|
|
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
 |
|
Компьютеры, Программирование Компьютерные сети
Технология получения монокристаллического InSb p-типа |
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый. 
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ХТЭХПиМЭТ РАСЧЕТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА ПО КУРСОВОЙ РАБОТЕ по курсу “ Технологии полупроводников” на тему: ”Технология получения монокристаллического I Sb p-типа”Выполнила студентка 4 курса 10 группы ф–та ХтиТ Каско В. И. Руководитель: Богомазова Н. В.Минск 2004 СОДЕРЖАНИЕСОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ 2.1 Технологическая схема выращивания монокристаллического p-PbSe размером d=3 мм, l=15 мм 3. ОХРАНА ТРУДА И ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ВВЕДЕНИЕ На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники. По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения . Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов. При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов. И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения . Основные методы получения PbSe Таблица 1.2. Методы Технологические параметры Свойства кристалла Примечания Методом Бриджмена — Стокбаргера Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч. Температура процесса 1090 0C Температурный градиент 90 0C Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца. D = 1,25 см, l = 6 см. сMAX = 1018 см-3 Плотность дислокаций 107 см-2 и большое. Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем. Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч. Плотность дислокаций 104 - 105 см-2. Метод Чохральского Скорость роста 1 – 10 мм/ час Атмосфера инертного газа. Давление 0,5 МПа Под флюсом B2O3 Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца D = 3 см, l = 15 см. ρ = 2 Ом·см Выращивание из газовой фазы. температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3° 8x5x3 мм с = 5·1018 см-3 сmi = 1016 см-3 при 77 К Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек. Плотности дислокаций 1·106 см-2 ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ В ходе изучения свойств и методов выращивания монокристаллов PbSe сделали вывод о том, что наиболее приемлемым методом выращивания p-PbSe с размерами d=3 см, L=15 см является метод Чохральского. В отличии от метода Бриджмена- Стокбаргера он позволяет получить образцы монокристаллов больших размеров.
Кроме того метод Бриджмена- Стокбаргера не дает возможность получать монокристаллы с низкой концентрацией носителей (сmi = 1018 см-3). Что касается выращивания из газовой фазы, то оно также не позволяет вырастить монокристаллы больших объемов. По мимо этого метод Чохральского позволяет выращивать монокристаллы со сравнительно высокой скоростью 1-10 мм / час, что выгодно отличают его от других методов. Исходными материалами для получения p-PbSe являются простые предварительно очищенные вещества Pb и Se. Для очистки свинца от поверхностных оксидных примесей применяем метод травления в 20 % H O3 . Селен также является активным элементом и требует очистки. Целесообразно восстановление селена производить при синтезе поликристаллического p-PbSe. Процесс производим в высокотемпературной печи при температуре 950 0С, в атмосфере аргона и водорода под давлением 0,5 МПа. Для обеспечения дырочной проводимости к печи подсоединяем ампулу с источником селена, который при Т=200 0С возгоняется и обогащает поликристаллический PbSe. Для интенсификации процесса восстановления Se, его, как и Pb, предварительно подвергают измельчению в дробилке. Селенид свинца плавится конкурентно при температуре 1076 0С. Выращивание монокристаллического PbSe производим методом Чохраньского Т=1116 0С, в атмосере инертного газа аргона, но т.к. селен обладает высокой летучестью, то выращивание производим под флюсом B2O3 при повышенном давлении 0,5 МПа. Скорость вытягивания кристалла номинального диаметра 6 мм / час. В качестве материала тигля используем кварц. 