![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах |
Данные методические указания издаются в соответствии с учебным планом. Рассмотрены и одобрены кафедрой ИУ-6 21,12.87г.-методической комиссией факультета ИУ 23.12.87 г. и учебно-мето-дическим управлением 08.01.88 г. Рецензент к.т.н. доц. Меньков А.В. Московское высшее техническое училище имена Н.Э.Баумана Цель лабораторного практикума - изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. СодержаниеСОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ 2 Работа №1. ДИОДЫ В ИСТОЧНИКАХ ПИТАНИЯ 2 Работа № 2. ТРИ Схемы ВКлючения ТРАНзистора 8 Работа № 3. ключевой РЕжим РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА 14 Работа №4. УНИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В ШИРОКОПОЛОСНОМ УСИЛИТЕЛЬНОМ КАСКАДЕ С RC –СВЯЗЯМИ. 18 Редактор Н.Г.Ковалевская Корректор Л.И.МалютинаСОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ Отчеты по проведенным лабораторным работам должны включать: 1. Наименование работы. 2. Чертеж принципиальной схемы макета лабораторной работы. 3. Дня каждого этапа выполняемой работы – наименование этапа и результаты (в форме таблиц, графиков, зарисовок осциллограмм). 4. Краткие выводы по рабе те в целом. Работа №1. ДИОДЫ В ИСТОЧНИКАХ ПИТАНИЯ Цель работы - исследование характеристик и параметров выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения. Продолжительность работы - 3,5 часа. Теоретическая часть Электронные приборы и устройства требуют для своего питания стабильного напряжения постоянного тока. В большинстве практических случаев такое напряжение получают из переменного напряжения сети с помощью вторичных источников питания, включающих выпрямитель сетевого напряжения, сглаживающий фильтр и стабилизатор напряжения (рис. I). Рис.1 Структурная схема вторичного источника питания В состав выпрямителя обычно входят: силовой трансформатор, предназначен для получения необходимых величин переменного напряжения из напряжения сети, а также для гальванической развязки с сетью; вентильная группа (чаще всего полупроводниковые диоды), преобразующая напряжение переменного тока в пульсирующее напряжение постоянного тока; емкостная нагрузка вентильной группы, представляющая собой конденсатор относительно большой емкости, который можно также рассматривать как простой емкостный сглаживающий фильтр. Сглаживающий фильтр, подключаемый к выходу выпрямителя, уменьшает пульсации выходного напряжения. Если к выходному напряжению предъявляются высокие требования по стабильности при колебаниях напряжения сети и тока нагрузки, то в источник питания вводится стабилизатор напряжения. На рис. 2а представлена схема однополупериодного выпрямителя с полупроводниковым выпрямительным диодом V. Как известно, вольтамперная характеристика (BAX) выпрямительного диода имеет вид, представленный на рис. 3. Для упрощения практических расчетов ее часто представляют на основе кусочно-линейной аппроксимации двумя .участками прямых АВ и ВС , причем АВ идет по оси абсцисс, а наклон ВС определяется средним, прямым сопротивлением диода . С целью дальнейшего упрощения иногда принимают UgH ( 0 и тогда точка В смещается в начало координат.
Как следует из такой аппроксимация ВАX, диод представляют элементом с односторонней проводимостью, его внутреннее сопротивление на участке ВА стремится к бесконечности, а на участке ВС сравнительно мало. Рис. 2. Схемы выпрямителей: а - однополупериодного, б – двухполупериодного (мостового) На рис. 4 приведены временные диаграммы напряжений и токов в выпрямителе, работающем на емкостную нагрузку. В интервале времени 2 – 1, соответствующем изменению фазового угла ( 2 – ( 1, диод открыт и через него протекают токи нагрузки и заряда конденсатора С . Постоянная времени заряда (зар = С(RH Rпот), где сопротивление потерь Rпот = Rпр.ср. Rтр (Rтр - активное сопротивление потерь трансформатора). Практически всегда Rпот ( RH и (зар ( С(RH Rпот. В остальную часть периода диод закрыт. В течение этого времени конденсатор разряжается (разр ( С(RH Rобр Rтр)). Поскольку у правильно выбранных диодов их обратное сопротивление Rобр(Rтр RH, постоянная времени разряда (разр ( СRH и ( разр 2U2m по сравнению с однополупериодной схемой. Еще одной особенностью этой схемы является отсутствие в трансформаторе постоянного подмагничивания, так как ток вторичной обмотки в полупериодах протекает в противоположных направлениях. Для уменьшения пульсации выходного напряжения между выпрямителем и нагрузкой часто включают сглаживающий фильтр. Качество сглаживания определяется коэффициентом сглаживания, равным отношению коэффициента пульсации на входе фильтра к коэффициенту пульсации на его выходе Например, простой LC -фильтр, представляющий собой последовательно о нагрузкой включенный дроссель и параллельно c нагрузкой включенный конденсатор, существенно уменьшает пульсации, поскольку для постоянной составляющей U0 сопротивление дросселя близко к 0, а конденсатора - к бесконечности, для пульсирующей - наоборот, поэтому постоянная составляющая проходит через фильтр практически без изменений, а пульсирующая существенно уменьшается. Использование электронного стабилизатора позволяет значительно уменьшить кп, Rвых, а также зависимость U0 от колебаний напряжения сети и тока нагрузки. Качество стабилизации оценивается коэффициентом стабилизации при постоянном токе нагрузки где (Uвых - приращение U0 при изменении Uвх на величину (Uвх ;Uвх.