|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Расчет параметров ступенчатого p-n перехода |
Горшок торфяной для цветов. 
Наклейки для поощрения "Смайлики 2". 
Фонарь желаний бумажный, оранжевый. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ Студент: Сенаторов Д.Г.группа 3–4 Тема: «Расчет параметров ступенчатого p- перехода» Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов ?k в p- -переходе. Исходные данные для расчета приведены в таблице №1. Таблица 1. Исходные данные. Наименование параметраЕдиницы измерения.Условное обозначениеЗначение в единицах системы СИ Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м-3 Э1,51025 Абсолютная величина результирующей примеси в базем-3 Б1,81022 Диэлектрическая постоянная воздухаФ/м?08,8510-12 Заряд электронаКлe1,610-19 Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводникаФ/м?16 Постоянная БольцманаДж/Кk1,3810-23 Равновесная концентрация дырок в -областим-3p 01010 Равновесная концентрация дырок в p-областим-3 p01,1109 Собственная концентрация носителей зарядам-3 i51014 Температура окружающей средыK 290 ОГЛАВЛЕНИЕ. ВВЕДЕНИЕ 4. ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6. 1.1 Понятие о p- переходе 6. 1.2 Структура p- перехода10. 1.3 Методы создания p- переходов15. 1.3.1 Точечные переходы15. 1.3.2 Сплавные переходы16. 1.3.3 Диффузионные переходы17. 1.3.4 Эпитаксиальные переходы18. 1.4 Энергетическая диаграмма p- перехода в равновесном состоянии20. 1.5 Токи через p- переход в равновесном состоянии23. 1.6 Методика расчета параметров p- перехода26. 1.7 Расчет параметров ступенчатого p- перехода29. ЧАСТЬ II. Расчет контактной разности потенциалов ?k в p- -переходе31. ЗАКЛЮЧЕНИЕ32. ПРИЛОЖЕНИЕ33. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ35. ВВЕДЕНИЕ. Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал–полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий1) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей 0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д. Второе обстоятельство заключается в том, что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом. Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ. Адсорбированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так, что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или, во всяком случае, существенно влияют на них. В случае контакта полупроводник–полупроводник, оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла, в котором половина легирована донорной примесью, другая половина – акцепторной. Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода, которые будут рассмотрены в данной курсовой работе. Кроме того, целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p- -перехода для ответа на основной вопрос данной работы: «Какова ширина p- -перехода?» при заданных исходных параметрах.
В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, введено понятие тонкой структуры. ЧАСТЬ I.ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. 1.1 Понятие о p- переходе. Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p- слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавными. В плавных p- -переходах изменение концентрации донорных ( d), и акцепторных ( a) примесных атомов происходит на расстоянии, сравнимом с шириной обеднённого слоя или превышающем её. В резких p- -переходах изменение концентрации примесных атомов от d до a происходит на расстоянии, меньшем ширины обеднённого слоя . Резкость границы играет существенную роль, т.к. в плавном p- -переходе трудно получить те вентильные свойства, которые необходимы для работы диодов и транзисторов . На рис. 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резком изменении типа проводимости. При плавном изменении типа проводимости (рис. 1.1.а) градиент концентрации2 результирующей примеси мал, соответственно малы и диффузионные токи3 электронов и дырок. Эти токи компенсируются дрейфовыми токами4, которые вызваны электрическим полем связанным с нарушением условия электрической нейтральности: a = p d,(1.1.1) где и p – концентрация электронов и дырок в полупроводнике: a, d – концентрация ионов акцепторной и донорной примесей. Рисунок 1.1 Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости: (а) плавное изменение типа проводимости; (б) резкое изменение типа проводимости. Для компенсации диффузионных токов достаточно незначительного нарушения нейтральности, и условие (1.1.1) можно считать приближенно выполненным. Условие электронейтральности свидетельствует о том, что в однородном полупроводнике независимо от характера и скорости образования носителей заряда в условиях как равновесной, так и не равновесной концентрации не могут иметь место существенные объемные заряды в течении времени, большего (3-5)? (?10-12 с), за исключением участков малой протяжённости: где ? – время диэлектрической релаксации; ?0 – диэлектрическая постоянная воздуха; ? – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; q – заряд носителя заряда (электрона); 0, p0 – равновесные концентрации электронов и дырок в полупроводнике; ? , ?p – подвижность электронов и дырок в полупроводнике. При резком изменении типа проводимости (рис. 1.1.б) диффузионные токи велики, и для их компенсации необходимо существенное нарушение электронейтральности (1.1.1). Изменение потенциала по глубине x полупроводника происходит по экспоненциальному закону: . Глубина проникновения электрического поля в полупроводник, Ld, называется дебаевской длиной и определяется из уравнения: , где - температурный потенциал. При этом электрическая нейтральность существенно нарушается, если на дебаевской длине изменение результирующей концентрации примеси велико.
