Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте www.za4et.net.ru

Компьютеры, Программирование Компьютеры, Программирование     Компьютерные сети Компьютерные сети

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика

Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10
Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
19 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ В ОДНОМ КРИСТАЛЛЕ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА» МИНСК, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик и физико-топологических структур в связи с необходимостью оптимизации одновременно двух биполярных транзисторов п -р-п- и р- -р-типов, создаваемых в одном кристалле. Из описания принципа работы полевого транзистора с управляющим р-п переходом ясно, что одновременно обеспечить низкое напряжение отсечки и высокое напряжение пробоя р-п перехода затвор – исток полевого транзистора можно созданием тонкого и слаболегированного канала. Для обеспечения большого коэффициента передачи тока и высокой граничной частоты биполярного транзистора база также должна быть тонкой. Но при снижении степени легирования базы уменьшаются предельная частота усиления и напряжение прокола базы. Такая взаимосвязь конструктивно-технологических параметров областей и электрических характеристик транзисторов определила один из возможных путей создания интегрированных биполярных и полевых с управляющим электродом структур – формирование активных областей транзисторов различных типов с различной толщиной и степенью их легирования. Один из вариантов такого рода структур, характеризующийся малым напряжением отсечки ПТУП, представлен на рис. 1. В данном случае уменьшение напряжения отсечки достигается за счет использования V-ПТУП. Технология изготовления данной структуры состоит из следующих этапов: в кремниевую подложку р-типа с эпитаксиальным слоем -типа, содержавшую скрытый п -слой и изолирующие диффузионные области р -типа, проводится диффузия для формирования областей базы и канала р-типа. Затем с помощью фотолитографии вскрывается окно в окисном слое и осуществляется химическое травление базовой области в структуре ПТУП для образования V-образного углубления. Подложка имеет кристаллографическую ориентацию (100). Далее проводится диффузия для формирования областей -типа эмиттера, затвора и омического контакта коллектора. Рис. 1. Структура, содержащая биполярный и V- ПТУ П -транзистор: /– подложка кремния р-типа; 2– эпитаксиальный слой; 3– скрытый слой; 4– изолирующие области; 5– базовая область; 6 – область канала р-типа; 7–V-образное углубление; 8– область эмиттера; 9- область затзора; 10– -область контакта коллектору Этот конструктивно-технологический вариант изготовления микросхемы позволяет полностью совместить технологические операции формирования областей обоих типов транзисторов, но требует введения дополнительных операций фотолитографии и травления. Обеспечить более точную регулировку концентрации легирующей примеси в канале, а следовательно и напряжения отсечки, по сравнению с диффузионной технологией, можно с помощью ионного легирования. Применение ионного легирования позволяет изготовлять микросхемы, содержащие на одном кристалле высококачественные биполярные транзисторы и высококачественные полевые транзисторы с точно согласованными параметрами.