ном ; Uвых.ном - номинальные значения напряжений. Рис. 5. Параметрический стабилизатор (а) и вольт-амперная характеристика стабилитрона (б) Простейшим электронным стабилизатором является параметрический стабилизатор (рис. 5а), состоящий из балластного сопротивления Rб и стабилитрона. Он устанавливается в источнике питания между нагрузкой и выпрямителем со сглаживающим фильтром, если таковой имеется. В этой схеме используется свойство обратно смещенного стабилитрона сохранять напряжение в области пробоя практически неизменным при значительных избиениях протекающего через него тока (рис. 56, обратная ветвь ВДХ стабилитрона в области Uст). При отклонении Uвх от номинального значения почти все приращение входного напряжения падает на Rб , а выходное напряжение практически не меняется. При изменении тока нагрузки J2 (Uвх – co s ) перераспределение тока между стабилитроном и нагрузкой (изменяется Jcт ) почти без изменения общего тока J1 .
Следовательно, напряжение на нагрузке остается практически постоянным. Коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора определяется по формуле где rg - динамическое сопротивление стабилитрона. Выходное сопротивление стабилизатора Rвых=Rб rg(rg так как rg0) . При этом транзистор обладает усилительными свойствами и токи его электродов связаны между собой через статические коэффициенты передачи по току транзистора В и ( В= Iк /Iб , В 1= Iэ /Iб, (= Iк /Iэ откуда следует, что В=(/(1-(), (=В/В 1. Рис. 8 . Статические вольт-амперные характеристики транзистора: а) выходные, б) входные. Для оценки параметров усилителя его принципиальную схему преобразуют в эквивалентную, в которой транзистор замещается своей малосигнальной эквивалентной схемой рис. 9. Нас интересуют формулы для кu, кi, кp, Rвх и Rвых в диапазоне средних частот. На этих частотах можно не учитывать частотную зависимость коэффициента передачи по току и емкость Скэ(она отбрасывается). Емкости конденсаторов CI, C2 и СЗ выбирают настолько большими, чтобы на средних частотах их сопротивление было пренебрежимо малым по сравнению с суммарным сопротивлением окружающих их резисторов. Поэтому в эквивалентной схеме на рис.10 они представлены коротко- замкнутыми ветвями. То же относится и к источнику питания Ек, так как схема на рис.10 справедлива только для переменных составляющих токов и напряжений. С учетом сказанного резисторы R1 и R2, так же как и резисторы Rк и RH (RH - нагрузка, подключается к выходным клеммам усилителя), оказываются соединенными параллельно. Поэтому в эквивалентной схеме фигурируют Rб = R1 R2 и RkH = Rk RH. Аналогично можно получить эквивалентные схемы для каскадов ОБ и ОК. Применяя к эквивалентным схемам каскадов известные методы анализа электрических цепей (например, метод контурных токов), можно получить приближенные формулы для оценки основных параметров усилительных каскадов, представленные в таблице. В этих формулах RЭH = RЭ RH Rвх троэ = rf rЭ (B 1), где rЭ=26 мВ/IЭА, R'=RrRб/( Rr Rб), а Rr- внутреннее сопротивление источника сигнала. Для всех схем кр=кuкi. Верхняя граничная частота полосы пропускания (на этой частоте Uвых в раз меньше, чем на средней частоте) транзисторного каскада зависит от параметров транзистора fh21б, B, Cк, rб и rэ, нагрузки RH,CH , внутреннего сопротивления источника сигнала Rr и схемы включения транзистора. Дkя любого усилительного каскада fв=(2((в)-1 где (в=G((в CкэRкH) CHRкH. В последней формуле (в=(B 1)/ 2( fh21б, Cкэ=Cк(B 1), а коэффициент G для каждой схемы включения транзистора вычисляют по формулам таблицы. Описание макета Исследуемая в работе схема представлена на рис. II. С помощью переключателей, расположенных на передней панели лабораторной установки, можно путем соответствующей коммутации эмиттерной, базовой и коллекторной цепей транзистора собрать любой из трех усилительных каскадов (ОЭ, ОБ или ОК). Для оценки входного тока усилителя служат измерительные резисторы R1(ОЭ, ОК) и R6(ОБ). При этом iвх=(Uг-Uвх)/Rизм, где Uг. - напряжение на клеммах генератора, Uвх напряжение на входе усилителя (за измерительным резистором).
