки, штанишки, шапочки… И так просто что-нибудь перепутать в яслях,
364 руб
Раздел: Бейджи, держатели, этикетки
Набор цветных карандашей Trio, 12 цветов, утолщенные.
Набор цветных карандашей 12 цветов. Трехгранная форма карандаша предотвращает усталость детской руки при рисовании и позволяет привить
482 руб
Раздел: 7-12 цветов
Комплект детского постельного белья "Трансформеры".
Маленькие поклонники сериала «Трансформеры» будут рады получить в свое распоряжение одноименный комплект. Это неудивительно, ведь так
1498 руб
Раздел: Детское, подростковое

17. Межбанковские отношения на основе использования высоких технологий интербанковских телекоммуникаций

18. Правовые основы валютного регулирования и валютного контроля в Российской Федерации

19. Финансовые и правовые основы полного товарищества

20. Правовые основы наследования в Российской Федерации

21. Сравнительная характеристика рабовладельческих государств на основе источников

22. Основы полномочия парламента
23. Правовая основа СНГ
24. Основы общественно правового устройства РФ по Конституции 1993 года (TXT)

25. Субъекты РФ: конституционная характеристика, типология и основы организации

26. Конституционно – правовые основы религиозного и религиоведческого образования в РФ

27. Законодательные основы борьбы с международным терроризмом

28. Местное самоуправление как основа конституционного строя РФ

29. Финансовые основы местного самоуправления

30. Финансово-экономическая основа местного самоуправления в Российской Федерации

31. Правовые основы гражданской обороны

32. Понятие, назначение и правовая основа паспортной системы Российской Федерации

Доска магнитно-маркерная, 120х90 см.
Доска имеет магнитную поверхность. Алюминиевая рамка соединяется пластиковыми уголками, имеет регулируемые элементы крепления,
3010 руб
Раздел: Доски магнитно-маркерные
Фигурка декоративная, музыкальная "Лошадка", 22x7x21 см.
Лошадка-качалка декоративная, музыкальная, с функцией движения и раскачивания, с механическим заводом. Размер: 22x7x21 см. Материал: полистоун.
857 руб
Раздел: Миниатюры
Трикотажная пеленка кокон "Bambola" (цвет: бежевый).
Состав: интерлок, хлопок 100%. Возраст: 0-3 месяца.
381 руб
Раздел: Пелёнки

33. Правовые и нормативные основы труда

34. Основы права (вопросы к зачету)

35. Комментарии к основам законодательства Российской Федерации об охране труда

36. Организационно-правовые основы деятельности правоохранительных органов в области природопользования и охраны окружающей среды. Экологическая ответственность (Контрольная)

37. Режиссура "Кадр - основа аудиовизуального языка"

38. Основы социокультурного проектирования
39. Природа зла в человеке (на основе произведений писателей XIX века)
40. Семантическое поле страха на основе произведения Стивена Кинга "Цикл оборотня"

41. Граф А. А. Аракчеев. Современный взгляд на личность на основе анализа и сравнительной характеристики исторических источников и литературы

42. Раскол православия. Никонианство, как духовная основа прозападных преобразований в России

43. История технологического образования в России

44. Информационные технологии в экономике. Основы сетевых информационных технологий

45. Основы информационных технологий

46. Основы построения сетей

47. ПК на основе процессора INTEL 80286

48. Платежная система на основе смарт-карт

Кружка фарфоровая "FIFA 2018. Забивака. Удар!", 400 мл.
Объем: 400 мл. Материал: фарфор.
358 руб
Раздел: Кружки, посуда
Шампунь-гель детский "Weleda" для волос и тела (с календулой), 200 мл.
Бережно очищает и ухаживает за чувствительной кожей и волосами малышей, деликатно удаляет молочные корочки. Не вызывает раздражения
754 руб
Раздел: Гели, мыло
Развивающая настольная игра "Игротека 5+" (настольные игры "Турбосчет", "Зверобуквы",.
Это идеальная подборка для малышей-дошкольников. На скорость и на подумать. Благодаря увлекательным играм ребенок освоит: порядковый счет,
2048 руб
Раздел: Математика, цифры, счет

49. Разработка АРМ на основе персонального компьютера для дома

50. Курсовая работа по основам программирования. Игра "Паровоз"

51. Учебник по основам PHP

52. Основы ПЭВМ

53. Разработка цикла лабораторных работ по основам работы в WINDOWS 2000

54. Основы автоматики и управления
55. Лабораторная работа №5 по "Основам теории систем" (Транспортные задачи линейного программирования)
56. Лабораторная работа №3 по "Основам теории систем" (Теория двойственности в задачах линейного программирования)

57. Лабораторная работа №6 по "Основам теории систем" (Решение задачи о ранце методом ветвей и границ)

58. Организационный инструментарий управления проектами (сетевые матрицы, матрица разделения административных задач управления, информационно-технологическая модель)

59. Основы теории систем и системный анализ

60. Исследование регрессии на основе численных данных

61. Физические и химические основы явлений наследственности

62. Гигиенические основы питания, как источник здоровья и нормального физического развития детей

