![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии |
Российская Академия Наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников Реферат к сдаче кандидатского экзамена по специальности 01.04.10 “Физика полупроводников” на тему: “ Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии.”Чернявский Е. В. Научный руководитель: к.ф-м. н. Попов В.П. Новосибирск - 1999 Содержание: Введение 1. Обзор литературы 2. Определение времени жизни по стандарту AS M F28-91 3. Механизмы рекомбинации 4. Выводы Введение Для биполярных приборов, работа которых связана с инжекцией неосновных носителей, особенно для приборов, работающих в области высоких напряжений, врямя жизни носителей чрезвычайно важно для таких параметров как: падение напряжения в открытом состоянии , динамические характеристики, поткри при выключении. Обычно компромисс между этими конкурирующими параметрами достигается путём облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими глубокие уровни в кремнии. Также время жизни является важным параметром для характеризации высокоомного кремния , его структурного совершенства. В связи с этим измерения времени жизни, возможность его регулирования представляет большой практический интерес. 1. Обзор литературы. Для многих приборов, таких как высоковольтные тиристоры, необходим большой температурный диапазон работы, в пределах 40( С - 125( С. Поэтому изменение времени жизни носителей в зависимости от температуры может оказать существенное влияние на характеристики прибора. В программах моделирования полупроводниковых приборов ( одномерных ) решаются стандартные уравнения диффузионно – дрейфового приближения . Обычно применяется модель рекомбинации Шокли – Холла - Рида для одного уровня в запрещённой зоне. Время жизни для электронов и дырок в этой модели описывается как (р=1 /(pV h ( =1 /( V h (1.1) где: – концентрация рекомбинационных центров. V h = (3k /m)1/2( 107 см/сек – тепловая скорость носителей (p , ( – сечение захвата электронов и дырок соответственно. В пренебрежении зависимостью (p , ( от температуры это позволяет предположить, что ( ,р меняется с температурой как Т-1/2. Многочисленные исследования , показывают, что температурная зависимость ( ,р существенно сильнее. Согласно температурная зависимость времени жизни определяется как: (р ( 2.8 ( ( 2.2 (1.2) Кроме того, при моделировании приборов необходимо учитывать зависимость времени жизни от концентрации акцепторной и донорной примеси. Такая зависимость рассмотрена в . Она определяется формулой : ( ,p(x) = ( ,p / (1 ( { a(x) d(x)}/3 1015 )1/2 ) (1.3) В работе проводилось 2-х мерное моделирование зависимости тока управляющего электрода в G O (Ga e ur Off hyris or) от температуры. В этой работе использовалась модель подвижности Даркеля и Летурка , в которой учитываются эффекты рассеяния носителей заряда на носителях, возникающие при высоких уровнях инжекции. Также была модифицирована температурная зависимость подвижности носителей. Были добавлены учет диссипации энергии при протекании тока и учет энергии рекомбинации. Дополнительно к сокращению времени жизни в высоколегированных областях ( по Шарфеттеру) -эмиттера использовался коэффициент 0,8 учитывающий эффекты геттерирования и коэффициент 0,3 в высоколегированных слоях р-эмиттера , учитывающий вжигание аллюминиевой металлизации на анодном контакте.
Рассчитанный по этой модели ток сравнивался с экспериментом. Полученная таким образом зависимость времени жизни приведена на рис. 1.1 Рис. 1.1. Температурная зависимость времени жизни по В температурном диапазоне 25( С - 125( С наблюдается линейный рост времени жизни в зависимости от температуры. В сязи с массовым выпуском IGB (I sula ed Ga e Bipolar ra sis or), G O встает вопрос о быстром и надежно тестировании времени жизни носителей непосредственно на кристалле прибора. В работах рассматривается вопрос о использовании для этой цели p-i- диодов. В работе приводится пример тестовой структуры , изготавливаемой непосредственно на кристалле IGB , применяемой для контроля времени жизни. Приведены вольт – амперная характеристика и значения падения напряжения на диоде в зависимости от времени жизни в — базе. Максимальная плотность тока в диоде 100 А/см2. Тестируемые значения времени жизни от 4 до 100 (сек. Определенные времена жизни по падению напряжения проверялись по методу восстановления обратно смещенного диода. Однако площадь тестовых элементов, расположенных на скрайбовой дорожке кристалла может оказаться мала для уверенного определения времени жизни. В лаб. 10 ИФП СО РАН разработан метод, позволяющий определять время жизни на рабочих структурах МСТ после дополнительных технологических обработок . Применяемый метод – восстановление обратно смещенного диода. В качестве катода использовался Р-карман над которым расположен контакт к затвору тиристора. В процессе измерений сравнивались кристаллы МСТ, изготовленные по одному технологическому маршруту на двух предприятиях – АО “Ангстрем” и АО “Восток”. Средние значения времени жизни составили – 40,3 мкс (АО “Ангстрем”) и 11,6 мкс (АО “Восток”). Из сравнения времен жизни видно, насколько важна технологическая чистота процессов, используемых при изготовлении высоковольтных приборов. Недостатком метода является то, что этот метод – разрушающий. Так как время жизни жизни в высокомной базе определяет такую важную характеристику прибора как , как потери энергии во время выключения прибора, то в литературе уделяется большое внимание регулированию этого параметра. В качестве одного из методов применяется облучение протонами эмиттерной (анодной) стороны прибора . Эта технология позволяет уменьшить потери при выключении прибора путем введения большого числа рекомбинационных центров и уменьшения времени жизни носителей в базовой области , примыкающей к аноду. В работе в качестве примера рассматривался IEG (I jec io E ha ced Ga e ra sis or) c напряжением блокирования 4,5 кВ. Для облучения применялись протоны с дозами 5(1011 см- 2 и 7(1011 см-2. Об энергиях протонов в статье не сообщается, но по глубине залегания радиационных дефектов можно сказать, что она не менее 2 МэВ. Падения напряжения в открытом состоянии составили не менее 4,7 и 5,4 В соответственно при плотности тока 100 А/см2. Потери энергии при выключении составили 35 mДж/см2 и 25 mДж/см2. Однако при повышении дозы облучения на ВАХ появлется участок с отрицательным динамическим сопротивлением, что приводит к осцилляциям тока и ухудшению характеристик прибора.