Поскольку вся конструкция, в свою очередь, зажата между двумя поляроидами, первый из которых поляризует свет в одном направлении перед прохождением его через массив субпикселов, а второй - отсекает часть света в зависимости от направления поляризации, то панель пропускает в данной точке то или иное количество света. Сетка управляющих электродов и «встроенные» в каждый субпиксел транзисторы позволяют электронной схеме, управляющей работой панели, подавать необходимый уровень напряжения на любой из субпикселов, образующих матрицу, а встроенные в субпикселы конденсаторы позволяют это напряжение на непродолжительное время «запоминать» - до следующего цикла обновления изображения на экране. Остается только равномерно осветить LCD-панель специальным источником (поток света от которого матрица будет «модулировать») - и жидкокристаллический монитор готов (рис. 1). *** Грубая, упрощенная схема устройства субпиксела TFT-матрицы. При снятии напряжения с нужного «горизонтального» электрода в сетке, «открываются» транзисторы, соединяющие конденсаторы субпикселов с «вертикальными» электродами, и через эти электроды на всех субпикселах данного «ряда» устанавливается требуемый уровень напряжения
1. Средства отладки электронных схем
2. Электронные схемы для дома и быта
3. Моделирование и методы измерения параметров радиокомпонентов электронных схем
4. Расчет схемы мультивибратора на полевых транзисторах
5. Электронный ключ на полевом транзисторе
10. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на полевых транзисторах
11. Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
12. Численный расчет диода Ганна
14. Анализ и моделирование биполярных транзисторов
15. Принцип действия полевого транзистора
16. Гистология (Схема строения животной клетки по данным электронного микроскопа )
17. Исследование полупроводникового диода
18. Расчет униполярного транзистора
19. Расчет усилителя на транзисторе
20. Резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе
21. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
25. Транзисторы
26. Транзисторы
29. История изобретения транзистора
31. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах
32. Краткие сведения об элементах обобщенной схемы электронно-оптического прибора
35. Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды
36. Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах
37. Работа биполярных транзисторов в микрорежиме
41. Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
42. Схема и конструкция монитора на основе электронно-лучевой трубки VIEWSONIC 17GA/GL
43. Усилители на биполярных транзисторах
44. Элементы ИМС на МДП-транзисторах и КМОП-транзисторах
45. Модель биполярного транзистора
46. Нелинейные и линейные модели биполярного транзистора
47. Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2
48. Виготовлення біполярного транзистора
49. Дрейфовые транзисторы их параметры, преимущества и недостатки
50. Исследование биполярного транзистора
51. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом
52. Анализ производственно-хозяйственной деятельности ПРУП "Транзистор"
57. Правовое регулирование электронной цифровой подписи в России
58. Конституция в киберпространстве: закон и свобода за электронной границей (english/russian)
59. Несколько рефератов по культурологии
61. Реферат перевода с английского языка из книги “A History of England” by Keith Feiling
62. Реферат по книге Фернана Броделя
63. Создание электронного обучающего комплекса по дисциплине "Инновационный менеджмент"
65. Электронная почта в Интернете
67. Электронная почта как сервис глобальной сети. Протоколы передачи почты
68. Организация деятельности электронных магазинов
73. Диплом Программная система "Аттестации ИТ-специалистов"
74. Понятие алгоритма, его свойства. Описание алгоритмов с помощью блок схем на языке Turbo Pascal
76. Работа с электронными таблицами Excel. Работа с графическим пакетом Corel Draw
77. Использование электронных таблиц в Power Poin
78. Модернизация электронной подписи Эль-Гамаля
79. Женская преступность (диплом)
80. Источники излучения в интегрально-оптических схемах
82. Реферат по технологии приготовления пищи "Венгерская кухня"
83. "Электронное правительство"
84. Расчет схемы электроснабжения плавильного цеха обогатительной фабрики
85. Разработка логической схемы управления двустворчатых ворот судоходного шлюза
90. Схемы установок для выпаривания и конструкции выпарных аппаратов
92. Психология труда (Обзорный реферат по психологии труда)
93. Стандарты схем и их разновидности
94. Проектирование схем телефонного сигнализатора
95. Микросхемо-техника: Схема контроля дешифратора на три входа /восемь выходов/
96. Электронные и микроэлектронные приборы
97. Складання логічних схем з метою проектування комбінаційних пристроїв
98. АНАЛОГОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЛЬТМЕТРЫ
99. Выбор и обоснование тактико-технических характеристик РЛС. Разработка структурной схемы