Структура, содержащая такие транзисторы, представлена на рис. 2. В ней одна ионно-легированная область образует канал р-типа между областями истока и стока, а вторая ионно-легированная область образует затворную область над этим каналом. Такая технология включает операции диффузии базы, истока и стока, а также эмиттера и омических контактов коллектора и затвора. На следующих этапах изготовления микросхемы готовая пластина с диффузионными областями дополняется областями канала и затвора, формируемыми методом ионного легирования. Различие между структурой биполярный транзистор — ПТУП и структурой на основе обычной планарно-эпитаксиальной технологии заключается в наличии сформированного ионным легированием канала, заглубленного под поверхность полупроводникового материала в промежутке между областями истока и стока. В процессе изготовления этой структуры одна операция ионного легирования обеспечивает формирование канала p-типа между истоковым и стоковым контактами, которые представляют собой стандартные диффузионные области р-типа, формируемые одновременно с диффузией базы в биполярных транзисторах. С помощью второго ионного легирования формируется затворная область -типа, закрывающая сверху область канала. Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим р- переходом пропорционально суммарному количеству легирующей примеси, имеющемуся в его канале. Рис. 2. Структура, содержащая биполярный транзистор и полевой транзистор с управляющим р-п переходом с ионно-легированным каналом (1) и ионно-легированным верхним управляющим затвором (2) Рис. 3. Биполярно-полевая структура с диэлектрической изоляцией элементов, обеспечивающая высокий коэффициент усиления: 1– ионно-легированная область базы транзистора; 2– изолирующий окисел кремния; 3– поликристаллический кремний с большим удельным сопротивлением; 4–область канала полевого транзистораПри использовании диффузионной технологии напряжение отсечки полевых транзисторов контролируется очень плохо и получить два полевых транзистора с согласованными напряжениями отсечки почти невозможно. При переходе на формирование канала с помощью ионного легирования появляется возможность практически точно задать количество ионов примеси, необходимое для получения канала с заданными свойствами. В результате становится вполне реальным управлять абсолютными значениями напряжений отсечки и получить ПТУП с точно согласованными параметрами. В то же время формирование ионно-легированных каналов с малыми примесными концентрациями позволяет получить не только небольшие по абсолютному значению напряжения отсечки, но и высокие пробивные напряжения полевых транзисторов. В рассмотренных выше вариантах структур биполярный транзистор — ПТУП особое внимание уделено обеспечению малых значений напряжения отсечки полевых транзисторов. Однако, при использовании этих структур в ОУ следует учитывать и необходимость обеспечения высоких электрических характеристик биполярных транзисторов, в частности, статического коэффициента передачи тока В. Для этих целей разработана структура биполярного транзистора с большим коэффициентом передачи тока, в которой область активной базы имеет низкую концентрацию легирующей примеси ( =2.4

·1015 см–3). Такой уровень легирования базы при ее малой толщине, обусловленной необходимостью обеспечения высокой граничной частоты и коэффициента передачи тока, достигается в данной структуре сочетанием ионной имплантации и диффузии. Биполярно-полевая структура с диэлектрической изоляцией элементов, содержащая биполярный транзистор с большим коэффициентом В, изображена на рис. 3. Технологическая последовательность ее изготовления следующая: диффузия р -областей, длительная диффузия для образования р-канала, ионное легирование и кратковременная диффузия р-области для образования базы биполярного транзистора, диффузия -областей для образования эмиттера биполярного и затвора полевого транзисторов. При изготовлении биполярно-полевой каскодной схемы необходимо создание на одном кристалле биполярного п-р-п- и полевого с л-каналом транзисторов (рис. 4). В этой структуре полевой транзистор имеет кольцевую геометрию, а область канала полевого транзистора изолирована от коллектора биполярного транзистора диффузионными р-п переходами. Нижним затвором служит подложка. Для создания верхнего затвора проводится предварительная диффузия примеси бора с высокой поверхностной концентрацией и длительный диффузионный отжиг для заглубления р -области затвора. Затем проводится диффузия бора с меньшей поверхностной концентрацией и менее длительным временем для формирования базы биполярного транзистора. В результате более высокой концентрации и более длительной диффузии бор в полевом транзисторе диффундирует глубже, чем в биполярном. Области п -типа эмиттера и омического контакта коллектора биполярного транзистора, стока и истока полевого транзистора образуются одновременно диффузией фосфора. Рис. 4. Биполярно-полевая структура с изоляцией элементов р-п переходами и -канальным полевым транзистором: /— диффузионная область базы биполярного транзистора; 2— область изолирующей диффузии; 3— р -область верхнего затвора полевого транзистора; 4— область канала полевого транзистора Рис. 5. Биполярно-полевая структура, содержащая ПТУП с вертикальным каналом -типа: /—область канала ПТУП; 2—р -область затвора: 3— скрытый слой; 4— изолирующая р- область', 5—р -область пассивной базы; 6— р--область активной базы Структура, в которой интегрированы малошумящий высокочастотный и-канальный полевой и биполярный -р- -транзисторы, изображена на рис. 5. Она отличается от приведенных выше структур тем, что содержит не горизонтальный, а вертикальный полевой транзистор. Важным преимуществом последнего является возможность формирования очень короткого канала и, тем самым, достижения высокого быстродействия. При изготовлении этой структуры одновременно формируют -области эмиттера, контакта к коллектору, стока и истока; р -область затвора может формироваться или при диффузии активной базы р-типа, или, что более эффективно, при создании заглубленной области р -типа пассивной базы биполярного транзистора. В целях повышения воспроизводимости параметров структуры диффузия может быть заменена ионной имплантацией. Вертикальный полевой транзистор при площади истока, равной 250 мкм2, имеет предельную частоту усиления 7 ГГц, напряжение отсечки 2 В, напряжение пробоя исток — затвор 10 В.