В статье указано на необходимость точного подбора дозы облучения. Регулирование времени жизни представляет интерес не только с точки зрения его уменьшение. Падение напряжения в низколегированой области зависит от величины времени жизни. В процессе технологических обработок пластины загрязняются примесями, многие из которых представляют из себя рекомбинационные центры. Поэтому встаёт вопрос о геттерировании таких примесей в процессе технологических обработок с целью повышения времени жизни носителей. Вопросы геттерирования подробно рассмотрены в . 2. Определение времени жизни по стандарту AS M F28-91 Cтандарт AS M F28-91 определяет порядок и условия определения обьемного времени жизни носителей в германии и в кремнии. Эта стандарт основан на измерении спада импульсного тока вызванного импульсной засветкой образца. Другие стандарты измерения времени жизни: 1) DI 50440/1 “Измерение времени жизни в монокристаллах кремния на основе спада фототока” 2) IEEE S a dar 255 “Измерение времени жизни неосновных носителей в кремнии и германии на основе спада фототока ”. Стандарт AS M F28-91 определяет три типа образцов, применяемых при измерениях. Типы образцов приведены в таблице 2.1. Таблица 2.1. Размеры образцов, применяемых при измерениях. Тип образца Длина, мм Ширина, мм Высота, мм A 15,0 2,5 2,5 B 25,0 5,0 5,0 C 25,0 10,0 10,0 Таблица 2.2 Максимально допустимые обьемные времена жизни неосновных носителей для разных полупроводников и образцов , (сек. Материал Тип А Тип B Тип C p-тип германий 32 125 460 -тип германий 64 250 950 -тип кремний 90 350 1300 р-тип кремний 240 1000 3800 Таблица 2.3. Темп поверхностной рекомбинации для разных полупроводников и типов образцов, Rs , (S-1. Материал Тип А Тип B Тип C p-тип германий 0,03230 0.00813 0.00215 -тип германий 0.01575 0.00396 0,00105 -тип кремний 0,01120 0,00282 0,00075 р-тип кремний 0,00420 0,00105 0,00028 После засветки образца импульсом света напряжение на образце меняется по закону: (V=(V0exp(- /(f) (2.1) где: (V – напряжение на образце (V0 - максимальная амплитуда напряжения на образце - время (f - измеренное время экспоненциального спада. В силу нескольких причин экспоненциальная форма сигнала (2.1) может быть искажена. Это может быть обусловлено как поверхностной рекомбинацией , скорость которой много выше обьемной, так и наличия глубоких уровней, на которых могут захватыватся носители. Устранение влияния поверхностной рекомбинации достигается 2 методами: 1) Использованием длины волны излучения, возбуждающего носители больше 1 мкм (для этого применяются фильтры см. рис. 2.1.) 2) Использование образца соответствующих размеров (см. Таблицу 2.3)Для устранения прилипания носителей используются два метода: 1) Нагревание образца до 70 (С 2) Фоновая постоянная подсветка образца.Однако при использовании температурного метода необходимо иметь в виду, что время жизни сильно зависит от температуры образца ( ~ 1% на градус). Поэтому при сравнении времен жизни на нескольких образцах необходимо следить, чтобы температурные условия измерений были одинаковы. Кроме того необходимо удостоверится, что в проводимости учавствуют носители, воникшие в результате возбуждения импульсом света.