Таким образом нейтральность нарушается при условии: (1.1.2) В состоянии термодинамического равновесия при отсутствии вырождения5 справедлив закон действующих масс: (1.1.3) При условии (1.1.3) правая часть (1.1.2) достигает минимума при поэтому условие существования перехода (условие существенного нарушения нейтральности) имеет вид: ,(1.1.4) где –дебаевская длина в собственном полупроводнике. Переходы, в которых изменение концентрации примеси на границе слоев p- и -типа могут считаться скачкообразными называются ступенчатыми. В плавных переходах градиент концентрации примеси конечен, но удовлетворяет неравенству(1.1.4). Практически ступенчатыми могут считаться p- -переходы, в которых изменение концентрации примеси существенно меняется на отрезке меньшем Ld. Такие переходы могут быть полученными путем сплавления, эпитаксии. По отношению к концентрации основных носителей в слоях p- и -типа переходы делятся на симметричные и несимметричные. Симметричные переходы имеют одинаковую концентрацию основных носителей в слоях (pp ? ). В несимметричных p- -переходах имеет место различная концентрация основных носителей в слоях (pp >> или >> pp), различающаяся в 100–1000 раз . 1.2 Структура p- -перехода. Наиболее просто поддаются анализу ступенчатые переходы. Структура ступенчатого перехода представлена на рис. 1.2. Практически все концентрации примесей в p- и -областях превышают собственную концентрацию носителей заряда i. Для определения будем полагать, что эмиттером является p–область, а базой –область. В большинстве практических случаев выполняется неравенство где и -результирующие концентрации примеси в эмиттере и базе. Рисунок 1.2 соответствует кремниевому переходу ( i ? 1010 см-3 ) при комнатной температуре (Т=290К) с концентрацией примеси ,. Рисунок 1.2 Распределение примеси и носителей заряда в ступенчатом P- переходе: (а)- полулогарифмический масштаб; (б)- линейный масштаб. В глубине эмиттера и базы концентрация основных носителей заряда практически совпадает с результирующей концентрацией примеси: pро = э, о= Б,(1.2.1) а концентрация не основных носителей определяется законом действующих масс: р0= i/pр0= i/ э(1.2.2.а) p 0= i/ 0= i/ Б(1.2.2.б) Индексы «p» и « » соответствуют p- и -областям, а индекс «0» соответствует состоянию термодинамического равновесия. Следует отметить, что концентрация не основных носителей в базе больше чем в эмиттере (а при э>> Б много больше). На рис. 1.2.а распределение примесей и носителей заряда представлено в полулогарифмическом масштабе. Переход занимает область –lр0 < x < l 0. Конечно границы перехода x=-lp0 и x=l 0 определены в некоторой степени условно, так как концентрация основных носителей изменяется плавно. Тем не менее, из рисунка видно, что уже на небольшом расстоянии от границ внутри перехода выполняется равенство:> P
Полученные в результате расчетов параметры бюджетирования налоговых обязательств имеют как самостоятельное значение, так и используются для планирования налоговых доходов (экономии на налогах) организации в составе ее налогового бюджета. 4.3. Способы оптимизации налогов с использованием методов налогового учета в налоговой политике организации Налоговая политика организации формируется руководителем предприятия на основе положений ведения налогового учета, отраженных в гл. 25 и других главах Налогового кодекса Российской Федерации. Налоговая политика организации это выбранная совокупность способов ведения налогового учета путем первичного наблюдения, стоимостного измерения, текущей группировки и итогового обобщения фактов хозяйственно-финансовой деятельности на основе применения принципов налогового учета. К способам ведения налогового учета относятся методы группировки и оценки фактов хозяйственно-финансовой жизни, списания стоимости активов, определения налогового учета реализации продукции, доходов и расходов, приемы организации документооборота, инвентаризации, системы учетных регистров, обработки информации и иные соответствующие способы, методы и приемы
1. Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)
2. Определение параметров p-n перехода
4. Гражданская Оборона. Расчет параметров ядерного взрыва
5. Выбор материала и расчет параметров обделок вертикальных столов метрополитенов
9. Расчет параметров коммутируемой телекоммуникационной сети
10. Расчет параметров радиотехнической системы
11. Расчет параметров электромагнитной волны в коаксиальном кабеле марки РК-50-3-11
12. Расчет параметров постоянно-поточной линии
13. Расчет параметров технологической операции и конструирование инструмента
14. Расчеты параметров БВР при проведении горизонтальной подземной выработки
15. Расчет параметров вентильного электропривода
16. Расчет параметров трансформатора
Багетная рама "Irma" (цвет: коричневый), 30x40 см. 
