|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Промышленность и Производство Технология
Литография высокого разрешения в технологии полупроводников |
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный. 
Фонарь желаний бумажный, оранжевый. 
Забавная пачка денег "100 долларов". ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Реферат по НИРС Выполнил : Тимофеев А. гр. ФТМ-61 КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Н.И. БАУМАНА г. Калуга, 1996 г. Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как оптика, механика и фотохимия. При любом типе печати ухудшается резкость края (рис. 1). Проецирование двумерного рисунка схемы ведет к уменьшению крутизны края, поэтому нужен специальный резист, в котором под воздействием синусоидально модулированной интенсивности пучка будет формироваться прямоугольная маска для последующего переноса изображения травлением или взрывной литографией. Если две щели размещены на некотором расстоянии друг от друга, то неэкспонируемый участок частично экспонируется по следующим причинам: 1) дифракция; 2) глубина фокуса объектива; 3) низкоконтрастный резист; 4) стоячие волны (отражение от подложки); 5) преломление света в резисте. Рис. 1. Профили распределения интенсивности в изображения для случаев контактной печати, печати с зазором и проекционной литографии. Изображение неточечного источника в фокальной плоскости идеального объектива никогда не бывает истинной точкой, а распределяется в дифракционную картину диска Эйри. Таким образом, неэкспонируемый промежуток частично экспонируется дифрагировавшим и отраженным от подложки излучением. Из-за ограниченной селективности последующего процесса сухого травления резиста и подложки требуется получение рисунка с круглым профилем в относительно толстой пленке. Вследствие внутреннего эффекта близости (дифракционные потери) изолированные экспонируемые линии облучаются недостаточно и должны экспонироваться с большей дозой (ведет к искажению изображений линий размером более 3 мкм или неэкспонируемых промежутков размером менее 3 мкм) или проявляться с потерей толщины резиста в неэкспонируемых промежутках. Таким образом, задача фотолитографии заключается в том, чтобы обеспечить совмещение и воспроизвести в резисте двумерный рисунок фотошаблона с точностью в пределах ±15% от номинального размера его элементов и с 5%-ным допуском на требуемый наклон краев. Послойное совмещение приборных структур должно осуществляться с точностью не хуже ±25% от размера минимального элемента. Оценка влияния проекционной оптики и системы совмещения определяется суммой среднеквадратичных ошибок переноса изображения и совмещения. Ширина минимально воспроизводимых линий при этом считается равной 4-кратной точности совмещения. Используемые в фотолитографии источники экспонирующего излучения бывают как точечными (лазеры), так и протяженными (ртутные лампы). Спектр излучения этих источников лежит в трех основных спектральных диапазонах: - Дальний УФ от 100 до 200-300 нм; - Средний УФ 300-360 нм; - Ближний УФ от 360-450. Существует 3 типа фотолитографических устройств: 1) теневого экспонирования; 2) проекционные с преломляющей оптикой; 3) проекционные с отражательной оптикой. При теневом экспонировании шаблон, выполненный в масштабе 1: 1, находится в физическом контакте с подложкой или отдален от нее на несколько микрометров в случае печати с зазором.
