![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Охрана природы, Экология, Природопользование
Источники излучения в интегрально-оптических схемах |
РК—5—92 Шашло М.В. Источники излучения в интегрально-оптических схемах.Характеристики Светодиоды,их свойства и технология изготовления. Конструкции полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов (СД) , применяемых в ВОСП, весьма разнообразны.Конструкции СД выбирают с таким расчетом,чтобы уменьшить собственное самопоглощение излучения,обеспечить режим работы при высокой плотности тока инжекции и увеличить эффективность ввода излучения в волокно.Для повышения эффективности ввода используют микролинзы как формируемые непосредственно на поверхности прибора,так и внешние. В настоящее время получили распространение две основные модификации СД:поверхностные и торцевые.В поверхностных СД излучение выводится в направлении,перпендикулярном плоскости активного слоя,а в торцевых из активного слоя- в параллельной ему плоскости.Схематическое изображение конструкции СД обоих типов приведено на рисунке.Для улучшения отвода тепла от активного слоя при высокой плотности токанакачки применяют теплоотводы. Вывод излучения в СД поверхностного типа на арсениде галлия осуществляют через круглое от- верстие,вытравленное в обложке.В это отверстие вставляют оптическое волокно и закрепляют его с помощью эпоксидной смолы.Такую конструкцию светодиода называют диодом Барраса.Известны также конструкции поверхностных СД с выводом излучения непосредственно через подложку.Такие конструкции применяются в СД на четырехкомпонентном соединении GaI AsP.В этом случае подложка из I P является прозрачным окном. В торцевых СД с двойной гетероструктурой вывод излучения активного слоя осуществляют с торца,как и в лазерных диодах.Благодаря полному внутреннему отражению оптическое излучение распространяется вдоль перехода.С помощью полосковой конструкции нижнего омического контакта,а также щели на задней части активного слоя активная область ограничена,что позволяет избежать лазерной генерации.Так как генерируемое излучение при выводе наружу проходит через активный слой,то имеет место самопоглощение излучения в этом слое.Для уменьшения самопоглощения активный слой выполняют очень тонким (0,03.0,1 мкм).В результате излучение распространяется главным образом в ограничивающем слое,который благодаря большой ширине запрещенной зоны имеет небольшие потери на поглощение. Излучение СД возникает в результате спонтанной излучательной рекомбинации носителей заряда и поэтому является некогерентным,а следовательно относительно широкополосным и слабонаправленным. Особо следует выделить суперлюминесцентные СД.В этих диодах помимо спонтанной рекомбинации с излучением используется процесс индуцированной рекомбинации с излучением; выходное излучение является усиленным в активной среде.Суперлюминесцентные СД представляют собой торцевые СД,работающие при таких высоких плотностях тока инжекции,что в материале активного слоя начинает наблюдаться инверсная населенность энергетических уровней. . Принципиальным отличием лазерного диода от СД является наличие в первом встроенного оптического резонатора,что позволяет при условии превышения током инжекции некоторого порогового значения получить режим индуцированного излучения,которое характеризуется высокой степенью когерентности.Н
аиболее часто в качестве оптического резонатора используют:плоский резонатор Фабри-Перо и его модификации,включая составные и внешние резонаторы,резонаторы с распределенной обратной связью (РОС- резонатор) и с распределенным брэгговским отражателем (РБО- резонатор).Плоский резонатор образуется обычно параллельно сколотым торцам полупроводника ,а РОС- и РБО-резонаторы --путем периодической пространственной модуляции параметров структуры,влияющих на условия распространения излучения.При совмещении периодической структуры с активной областью получают РОС-диод,а при размещении периодической структуры за пределами активной области -- РБО-лазерный диод. Преимуществами РОС- и РБО-лазерных диодов по сравнению с обычным лазерным диодом с резонатором Фабри-Перо являются:Уменьшение зависимости длины волны излучения от тока инжекции и температуры,высокая стабильность одномодовости и одночастотности излучения,практически 100-процентная глубина модуляции.Так,если в лазерном диоде с резонатором Фабри-Перо температурный коэффициент порядка 0,5.1 нм/(С.Кроме того РОС- и на отказ.Кроме того,для РБО-структуры позволяют реализовать интегрально- оптические схемы.Основным их недостатком является сложная технология изготовления. Полупроводниковые излучатели в общем случае определяются комплексом параметров и характеристик ,включая габаритные и присоединительные размеры.