Глобус политический, d=21 см. 
Набор шариков, диаметр: 5 см, 100 штук. 17. Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами
19. Расчет первичных и вторичных параметров кабелей связи
20. Оценка, расчет и выбор конструктивных параметров двигателя
21. Расчет основных параметров и числа лифтов
25. Налоги с населения и их роль в условиях перехода к рынку
26. Переход к рыночной экономике в России и задачи ОВД
27. Аккредитивные формы расчетов
28. Правовое регулирование расчетов с использованием пластиковых карт
29. Учет расчетов с бюджетом по налогам
30. Организация страхования в Украине в условиях перехода к рынку
Карандаши металлик, трехгранные, 12 цветов. 
Рюкзак детский "Pixie Crew" с силиконовой панелью для картинок (розовый, цветной горох). 34. Типовые расчеты надежности систем на персональном компьютере
35. Синтаксический распознаватель арифметического оператора условного перехода языка FORTRAN
37. Программы для расчета на прочность совместимые с AutoCad
42. Расчет освещения рабочего места оператора ЭВМ
43. Выбор и расчет средств по пылегазоочистке воздуха
44. Расчет производственного освещения
46. Программа для расчета аспирационной системы деревообрабатывающего цеха
47. Компьютерная программа для расчета режимов резания деревообрабатывающего продольнофрезерного станка
48. Расчет начального состава бетона
Именная кружка с надписью "Александр". 
Коляска-трость Everflo "Simple pink". 
Стиральный порошок Attack "BioEX", концентрированный, 0,9 кг. 49. Разработка технологии плавки стали в электродуговой печи ДСП-80 и расчет ее механизма
50. Расчет ленточного конвейера для литейного цеха
51. Расчет поворотного крана на неподвижной колонне
52. Расчет системы электроснабжения с напряжением сети 1 кВ и ниже
53. Тяговый расчет локомотива ВЛ-80Р
57. Расчет турбогенератора мощностью 20МВт
59. Расчет силового трансформатора
60. Расчет и проектирование одноступенчатого, цилиндрического, шевронного редуктора общего назначения
61. Расчет тепловой схемы с паровыми котлами
62. Лазерная резка: расчет зануления кабельной сети и освещенности сборочного места блока
63. Кинематический анализ и расчет станка 1П 365
64. Техническая эксплуатация автомобилей. Расчет вероятности безотказной работы деталей ЦПГ
Бутылочка для кормления "Avent" Natural (260 мл). 
Ранец ортопедический "Kitty", цвет розовый. 
Подставка для бумажных полотенец "Mayer & Boch", 32 см. 65. Расчет винтового гибочного пресса
66. Расчет внешних скоростных характеристик двигателя внутреннего сгорания
67. Расчеты структурной надежности систем
68. Пояснительная записка к курсовому проекту по ТММ Расчет редуктора
73. Расчет тепловой схемы ПТУ К-500-65 (3000 (Часть пояснительной к диплому)
74. Кинематический и силовой расчет привода
75. Расчет механизмов – козлового консольного крана грузоподъемностью 8 тонн
76. Расчет теплопотерь и системы отопления индивидуального жилого дома
77. Расчет и проектирование коробки скоростей к операционному токарному станку
78. Разработка схемы автоматического регулирования и контроля параметров управления методической печи
80. Расчет на ЭВМ шпиндельного узла
Фоторамка "Poster blue" (70х100 см). 
Копилка декоративная "Блюд", 13x11x14 см. 
Коктейли. 81. Обзор методов и способов измерения физико-механических параметров рыбы
82. Расчет разделения смеси диоксан-толуол в насадочной ректификационной колонне
83. Расчет проектируемой оснастки на пластмассовое изделие
85. Расчет кромкогибочного пресса ERFUHRT 250т.
91. Тепловой и динамический расчет двигателей внутреннего сгорания
92. Расчет импульсного усилителя
94. Расчет апериодического каскада усилительного устройства
95. Расчет системы сбора и передачи данных
96. Расчет редуктора приборного типа
Цветные счетные палочки Кюизенера. 
Ростомер говорящий "Теремок". 
Подставка для ножей, 11x22 см, лавандовый. 98. Расчет линейных цепей методом топологических графов
99. Расчет топологии толстопленочной микросхемы
100. Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения)
Флаг "Россия", шёлк, 90х135 см. 