Благодаря нашим сложившимся представлениям мы даже можем не знать, что уже сотрудничаем с определенным эгрегором, но это незнание не освобождает нас от подобного влияния. Религиозные, духовные эг-регоры возрождались, имея источник энергии, даваемый высокоразвитой цивилизацией с целью улучшения жизни человечества, но с течением времени религия могла искажаться, и, видя такое искажение, «Садовники Земли» не поддерживали ее. Эгрегоры разнообразны по уровню составляющей их энергии, как маленькие и большие, объединяющиеся друг с другом и нет. Например, вы работаете на низкооплачиваемой работе и ищете другую - более высокооплачиваемую. Это у вас никак не получается, и вы часто жалуетесь друзьям и знакомым: «Денег на жизнь не хватает, мне не везет, я не могу себе найти подходящую работу». Эти слова и настроение обладают таким действием, что их энергия связывается с эгрегором «безденежья». Все жалующиеся питают его своей энергией, а он в свою очередь старается, чтобы вы не покинули его, то есть не нашли работу и продолжали жаловаться окружающим
1. Происхождение «Геологии старой Земли» и ее влияние на жизнь в XXI веке
3. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
5. Методика установления норм времени и определения норм выработки. Нормативы численности
12. Особенности восприятия времени людьми под влиянием эмоционального фактора
13. Чрезвычайные ситуации мирного времени
14. Л.А.Кацва "История России с Древних Времен и до ХХ Века"
15. Введение «Временного положения» 1867-1868 гг. и политико-правовые последствия для казахов
16. Пособия по временной нетрудоспособности
17. Генезис (развитие) теории правового государства с древнейших времен и по наши дни
18. Действие норм права во времени
20. От средневековья - к "новому времени"
21. Европейская культура нового времени
25. Каким видит Лермонтов героя своего времени в романе "Герой нашего времени"
26. Почему Пьера и князя Андрея можно назвать лучшими людьми их времени
27. Почему повесть "Княжна Мэри" занимает центральное место в романе "Герой нашего времени"?
28. Субстанционные определения в повести Паустовского "О жизни"
29. Образ Максима Максимыча в романе М. Ю. Лермонтова «Герой нашего времени»
31. Культура Руси (Времен XII века)
34. Россия на окраине Европы. Исторический анализ событий и времен начала 20-го века
35. Григорий Ефимович Распутин: герой своего времени
36. Квантование сигналов по времени
41. Устройство формирования импульсно-временной кодовой группы
42. Расчет времени откачки распределенных вакуумных систем
43. Пророчества последнего времени
44. Организация учебного процесса и бюджет времени студента
45. СТРЕЛА ВРЕМЕНИ
46. Физическая природа времени гравитации и материи
48. Этика средневековья и нового времени
49. Философия нового времени (Р. Декарт)
50. Философия Нового времени в работах Ф. Бекона и Р. Декарта
51. Методы изучения затрат рабочего времени
52. Расчёт баланса рабочего времени работника предприятия
57. Реалии открытого пространства-времени: к пониманию нашей исторической системы
58. История Великобритании от древних времен до средних веков
59. Общая история. С древних времен до 20 века
60. Временное отступление советской власти. НЭП
61. Александр македонский портрет на фоне времени
62. Люди и события смутного времени
63. Февральская революция 1917 года. Политика Временного правительства
64. Победоносцев К. П. - критик «великой лжи нашего времени»
65. Итоги деятельности Временного правительства (март-октябрь 1917 г.)
66. Русский либерал. Премьер-министр временного правительства - князь Львов
67. История колониального нового времени
68. Правители России с древнейших времен
69. История оружия и вооружения народов и государств с древнейших времен до наших дней
73. Римский портрет II века н.э. Портрет времени Адриана
74. Категория времени или категория таксиса?
75. Сатирические журналы времен Екатерины II
76. Сущность и социальное назначение свободного времени
77. Динамика развития любительского театра в России с 60-х годов до настоящего времени
78. Искусство позднего времени (11 в - 332 г. до н.э.)
79. Французское влияние в культурной жизни Москвы XVII века
81. Сердечная недостаточность - это болезнь нашего времени (по произведениям А.Г. Алексина)
82. Философский роман М. Ю. Лермонтова «Герой нашего времени»
83. Концепт "современности" и категория времени в "советской" и "несоветской" поэзии
84. К истолкованию романа М. Ю. Лермонтова "Герой нашего времени"
89. Композиционное своеобразие романа "Герой нашего времени"
90. Образ автора в романе "Герой нашего времени"
91. Печорин как тип лишнего человека в романе М. Лермонтова "Герой нашего времени"
92. Женские образы в романе М.Ю. Лермонтова "Герой нашего времени"
93. "Герой нашего времени" - нравственно-психологический роман
94. "Герой нашего времени" М. Ю. Лермонтова - социально-психологический роман
95. Роман М. Ю. Лермонтова "Герой нашего времени"
96. Приметы времени и места в идиоматике речемыслительной деятельности
97. Проблема времени и пространства в романе М.Булгакова "Мастер и Маргарита"
98. Печорин - герой своего времени
99. Мотивы лирики Лермонтова в романе "Герой нашего времени"