Главными недостатками контактной печати являются повреждения шаблона и ограниченная совместимость. В проекционных системах используются линзы или зеркала, позволяющие проецировать рисунок фотошаблона (масштаб 10:1, 5:1 или 1:1) на квадратное поле (20х20) или полоску (1,5 мм), которая затем сканируется по пластине. В стандартной проекционной системе, осуществляющей перенос изображения, фокус объектива (f) является функцией диаметра его входного зрачка (D). Числовая апертура объектива ( A) в среде с показателем преломления определяется как A= si q= D / 2f. (1) Разрешение (W) объектива, определяемое для двух непрозрачных объектов, которые едва различимы в диске Эйри, согласно критерию Рэлея, равно W=K l / A (2). Практическим разрешением считается 3- кратное значение разрешения, определенного по Рэлею, на длине волны экспонирования l : W=1.83 l / A (3). Таким образом, разрешение улучшается при использовании более коротковолнового экспонирующего излучения (ДУФ) и объектива с большей числовой апертурой (за счет уменьшения размера экспонируемого поля). К сожалению, глубина фокуса (DF) также уменьшается с ростом A, и определение место положения каждого кристалла требует дополнительного фокусирования: DF=±l / 2 ( A )2. (4) Рис. 2. Зависимость числовой апертуры объектива от размера поля изображения Для объектива с числовой апертурой A=0.35 при экспонировании на длине волны 300 нм глубина фокуса DF составляет менее 1.5 мкм. В этом случае неплоскостность пластин, неровный топографический рельеф, а также сама толщина резиста могут привести к невозможности получения субмикронных структур. Увеличение апертуры, к сожалению, ведет к уменьшению поля изображения, в этом случае за одну экспозицию возможно формирование лишь одного кристалла (рис. 2) Основы оптики. Размер скрытого изображения и величина краевого градиента резистных профилей ограничивается следующими основными физическими свойствами света: 1) когерентность; 2) дифракция; 3)интерференция; 4) астигматизм; 5) хроматические аберрации. В случае когерентного излучения цуги световых волн распространяются так, что их гребни и впадины согласованы по фазе друг с другом. Монохроматические световые волны, распространяющиеся случайным образом так, что их гребни и впадины не сфазированы (частично сфазированы), называют некогерентным (частично когерентным) светом. Если освещение изменяется от когерентного к частично когерентному, то контраст в передаваемом объективом изображении, эффективное разрешение и глубина фокуса изображения уменьшаются. В проекционной системе с осветителем келеровского типа источник экспонирующего излучения проецируется во входной зрачок проекционного объектива и это изображение становится эффективным размером источника. Если размер источника во входном зрачке увеличивается, то в случае протяженного источника фазовая корреляция излучения в плоскости объекта ослабевает, а дифракционные порядки идущего от предмета света увеличиваются в размере (рис.3). Рис. 3. Частично когерентное освещение и результирующее распределение интенсивности. Дифракционные порядки рассеянного на объекте света увеличиваются в размере Техническое определение разрешающей способности объектива исходит из возможности объектива разрешать последовательность одинаковых прозрачных и непрозрачных полос (дифракционную решетку).
Модуляционная передаточная функция (МПФ) выражает связь между объектом М1 и изображением М2: МПФ=М1 / М2=( Макс - Мин) / ( Макс Мин ). (5) Коль скоро МПФ объектива определена, то могут быть сделаны предположения относительно размера функции рассеяния точки (диска Эйри), контроля ширины линии и чувствительности к условиям экспозиции. Модуляция в 60% соответствует Iмакс=80% и Iмин=20% интенсивности света, пропущенного дифракционными элементами объектива (рис.4). При минимальной МПФ »0.60 допускается 20%-ое недоэкспонирование резиста. МПФ проекционной системы, имеющий дифракционные ограничения и некогерентный источник, идентично преобразованию Фурье круглого входного зрачка объектива: МПФ= 2 / p . (6) где fc - (когерентная) пространственная частота отсечки: fc= 1 / l ( g arcsi A), (7) где М - увеличение системы, l - длина световой волны. Рис. 4. Модуляционная передаточная функция. Толщина резиста учитывается посредством усреднения МПФ системы в фокусе на поверхности резиста ( =0) и вне фокуса на дне резиста ( ). Дефокусировка рассматривается как аберрация. Дефокусированная