В следующей серии грамзаписей Армстронг играл в сопровождении группы, собранной специально для этой цели. В ее состав входили мастера, не обязательно джазмены, задача которых сводилась к тому, чтобы поддерживать исполнение звезды. Ритм-группа включала новоорлеанского партнера Армстронга Затти Синглтона и нового пианиста по имени Эрл Хайнс. С ними Армстронг сделал множество великолепных записей. Отметим из них «Muggles» — непритязательный блюз, содержащий два хоруса Армстронга, в которых он убирает все лишнее из своего соло, сохраняя лишь остов структуры. Армстронг начинает играть медленно, затем следует пауза, после нее — брейк, и темп ускоряется вдвое, что весьма необычно для такого рода импровизации. Брейк начинается тремя короткими звуками, исполняемыми в любом случае не в такт с заданным темпом. Когда же Армстронг разворачивает структуру в новом темпе, мы вдруг ловим себя на мысли, что у Армстронга эти первые три тона зародились в двух вариантах: как четвертные длительности в одном темпе и как половинные — в другом

1. Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

2. Электронный ключ на полевом транзисторе

3. Структура и формирование исходных данных, необходимых для расчета параметров технологических схем

4. Разработка технологической схемы производства стали марки 35Г2 и определение основных технико-экономических показателей производства

5. Технологическая схема работы предприятия

6. Описание химико-технологической схемы производства метанола
7. Разработка технологической схемы производства стали марки 35Г2
8. Разработка схемы дискового почвообрабатывающего орудия, расчет основных параметров и анализ его работы. (вариант №1, №20)

9. Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

10. Схема процесса автоматизированного проектирования РЭС. Структура и классификация проектных задач

11. Умови формування інноваційної діяльності. Типові схеми організаційних структур управління інноваційним процесом

12. Выбор варианта технологического процесса

13. Промышленные схемы и технологический режим производства высокоплавкого пека

14. Технологический процесс и технологическая схема производства полимерных труб

15. Вакуумная перегонка мазута. Технологическая схема типовой установки АВТ, получаемые продукты и их применение

16. Технологическая схема и описание производства асфальтобетона и битума

Набор мягкой мебели для гостиной "Коллекция".
Набор мягкой мебели для гостиной "Коллекция" станет украшением любой кукольной комнатки. Кресла и диван выглядят как красивая
662 руб
Раздел: Гостинные
Точилка "Berlingo" механическая.
Одно отверстие. Надежно крепится к столу. Карандаш фиксируется с помощью металлических зажимов и затачивается при вращении ручки. Диаметр
326 руб
Раздел: Точилки
Конструктор "Новый год".
Новогодний конструктор порадует любого ребенка! В комплект входят фигурка Деда Мороза, 2 девочек, 2 лошадок и зайки, из деталей можно
744 руб
Раздел: Новогоднее творчество

17. Разработка организационно-технологической схемы возведения фундамента

18. Синтез химико-технологической схемы

19. Типы и элементы планировочной структуры города

20. Структура и алгоритмы работы спутниковых радионавигационных систем

21. Эволюция, образование и структура Вселенной

22. Структура и функции клеточного ядра
23. Синапсы (строение, структура, функции)
24. Схема вызова всех служб города Кургана

25. Великобритания (расширенный вариант реферата 9490)

26. Роль и значение машиностроительного комплекса в структуре народного хозяйства России

27. Структура транспорта в Европе

28. Минеральный состав, текстуры и структуры руд.