Однако с точки зрения их применения в качестве компонентов ВОСП важное значение имеет ограниченный набор параметров и характеристик,которые чаще всего и приводятся в паспортных данных конкретных приборов. Наиболее важными для применения в ВОСП параметрами являются:средняя мощность излучения,ширина излучаемого спектра,время нарастания и спада импульса излучения при импульсном возбуждении тока накачки,падение напряжения на диоде и наработка лазерных диодов и торцевых светодиодов ,обладающих узкой диаграммой направленности,существенное значение имеют углы расходимости по уровню половинной мощности.Эти углы обычно определяют по направлению излучения в параллельной и перпендикулярной переходу плоскостях и обозначают соответственно и .Оба угла характеризуют поле излучения в дальней зоне и обычно =10.30( и =30.60(. Средняя мощность излучения при работе при работе излучателя в непрерывном режиме определяет полную мощность,излучаемую поверхностью активной области прибора в направлении вывода излучения. Длину волны излучения определяют как значение,соответствующее максимуму спектральн ого распределения мощности,а ширину излучаемого спектра - как интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности составляет половину максимальной. Огибающая спектрального распределения излучения светодиода имеет примерно форму гауссовской кривой с = 20.50 нм. Для лазерных диодов с резонатором Фабри - Перо ширина спектра значительно уже ( порядка 1.4 нм ) и еще меньше для РОС - и РБО - лазерных диодов, у которых в зависимости от конструкции она может составлять 0,1. 0,3 нм. Минимальная ширина спектра достигается в лазерных диодах с внешними резонаторами, у которых она в зависимости от типа резонатора лежит в пределах 1.1
500 кГц. Для высокоскоростных ВОСП важное значение имеют динамические свойства лазерных диодов, которые проявляются в зависимости спектральной характеристики от скорости передачи при непосредственной модуляции мощности излучения путем изменения тока накачки. У одномодового лазерного диода с резонатором Фарби - Перо увеличение скорости передачи сопровождается изменением модового состава, что характеризуется динамическим расширением спектра до 10 нм при модуляции с частотой порядка 1.2 Ггц .Для РОС- и РБО-лазерных диодов при модуляции в диапазоне 0,25.2 Ггц имеет место лишь незначительный сдвиг (порядка 0,2 нм) при сохранениии высокой степени подавления побочных мод.Поэтому эти лазерные диоды часто называют динамически одномодовыми. Быстродействие источников излучения оценивается временем нарастания мощности излучения при модуляции импульсами тока накачки прямоугольной формы достаточной длительности ().Для оценки и обычно используют уровни 0,1 и 0,9 от установившегося значения мощности.Часто быстродействие определяется максимальной частотой модуляции.Для светодиодов эта частота может достигать 200 Мгц , а у лазерных диодов - значительно больше (несколько Ггц).Ограничение частоты модуляции светодиодов связано со времененм жизни неосновных носителей, а лазерных диодов - с корреляцией между концентрацией инжектируемых носителей и потоком фотонов ,возникающих вследствие их рекомбинации. К параметрам ,определяющим статический режим работы полупроводникового излучательного диода ,относят падение напряжения на диоде и ток накачки при прямом смещении.Кроме этих параметров статический режим работы характеризуется ватт-амперной характеристикой . На ватт-амперной характеристике лазерного диода можно выделить точку излома,которая определяется пороговым током накачки Iпор.При токах накачки выше порогового лазерный диод работает в режиме индуцированного излучения и мощность его очень быстро растет с увеличением тока накачки.Если ток накачки меньше порогового,то прибор работает в режиме спонтанного излучения и излучаемая мощность мала.Одновременно резко уменьшается быстродействие и существенно расширяется ширина излучаемого спектра.Поэтому лазерные диоды в динамическом режиме работы требуют начального смещения постоянным током,примерно равным пороговому току.Наклон ветви ватт-амперной характеристики лазерного диода,расположенной правее Iпор ,характеризует дифференциальную квантовую эффективность д=dP/dIн,которая зависит от конструкции прибора и его температуры.Типичные значения дифференциальной квантовой эффективности лазерных диодов составляют 0,1.0,2 мВт/мА,а пороговый ток лежит в пределах 10.100 мА. Для лазерных диодов характерна температурная зависимость порогового тока и дифференциальной квантовой эффективности.С ростом температуры пороговый ток увеличивается, а дифференциальная квантовая эффективность уменьшается.Изменение температуры приводит также к изменению длины волны излучения.Наибольшей температурной нестабильностью обладают лазерные диоды с резонатором Фабри- Перо.Лазерные диоды с РОС- и РБО-резонаторами более термостабильны.Д