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ 2.1 Технологическая схема выращивания монокристаллического p-PbSe размером d=3 мм, l=15 мм (рис. 3.1) Для выращивания монокристаллического p-PbSe в качестве исходных компонентов используют простые вещества Pb и Se. Операции по их подготовке, очистке, синтезу с получением поликристаллического p-PbSe образуют поток исходных компонентов: Взвешивание индивидуального компонента Se на аналитических весах (1), m=350,2992 г. Взвешивание индивидуального компонента Pb на аналитических весах (1), m=918,9008 г. Травление Pb в ванне с H O3 20% (2). Промывка Pb в проточной ванне с деионизованной водой (3). Сушка Pb в сушильном шкафу (4),при 900 С. Дробление и перемешивание смеси индивидуальных компонентов Pb и Se в дробилке (5). Спекание Pb и Se в высокотемпературной печи (6) при температуре 9500 С до образования поликристаллического p-PbSe. Процесс ведется в инертной среде аргона (6) под давлением 0,5 МПа, в присутствии восстановителя H2 (7). Избыток Se достигается подсоединением ампулы с возгоняющимся Se (8) при =200 °C. Контроль электрофизических свойств поликристаллического PbSe (10). Дробление поликристаллического PbSe в дробилке (11). Травление мелкодисперсного поликристаллического PbSe в 15% растворе aOH (12). Промывка поликристаллического PbSe в проточной ванне с деионизованной водой (13). Сушка поликристаллического PbSe в сушильном шкафу при =1000 C (14). Взвешивание поликристаллического PbSe на аналитических весах (15). Загрузка поликристаллического PbSe в аппарат для выращивания монокристалла (26), по методу Чохральского.
Поток по затравке включает в себя все необходимые стадии для ее подготовки к выращиванию. Контроль под микроскопом структуры и дефектности монокристалла PbSe (16). Вырезание затравки нужных размеров в нужных плоскостях (17). Травление затравки в 15% растворе aOH (18). Промывка затравки в проточной ванне с деионизованной водой (19). Сушка затравки PbSe в сушильном шкафу при =1000 C (20). Шлифование затравки 10 мин. (21). Полирование затравки 20 мин. (22). Промывка затравки в проточной ванне с деионизованной водой (23). Сушка затравки PbSe в сушильном шкафу при =1000 C (24). Закрепление затравки в держатель. Поток по флюсу: Извлечение чистого B2O3 из эксикатора (27). Взвешивание 17,39 г. B2O3 на технических весах(28). Загрузка B2O3 в тигель для выращивания. Основной операцией процесса является выращивания монокристаллического p-PbSe. В кварцевый тигель загружаем поликристаллический p-PbSe и 20 г. B2O3; затравку закрепляем в держатель. Из аппарата откачиваем воздух и создаем атмосферу инертного газа Ar с давлением 0,05 МПа, который подается из баллона 25. Процесс ведем при температуре 10800 С. Для охлаждения индуктора и самого аппарата используют умягченную воду. Поток по целевому продукту включает в себя следующие стадии: Контроль дефектности монокристаллического p-PbSe под микроскопом (29). Контроль электрофизических свойств монокристаллического p-PbSe ρ=2 Ом·м (30). Отрезание шейки, конуса разращивания, конуса отрыва от цилиндрической части (31). Шлифование монокристаллического p-PbSe 10 мин. (32). Полирование монокристаллического p-PbSe 20 мин. (33). Промывка монокристаллического p-PbSe в проточной ванне с деионизованной водой (34). Сушка монокристаллического p-PbSe в сушильном шкафу при =1000 C (35). Взвешивание готовой продукции на технических весах (36). 3. ОХРАНА ТРУДА И ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ В связи с тем, что производство монокристаллов PbSe является достаточно вредным производством с точки зрения экологических требований, то вопросам охраны труда и окружающей среды должно уделяется исключительное внимание. Задачи охраны труда — сохранение здоровья трудящихся и предотвращение экономического ущерба, причиняемого травматизмом и профессиональными заболеваниями. Задачи охраны окружающей среды в том, чтобы не допустить ухудшения экологической обстановки среды обитания вредными токсичными веществами. Охрана труда работающего проводится на предприятии в двух основных направлениях. Инженерная охрана труда обеспечивает контроль: за рациональной организацией производства и труда, размещением оборудования в помещениях, удовлетворяющим строительным и санитарным нормам, предъявляемым к данному виду производства; за безопасностью технологического процесса и действующего оборудования; за обеспечением работающих необходимыми средствами индивидуальной защиты. Инструкция по технике безопасности составляется для каждого вида работы. Она определяет порядок и условия безопасного выполнения работающим данного вида работы, его обязанности и правила поведения в ходе ее выполнения. К обслуживанию оборудования и работам, связанным с повышенной опасностью (высокое напряжение, высокое газовое давление, вредные вещества и др.)