МПФ есть произведение сфокусированной МПФ и фурье-преобразования диска Эйри: F( f )=( 1 / p R f ) J ( 2 p R f ), (8) где R- радиус диска, J- функция Бесселя первого порядка. Таким образом, для резиста заданной толщины (рис.5): МПФ =МПФ0. (9) МПФ оптических приборов резко спадает на пространственной частоте, которая ограничивает диапазон пространственных частот изображаемого предмета. При увеличении A и уменьшении l улучшается качество передачи изображения (рис. 6). Расфокусировка может рассматриваться как аберрация. Таким образом, использование тонких пленок в многослойном резисте или резисте с поверхностным переносом изображения позволяет увеличить разрешение, особенно в случае близко расположенных линий или элементов. Рис. 5. МПФ при толщине резиста: 0.4 (А), 0.8 (В) и 1.2мкм (С). Рис. 6. Зависимость МПФ от числовой апертуры. При моделировании реальных резистных профилей неравномерность распределения интенсивности по краю пучка, взаимодействие проявителя с резистом (контраст) и МПФоб. оптической системы учитываются в следующем дифференциальном выражении для изменения ширины линии: dy/dx=(¶y/¶E)(¶E/¶x), (10) где E - поглощенная резистом энергия. В случае слабопоглащающего резиста и слабо отражающей подложки первый сомножитель зависит от свойств конкретного резиста и процесса его обработки, а второй - только от свойств оптической системы. Величина ¶E/¶x характеризует распределение интенсивности в изображении и зависит от длины волны экспонирования l, числовой апертуры A, отклонения (Ùz) положения плоскости резиста от фокальной плоскости и однородности освещения: ¶E/¶x@(2 A/l)2. (11) Параметр k равен единице или слегка отличается от нее для различных степеней частичной когерентности освещения. Контраст позитивного резиста определяется из выражения g=-1, (12) где E1 - энергия экспозиции, ниже которой не происходит удаления резиста в проявителе, E0 - энергия экспозиции, при которой резист полностью удаляется при проявлении. Обычно E1 не зависит от толщины резиста , в то время как значение E0 на глубине зависит от поглощения в слое резиста толщиной (E0»10-a ).
Нанотехнология сделает возможными экраны высокого разрешения, которые будут выдавать различные изображения для каждого глаза; результатом станет трёхмерное телевидение, такое реалистичное, что экран будет казаться окном в другой мир. Экраны этого сорта могли бы войти в состав шлемов костюма, во многом подобных космическим костюмам, описанным в главе 6. Сам костюм, вместо того, чтобы перепрограммироваться, чтобы передавать силы и текстуры из вне, мог бы вместо этого прикладывать к коже силы и текстуры, определённые сложной интерактивной программой. Комбинация костюма и шлема такого рода могла бы моделировать меньшую часть того, что мы видим и ощущаем в любой внешней среде, будь то реальной или воображаемой. Нанотехнология сделает возможными подвижные виды искусства и фантастические миры намного более захватывающие чем любые книги, игры или фильмы. Продвинутые технологии сделают возможным целый мир продуктов, которые делают современные удобства кажущимися неудобными и опасными. Почему не должны объекты быть лёгкими, гибкими, долговечными и приспосабливающими под наши желания? Почему не могут стены выглядеть как угодно, как мы хотим, и передавать только звуки, которые мы хотим слышать? И почему не должны здания и машины вообще подвергаться крушению и поджаривать своих обитателей? Для тех, кто хочет, окружение повседневной жизни может напоминать некоторые из самых диких описаний, которые можно найти в научной фантастике
1. От высоких информационных технологий - к спортивным победам
2. История появления и развитие преступлений в сфере высоких информационных технологий
3. Высокие интеллектуальные технологии при изучении раздела "Человек" в средней школе
4. Применение высоких технологий в сельском хозяйстве
5. "Звездные войны" или заложники высоких технологий
9. Разрешение земельных споров
10. Международно-правовые способы разрешения международных споров
12. Коллективные трудовые споры и порядок их разрешения
13. Творчество мастеров высокого итальянского Возрождения. Леонардо да Винчи
14. Новые технологии и искусство
15. Роль техники и технологии в процессе развития культуры
16. Intel Pentium 4 3,06 ГГц с поддержкой технологии Hyper-Threading
Автомобиль со звуковым сигналом "Джип-каталка с ручкой", красный. 
Логическая игра "IQ-ХоХо", арт. SG 444 RU. 
