![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Промышленность и Производство
Технология
Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности |
смотреть на рефераты похожие на "Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности" ВПУ-313.Предмет: Проектирование РЭА. Группа: РА-6. КУРСОВОЙ ПРОЕКТ. На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении схемы усилителя мощности.Учащегося: Короткова Е. В. Преподаватель: Даниелян В.С. Дата выдачи задания: Дата окончания проектирования: Москва 1997г.Схема усилителя мощности. Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.Описание элементов.Резисторы: R1 = 2200 Ом (l = 100 мкм ((s = 0,4% R2 = 480 Ом (b = 100 мкм (sопт = 300 Ом /( R3 = 4500 Ом (R1 = 10% P1 = 50 мВт R4 = 120 Ом (R2 = 0,9% P2 = 25 мВт h = 100 мкм (R3 = 7,2% P3 = 7 мВт bтехн = 100 мкм (R4 = 0,9% P4 = 25 мВт Конденсаторы: С1 = 80 пф ( = 5,2 max = 60 (C С2 = 2200 пф g( = 0,002 (c = 3% Uраб = 10 в Кз = 3 (l = 25 мкм Со = 20 пф/мм мм Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС. Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве. Расчет конденсаторов. 1. Выбор материала диэлектрика. Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из исходных данных. Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1. Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1. Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.2. Определение уточненной толщины диэлектрика. d=0,0885 (/Co d=0,02301 мм3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов. S=C/Co Кз SС1=20 мм мм SС2=550 мм мм4. Определение размеров обкладок конденсаторов. Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны: lв.о.= bв.о.=( S lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на перекрытие, будут равны: lн.о.=bн.о.= lв.о. 2((l g) lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм5. Определение размеров межслойного диэлектрика. lд/э= bд/э =lн.о. 2((l f) lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика. S = lд/э bд/э SС1 = 28,858 мм мм SС2 = 593.0199 мм ммРасчет резисторов. 1. Выбор материала резистивной пленки. Для R1 - нихром X20H80. Для R2 - нихром X20H80. Для R3 - нихром X20H80. Для R2 - нихром X20H80. Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя. (ф = (R/R 100 - ((s/(s 100; (ф1 = 0,3212 (ф2 = 0,0542 (ф3 = 0,0267 (ф4 = 0,6167 Резистивный материал выбран верно т.к
. (ф1; ( ф 2; ( ф 3; ( ф 4 > 0 Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.2. Определение коэффициента формы резисторов. Коэффициент формы определяется по формуле: Kф=; Кф1 = 7,3 Кф2 = 1,6 Кф3 = 15 Кф4 = 0,43. Определение конструкции резисторов по величине коэффициента формы. Для R1 - Форма прямоугольная, т.к. 1 ( Кф ( 10 Для R2 - Форма прямоугольная, т.к. 1 ( Кф ( 10 Для R3 - Форма составной меандр, т.к. 10 ( Кф ( 50 Для R4 - Форма прямоугольная, т.к. Кф < 1, но получается, что ширина > длины 4. Определение ширины резисторов. Рассчёт точной ширины резисторов производится по формуле: bточн= ((l/Кф (b)/(ф; Рассчёт ширины резисторов с учетом их мощности: bр= ; Для R1 - bр = 0,58 мм Для R2 - bр = 0,88 мм Для R3 - bр = 0,15 мм Для R4 - bр = 1,76 мм Для R1 - bточн = 0,8849 мм Для R2 - bточн = 4,9 мм Для R3 - bточн = 9,9875 мм Для R4 - bточн = 1,4188 мм Выбираем из всех значений ширины сопротивления максимальное значение: R1 max b1=0,88 мм R2 max b2=4,9 мм R3 max b3=9,98 мм R4 max b4=1,76 мм Расчет длины резисторов. Расчетная длина резистора определяется как: Lрасч = b Kф; Полная длина резистора определяется как: Lполн = Lрасч 2h; Lрасч R1 = 6,424 мм Lрасч R2 = 7,84 мм Lрасч R3 = 149,7 мм Lрасч R4 = 0,704 мм Lполн R1 = 6,624 мм Lполн R2 = 8,04 мм Lполн R3 = 149,9 мм Lполн R4 = 0,904 мм5. Расчет площади резисторов. S = Lполн b SR1 = 5,829 мм мм SR2 = 39,396 мм мм SR3 = 1496 мм мм SR4 = 1,59 мм мм Все полученные значения резисторов приведены в таблице: Резистор Номинал Материал Размеры Размеры Размеры Коэф. Резистора b, мм l, мм S, мм мм формы R1 2,2 кОм X20H80 0,88 6,624 5,83 7,3 R2 480 Ом X20H80 4,9 8,04 39,39 1,6 R3 4,5 кОм X20H80 9,98 149,9 1496 15 R4 120 Ом X20H80 1,76 0,904 1,59 0,4 Расчет площади поверхности. 1. Площадь подложки расчитывается по формуле: Sподл.= KS; S(R = R1 R2 R3 R4 S(R = 1542,81 мм мм S(C = C1 C2 S(C = 621,87 мм мм S(КП = 48 мм мм S(Н.Э.= 120 мм мм При KS = 2 получается: Sподл.= 2332,68 мм мм Sфакт.подл.= 45 52 = 2340 мм мм