63. Основы управления в ОВД

64. Зоотехнические основы воспроизводства стада

Карандаши цветные "Triangle", 12 цветов.
В наборе: 12 цветов. Ударопрочный грифель. Пластиковый корпус треугольной формы. Заточенный наконечник. Диаметр корпуса: 10 мм. Длина: 140
357 руб
Раздел: 7-12 цветов
Корзина "Плетенка" с крышкой, 35х29х22,5 см (белая).
Материал: пластик. Ширина: 29 см. Длина: 35 см. Высота: 22,5 см. Цвет: белый.
370 руб
Раздел: Корзины для стеллажей
Зонт на коляску Lorelli, цвет: зелёный.
Универсальный зонт для коляски. Защитит малыша во время продолжительных прогулок как от солнца, так и от внезапного дождика. Универсальное
425 руб
Раздел: Зонтики для колясок

65. Природные ресурсы - как основа функционирования мировой экономики

66. Лингвометодические основы изучения написания буквы ерь после шипящих в окончаниях существительных с учетом вариантов орфограмм

67. Методика проведения контроля знаний по курсу "Основы экономики"(Контроль знань з курсу "Основи економЁки")

68. Научные основы школьного курса химии. методика изучения растворов

69. Обучение аудированию на коммуникативной основе в 7, 8 классах общеобразовательной школы

70. Методические основы уровневой дифференциации при обучении алгебре в классах с углубленным изучением математики
71. Лингвистические основы обучения произношению английского языка в каракалпакской школе
72. Теоретические основы игры дошкольника

73. Отчет по товароведно-технологической практике на "Волгодонском Молочном Комбинате"

74. Основы политологии

75. Основы Политологии

76. Ответы на билеты к гос. экзамену по специальности "Безопасность технологических процессов и производств"

77. Стекло и строительные материалы на основе органических вяжущих

78. Разработка технологической схемы производства стали марки 35Г2 и определение основных технико-экономических показателей производства

79. Участок по изготовлению изделий из безвольфрамовых твердых сплавов на основе карбида титана

80. Технологические операции штамповки

Подарочный набор, 21x16x4 см, арт. 140304.
Материал: искусственная кожа. Правила ухода: избегать попадания влаги. Состав: кожзаменитель (PU), элементы металла. В наборе: бумажник,
355 руб
Раздел: Письменные наборы
Ночник с проектором "Звездочка".
В свете проектора, отраженном на потолке, малыш увидит милых персонажей, медленно плывущих по кругу. Это небольшое волшебное представление
725 руб
Раздел: Ночники
Машина-каталка "Авторалли", цвет: розовый.
Игрушка выполнена в интересном дизайне: внешне она очень напоминает автомобиль BMW, но оформлена в ярком розовом цвете. Толокар снабжен
1073 руб
Раздел: Каталки

81. Разработка технологического процесса ЕО автомобиля ЗИЛ-130

82. Типовой расчет по основам светотехники

83. Проектирование технологического процесса ремонта

84. Расчет конденсационной турбины мощностью 165МВт на основе турбины-прототипа К-160-130-2 ХТГЗ

85. Основы монтажа оборудования

86. Технологический процесс изготовления детали "Корпус"
87. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем
88. Отчет о технологической (винодельческой) (практике на винзаводе "Каченский", Крым)

89. Основы технологии приготовления пищи

90. Математическое моделирование технологических операций механической обработки поверхностей деталей лезвийными инструментами (Учебное пособите по курсу: математическое моделирование технологических операций-4834)

91. Разработка общего плана обработки детали "Втулка" с подробной разработкой технологических переходов для поверхности 028e8

92. Моделирование процессов функционирования технологических жидкостей в системе их применения

93. Комплексный дипломный проект: Проект участка по производству технологических приспособлений для электромеханического восстановления и укрепления поверхностного слоя деталей машин. Винтовые поверхности

94. Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу

95. Проектирование технологического процесса изготовления детали - крышка подшипниковая

96. Технологическая карта на монтаж сборных железобетонных ферм одноэтажного бескранового промышленного здания

Ящик для игрушек "Профи Kids", 15 л.
Ящик для игрушек "Профи Kids" имеет 6 разноцветных вкладышей, для хранения мелких деталей, игрушек, карандашей и
499 руб
Раздел: Корзины, контейнеры для игрушек
Тетрадь на резинке "Elements", А5, 120 листов, клетка, синяя.
Тетрадь общая на резинке. Формат: А5. Количество листов: 120, в клетку. Бумага: офсет. Цвет обложки: синий.
328 руб
Раздел: Прочие
Стул детский (цвет: сиреневый).
Стул детский устойчивый и удобный. Ребёнку будет комфортно сидеть на стуле как за столом, так и самостоятельно. Соответствует всем
362 руб
Раздел: Стульчики

97. Проектирование технологического процесса изготовления детали - Стабилизатор

98. Основы пайки

99. Основы промышленного рыболовства и технология рыбных продуктов

100. Разработка технологического процесса изготовления форм офсетной печати для книги "Агледзіны" на УП "Полиграфкомбинат им. Я.Коласа"


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.