Помня об этом, старайтесь действовать так, чтобы меры по защите информации не шли вразрез с рекламной политикой, не мешали коммерческой деятельности вашей фирмы. 4. ТЕХНИКА РЕШАЕТ НЕ ВСЕ, НО МНОГОЕ Любая фирма, любое предприятие имеет разнообразные технические средства, предназначенные для приема, передачи, обработки и хранения информации. Физические процессы, происходящие в таких устройствах при их функционировании, создают в окружающем пространстве побочные излучения, которые можно обнаруживать (на довольно значительных расстояниях (до нескольких сотен метров) и, следовательно, перехватывать. Физические явления, лежащие в основе излучений, имеют различный характер, тем не менее, утечка информации за счет побочных излучений происходит по своего рода "системе связи", состоящей из передатчика (источника излучений), среды, в которой эти излучения распространяются, и приемника. Такую "систему связи" принято называть техническим каналом утечки информации. Технические каналы утечки информации делятся на: - радиоканалы (электромагнитные излучения радиодиапазона); - электрические (напряжения и токи в различных токопроводящих коммуникациях); - акустические (распространение звуковых колебаний в любом звукопроводящем материале); - оптические (электромагнитные излучения в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой частях спектра)
1. Радиоактивные излучения как источник информации о предприятиях атомной промышленности и их продукции
2. Сверхбольшие интегральные схемы
3. Тонкопленочные элементы интегральных схем
4. Как правильно оформлять Интернет-источники, CD-ROM - источники и прочие электронные документы
10. Оптические резонаторы. Лазерное излучение. Типы лазеров
11. Экспериментальное исследование светового поля источника видимого излучения
13. Нетрадиционные источники энергии
14. Нетрадиционные источники энергии
15. Источники конфликтов в сфере исполнительной власти
16. Источники земельного права
17. Сравнительная характеристика рабовладельческих государств на основе источников
18. Источники государственного (конституционного) (права Эстонии WinWord)
19. Характеристика источников Конституционного права
29. Русская Правда как источник социально-политического обустройства Древнерусского государства
30. Реконструкция волоконно-оптической линии связи
32. Белки, жиры и углеводы как источник энергии
33. Расчет платы за выбросы загрязняющих веществ в атмосферу от передвижных источников
34. Свинец, его источники и влияние на организм человека
35. Журнал «Школьная библиотека» как источник информации о научно – познавательной книге
36. Патриотизм-источник духовных сил воина
37. Влияние среды распространения на точностные характеристики оптических измерительных систем
41. Волоконно-оптические датчики
42. Передающее устройство одноволоконной оптической сети
43. Волоконно-оптические линии связи (Контрольная)
44. Разработка фотоприемного устройства волоконно-оптической системы передачи информации (ВОСПИ)
45. Передающее устройство одноволоконной оптической сети
46. Возникновение Ислама. Шариат и его основные источники
47. Оптическая спектроскопия кристаллов галита с природной синей окраской
48. Оптические явления в природе
49. Реконструкция волоконно-оптической линии связи
50. Свинец, его источники и влияние на организм человека
52. Банковская система. Прибыль банка и ее источники
53. Источники инновационных возможностей
57. Инфляция, ее причины, источники виды и последствия
58. Предмет истории. Источники. Принципы изучения отечественной истории
59. Источники права Московского государства
60. Источники изучения этногенеза славян
61. Ярлыки ханов Золотой Орды как источник права и как источник по истории права
62. Опыт создания Базы Данных для источников личного происхождения
63. Воспоминания декабристов о следствии как исторический источник
64. Экологически чистый микроволновый источник энергии
65. Оптические мыши
66. Овечий источник. де Вега Лопе
67. Текст источника как объект анализа для историка и филолога
68. Язык взглядов и запахов как источник информации о партнере
69. Народный и национальный костюм - источник творческого процесса в деятельности художника модельера
73. Физика как источник теорем дифференциального исчисления
74. Иностранные инвестиции как источник развития малого и среднего бизнеса.
75. Комментарии к закону о «Невозобновляемых источниках энергии»
76. Оптические характеристики телескопа
77. Природные источники углеводов, их получение и применениt
79. Источники гражданского права
80. Перечень источников международного права
81. Понятие и источники дипломатического права
82. Особенности административного права и его источников (Великобритания)
83. Источники права
84. Источники Гражданского права республики Беларусь
85. Источники гражданского права
89. Страх смерти: культуральные источники и способы
90. Источники психологического эксперимента как общественного образования
91. Волоконно-оптические системы
92. Источник питания
93. Разработка вторичного стабилизированного источника электропитания постоянного тока
94. Расчёт дифференциального каскада с транзисторным источником тока
95. Рубиновый оптический квантовый генератор
97. Библия как научный источник о сотворении мира
98. Источники и характер сексуальной информации
99. Источники права