29. Структурная геология один из вариантов

30. Антимонопольное регулирование : зарубежный и отечественный опыт

31. Государственный аппарат и его структура

32. Нормы права. Структура норм права

Тёрка универсальная Nadoba "Sava", четырёхсторонняя.
Тёрка универсальная четырёхсторонняя. Универсальные терки серии Sava изготовлены из высококачественной нержавеющей стали, обладают не
469 руб
Раздел: Тёрки, мультитёрки
Перчатки одноразовые "Paclan", латексные, размер S, 100 штук.
Прочные эластичные перчатки из латекса, предназначены для полной защиты рук во время уборки, приготовления пищи. Перчатки легко
492 руб
Раздел: Перчатки
Кружка фарфоровая "FIFA 2018. Забивака. Удар!", 400 мл.
Объем: 400 мл. Материал: фарфор.
358 руб
Раздел: Кружки, посуда

33. Партизанское движение на Смоленщине в годы Великой Отечественной войны

34. Начало Великой Отечественной войны и битва под Москвой

35. История отечественного государства и права

36. Урал в период Великой Отечественной войны

37. Сравнительная характеристика двух войн: Отечественная война 1812 года и Крымская война 1853-1856 годов

38. Великая Отечественная Война
39. Ответы на экзаменационные вопросы по Отечественной Истории
40. СССР в годы второй Великой Отечественной Войны

41. Советская наука в годы Великой Отечественной войны

42. Партизанское движение в Отечественной войне 1812 года

43. Структура органов власти в США по конституции 1787 года

44. Международная организация труда- создание, структура, задачи и организация её работы

45. Структура закона Саратовской области "О местном самоуправлении в Саратовской области". Полномочия органов местного самоуправления в области жилищного хозяйства, коммунально-бытового и торгового обслуживания населения

46. Понятие и структура компетенции местного самоуправления

47. Структура, содержание и значение общей части Налогового кодекса России

48. Налоги, их состав и структура

Этикетки самоклеящиеся "ProMEGA Label", А4, 1 штука, 25 листов, белые.
Этикетки самоклеящиеся для печати на лазерных, струйных принтерах и копировальных аппаратах. При хранении листы с этикетками не слипаются
330 руб
Раздел: Бейджи, держатели, этикетки
Настольная игра "Кролики и норы".
Издавна настольные игры, в частности, настольные игры на ловкость, были в мире очень популярным народным развлечением. Все вместе люди
612 руб
Раздел: Игры на ловкость
Моющее дезинфицирующее средство "Ника-Экстра М", 1 л.
Средство для очищения и мытья поверхностей в помещениях, жесткой мебели, санитарно-технического оборудования, предстерилизационной очистки
364 руб
Раздел: Для сантехники

49. Кримінальний кодекс України (Проект криминального кодекса Украины, варианты 1998-2001гг.)

50. Цели, задачи и структура Федерального закона № 122-ФЗ

51. Понятие, структура и методики построения страховых тарифов

52. Структура правовых норм

53. Структура и функции государственного аппарата

54. Виды переводческих трансформаций (вариант незащищенного диплома)
55. Способы перевода просторечия, использованного в романе А. Силлитоу "Ключ от двери", на русский язык
56. Основные лексические и грамматические различия между британским и американским вариантом английского языка

57. Сравнительный анализ отечественной и зарубежной системы книгораспространения

58. Отечественная трагедия

59. Культура, её структура и функции

60. История отечественной культуры (лекции)

61. Отечественная культура 14-15 веков

62. Литература в годы Великой Отечественной войны

63. Загальна структура мовної системи

64. Проблематика и структура пьесы Б. Шоу "Пигмалион"

Игрушка-головоломка "Шар-Лабиринт".
«Шар-лабиринт» - это не только увлекательная, но и развивающая игра, способная улучшить пространственное мышление и внимание, привить
702 руб
Раздел: Головоломки
Настольная игра "Шакал: остров сокровищ".
Стратегическая игра, главная задача которой – найти клад на острове и доставить его на свой корабль. Секрет механики «Шакала» в том, что
1790 руб
Раздел: Классические игры
Пластиковое лото. Линии и контуры. Комплект из трех игр.
«Линии и контуры» – это комплект из трёх игр для развития внимания, логики, образного мышления и памяти. В него входят: 9 картонных
549 руб
Раздел: Лото детское