Шары для сухого бассейна, 100 штук. 17. Использование информационных технологий в туризме
18. Автоматизированные информационные технологии в офисе
19. Современные сетевые и информационные технологии
20. Информационные технологии в экономике. Основы сетевых информационных технологий
21. Разработка технологии ремонта, модернизации сервера с двумя процессорами Pentium
25. web дизайн: Flash технологии
26. Удалённый доступ к частной сети через Интернет с помощь технологии VPN
27. Wi-Fi - технология беспроводной связи
28. Новые технологии в организации PC
29. Использование компьютерных технологий в деятельности ОВД
30. Лекции по информационным технологиям
31. Основные технологии накопителей на магнитной ленте
32. Технология беспроводной передачи информации на примере технологии Bluetooth
Каталка Glory "Утка" музыкальная (синяя). 
Доска чертежная Attache Selection, А3, 51x36,4 см. 
Доска пробковая для объявлений А3, 342x484 мм. 34. Технология разработки программного обеспечения
35. Информационные технологии в фармации
36. Информационные технологии в экономике. Средства организации экономико информационных систем.
41. Технология обработки графической информации в базовом курсе информатики
42. Новые информационные технологии обучения в математике
43. Технология производства низина. Антибиотические свойства низина
44. Использование компьютерных технологий в деятельности милиции
45. Воздействие целлюлозно-бумажной промышленности на окружающую среду. Природосберегающие технологии
46. Технология проблемного обучения
47. Современные педагогические технологии
48. Дистанционное обучение: идеи, технологии, проблемы и перспективы
Шарики пластиковые, цветные, 80 штук, диаметр 85 мм. 
Коробка подарочная "Милые вещицы". 
Таблетки для посудомоечных машин "Babyline", для всей семьи, 25 штук. 50. Современные технологии в образовании
51. Образовательная модель В.Ф. Шаталова как технология интенсивного обучения
53. Новые информационные технологии обучения в математике
57. Технология изготовления вафель с начинкой
60. Проблемы использования и пути развития интернет-компьютерных технологий в России
61. Избирательный процесс и избирательные технологии
62. Технология плавки и разливки магниевых сплавов
63. История технологии художественных отливок. Литье пушек
64. Изучение теории и технологии выплавки шарикоподшипниковой стали марки ШХ4
Настольная игра "Остров обезьян". 
Подушка-накладка на ремень безопасности. 
Бейдж с магнитом, 54x90 мм. 66. Технология ремонта компрессионных холодильников "Минск-16"
67. Технология эпитаксиальных пленок InAs
68. Технология производства К56ИЕ10 и серии м (с К426 и К224 (WinWord)
69. Технология ремонта автомобилей и дорожных машин
73. Интернет - технология будущего
74. Разрешение внутренних и международных споров о качестве продукции
75. Технология неконцентрированной азотной кислоты
77. Технология изготовления печатных плат
78. Технологии утилизации шин и их восстановление
80. Основы промышленного рыболовства и технология рыбных продуктов
Каталка-мотоцикл "МХ". 
Крем для младенцев "Weleda" для защиты кожи в области пеленания (с календулой), 75 мл. 
Набор текстовыделителей "Frixion Light", 3 цвета, 1-3 мм. 81. Організація ремонту машино-тракторного парка з технологічною розробкою ЦРМ господарства
82. Технология производства синергической активной пищевой добавки "Эхинацея Янтарная"
84. Технология производства фенопластов
85. Проектирование технологии производства земляных работ
89. Технология изготовления древесно стружечных плит
90. Технология изготовления вала-шестерни
93. Технология ремонта автомобилей
94. Технология аэродинамической трубы для болидов Формулы 1
95. Компьютерные технологии в судостроении
96. Способы разрешения конфликта
Глобус Звездного неба диаметром 320 мм. 
Набор детской складной мебели "Веселая азбука". 
Набор мебели для кухни "Коллекция". 97. Психология конфликта. Философия возникновения, пути разрешения
98. Разрешение и управление конфликтами