Если же в этом лазере вместо водорода использовать его тяжелый изотоп дейтерий, то излучение будет иметь длину волны не 2,7 мкм, а 3,8 мкм, то есть попадет в «окно прозрачности» земной атмосферы (3,6-4 мкм) и сможет почти беспрепятственно достигать земной поверхности. Сложную задачу представляет фокусировка лазерного луча на цель. Предпочтительными являются оптические и ультрафиолетовые лазеры. Наиболее перспективными среди них считают эксимерные лазеры на молекулах фтористого аргона и фтористого криптона. Самым крупным недостатком газовых лазеров всех типов является большое выделение тепла в их рабочем объеме. Это ограничивает повышение мощности на единицу массы таких лазеров. Перспективным в этом отношении считается лазер на свободных электронах, в котором усиление излучения происходит за счет его взаимодействия с пучком электронов, движущимся в периодическом магнитном поле. Можно также использовать такие лазеры как усилители мощности другого лазера, самостоятельных генераторов и умножителей частоты. Поскольку электроны летят в вакууме, не происходит разогрева прибора, как у обычных лазеров
1. Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности
2. Проектирование усилителя мощности на основе ОУ
4. Широкополосный усилитель мощности
5. Усилитель мощности 1-5 каналов ТВ
9. Усилитель мощности широкополосного локатора
10. Усилитель мощности 1-5 каналов ТВ
11. Усилитель мощности системы поиска нелинейностей
12. Технологические расчеты проектирования производства шерстяной пряжи по аппаратной системе прядения
13. Усилители мощности телевизионного вещания
14. Расчет и анализ потерь активной мощности
15. Предварительный усилитель мощности коротковолнового передатчика мощностью 40 Вт
16. Расчёт усилителя мощности типа ПП2
17. Усилитель мощности для 1-12 каналов TV
18. Усилитель мощности звуковой частоты
19. Усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн
20. Мостовой усилитель мощности звуковой частоты
21. Проектирование и расчет усилителя электронного модуля
25. Расчет многокаскадного усилителя
26. Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания
27. Расчет и проектирование судового асинхронного электродвигателя
28. Расчет и проектирование внутреннего водопровода
29. Проектирование и расчет обделки гидротехнических туннелей
30. Проектирование усилителя электрических сигналов
31. Расчет усилителя воспроизведения
32. Расчет усилителя на биполярном транзисторе
34. Расчет усилителя низкой частоты
35. Расчет частотных характеристик активного фильтра второго порядка на операционном усилителе
36. Проектирование усилителя электрических сигналов
37. Проектирование прядильного производства мощностью А по выпуску аппаратной пряжи для изделия Б
43. Проектирование гибридных интегральных микросхем и расчет элементов узлов детектора СВЧ сигналов
44. Проектирование дифференциального усилителя
45. Расчет и проектирование динистора
46. Расчет и проектирование МДП-транзистора
47. Расчет и проектирование светодиода
48. Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты
49. Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
50. Расчет усилителей на биполярных транзисторах
51. Расчет усилителя радиочастоты, предназначенного для усиления АМ сигнала
52. Формула габаритной мощности трансформатора. Дроссели и магнитные усилители
53. Математическое моделирование в задачах расчета и проектирования систем автоматического управления
57. Расчет и проектирование автоматической системы технологического оборудования
58. Расчет и проектирование вертикального кожухотрубного теплообменника для пастеризации продукта
59. Расчет и проектирование кислородно-конвертерного цеха
60. Расчет и проектирование одноступенчатого зубчатого редуктора
61. Расчет и проектирование привода (редуктор) с клиноремённой передачей
62. Расчет и проектирование привода конвейера
63. Расчет и проектирование привода ленточного конвейера
64. Расчет и проектирование приводной станции
65. Расчет и проектирование центробежного компрессора ГТД
66. Расчет и проектирования автоматической системы технологического оборудования
73. Расчет и проектирование фундаментов мелкого заложения и свайных фундаментов
74. Расчет и проектирование воздушных линий электропередач
77. Проектирование мотоустановки среднемагистрального пассажирского самолета
78. Гражданская Оборона. Расчет параметров ядерного взрыва
80. Залог - как способ обеспечения исполнения обязательств
81. Правовое регулирование расчетов с использованием пластиковых карт
83. Учет расчетов с бюджетом по налогам
84. Понятие надлежащего исполнения обязательств
85. Основы социокультурного проектирования
89. Проектирование локальной вычислительной сети
90. Проектирование локальной вычислительной сети для агетства по трудоустройству
91. Расчет надежности, готовности и ремонтопригодности технических средств и вычислительных комплексов
92. Система автоматизированного проектирования
93. Проектирование и разработка баз и банков данных
94. Проектирование устройства сбора данных
95. Программное сопровождение практических работ по курсу "Конструирование и проектирование одежды"
96. Лекции по теории проектирования баз данных (БД)
98. Система автоматизированного проектирования P-CAD
99. Разработка САППР вакуумных систем на начальных этапах проектирования
100. Вопросы к дисциплине: Стандартизация и проектирование программных средств (СППС)