65. Тема подвига советского народа в Великой Отечественной войне в литературе

66. Бальзак: структура и основные идеи "Человеческой комедии"

67. Личность Греча Н.И. в отечественной журналистике XIX века (на материалах электронных версий печатных изданий XIX века)

68. Роль человека в произведениях о Великой Отечественной войне

69. Великая отечественная война

70. Медицинская служба русской армии в Отечественную войну 1812г.
71. Полководец и военноначальник Великой Отечественной войны К. К. Рокоссовский
72. Великая Отечественная война (в датах)

73. Морской флот СССР в годы Великой Отечественной войны

74. Здравоохранение в годы Великой Отечественной войны на Тамбовщине

75. Великая Отечественная Война

76. Великая Отечественная война. Что было и что должно было быть

77. Окончание Великой Отечественной войны и цена победы

78. Окончание Великой Отечественной Войны. Капитуляция Японии

79. Пражская наступательная операция Великой Отечественной войны

80. Отечественная война 1812 года

Казан Вок "Webber" BE-905/30, 4,4 л.
Объем: 4,4 л. Диаметр: 30 см. Глубина: 10,5 см. Толщина дна: 7 мм. Толщина стенок: 4 мм. Глубокий вок из облегченного чугуна серии «Черный
1407 руб
Раздел: Казаны
Набор детской посуды "София. Дисней", 3 предмета.
Детский набор посуды "София" сочетает в себе изысканный дизайн с максимальной функциональностью. Предметы набора выполнены из
447 руб
Раздел: Наборы для кормления
Набор для уборки Vileda "Easy Wring. Turbo", швабра+ведро с педальным отжимом.
Набор Vileda "Easy Wring. Turbo" состоит из плоской швабры с телескопической ручкой и ведра с педальным отжимом. Подходит для
3699 руб
Раздел: Швабры и наборы

81. Старый Оскол в годы Великой Отечественной войны

82. Бессмертный подвиг героев - казахстанцев в Великой Отечественной войне

83. Отечественная техника в XVIII веке

84. Великая отечественная война на территории Беларуси 1941-1945гг.

85. Монгольское завоевание Руси: последствия и роль в отечественной истории

86. Значение в отечественной историографии и истории трудов Василия Осиповича Ключевского
87. Запорожская область в годы Великой отечественной войны
88. Москва в годы Великой Отечественной войны

89. Выдающиеся отечественные и зарубежные учёные, внёсшие существенный вклад в развитие и становление информатики

90. Отечественные статистические пакеты

91. Разработка схемы топологии локальной корпоративной сети, описание ее технических характеристик и решаемых задач

92. Глобальные гипертекстовые структуры: WWW

93. Микропроцессор Z80 его структура и система команд

94. Выбор логической структуры процессора

95. Разработка алгоритмов и программ выполнения операций над последовательными и связанными представлениями структур данных

96. Анализ структур, характеристик и архитектур 32-разрядных микропроцессоров

Набор для составления букета из мягких игрушек "LOVE", 3 зайки.
Яркий и нестандартный подарок - букет из мягких игрушек вызовет восторг у всех, независимо от возраста и положения. К тому же, этот букет
496 руб
Раздел: Дизайнерские игрушки
Именная кружка с надписью "Любимая бабушка".
Предлагаем вашему вниманию готовое решения для подарка по любому поводу – именная кружка. Кружка изготовлена из керамики, в нежной
434 руб
Раздел: Кружки
Ящик с крышкой Darel Box на колесах, 61x40x31 см.
Универсальные и герметичные боксы идеально подходят для хранения меха, одежды и домашнего текстиля. Герметичность конструкции обеспечивает
652 руб
Раздел: Более 10 литров

97. Структура и реализация макроязыков

98. Программа сложной структуры с использованием меню

99. Семантический анализ структуры EXE файла и дисассемблер (с примерами и исходниками), вирусология


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.