Однако консерванты этого типа не исключают миграцию радионуклидов при наличии в их составе радикалов сильных неорганических кислот. Модное сейчас направление - это поиски и испытания множества минеральных форм (на основе оксидов Al, Ti, Zr и др.), весьма устойчивых в условиях выветривания. Автором этого направления можно назвать австралийского ученого А.Е. Рингвуда, который первый предложил включение элементов ВАО в полифазные титанатные керамики Synroc на основе цирконолита, голландита, перовскита и оксидов титана. Эта технология активно изучается на предмет пригодности для иммобилизации в них ВАО, в том числе и в нашей стране в уже упомянутом ИГЕМе под руководством академика Н.П. Лаверова. Но способ масштабного связывания радионуклидов в таких матрицах не очень хорош из-за дороговизны производства, ведь образующие матрицы оксиды (Nb, Ti, Zr и т.д.) стоят достаточно много. Технология получения таких матриц тоже весьма затратна. Поэтому, учитывая количества наработанных отходов, это скорее экспериментальное направление, так как на сегодняшний день сложно представить пути для его промышленного воплощения
1. Технология получения монокристаллического Si
3. Разработка технологии получения отливок «корпус» из сплава МЛ5 в условиях массового производства
4. Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6
5. Технология получения товарного меда на частной пасеке Кузнецова Ю.А
9. Технология получения масел и парафинов
10. Технология получения полисахарида хитозана из хитина, выделяемого из панцирей ракообразных
11. Усовершенствование технологии получения изделий из полиамида методом литья под давлением
12. Технология получения лизина
13. Современные технологии производства строительных материалов. Проблемы таможенного контроля
14. Совершенствование технологии получения технического ПАН жгутика
15. Получение сорбционных материалов с биогенными элементами
16. Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах
Подставка для книг "Brauberg", большая. 
Пробка для шампанского "CooknCo". 
Доска магнитно-маркерная, 100x150 см. 17. Технология конструкционных материалов
18. Парадокс, сопровождающий развитие высоких технологий в области электроники
19. Технология восстановления гидроцилиндров полимерными материалами
20. Компьютерные технологии как инструмент получения новой информации о строении океанических разломов
25. Технология конструкционных материалов
26. Технология металлов и конструкционные материалы
27. Материаловедение и технология конструкционных материалов
28. Породы древесины. Технология теплоизоляционных материалов, пластмасс, железобетонных изделий
30. Исследование и разработка технологии шумопонижающих материалов различного функционального назначения
32. Влияние космоса на современные информационные технологии
Карандаши двухсторонние, 12 штук, 24 цвета. 
Набор для творчества "Шкатулка со стразами. Холодное сердце". 
Интеллектуальная игра "Сложи узор". 33. Полиплоидия и получение полиплоидов
34. Договор купли - продажи жилых помещений (По материалам судебной практики)
36. Прагматическая адаптация при переводе газетно-информационных материалов
37. Особенности представления в Интернет материалов по искусству
42. Конфликт литературного произведения. На материале драмы М. Ю. Лермонтова "Маскарад"
43. Конспект критических материалов. Русская литература 2-й четверти XIX века
45. Прагматическая адаптация при переводе газетно-информационных материалов
46. Реалии международных отношений Центральной Азии в эпоху Средневековья (по материалам эпоса "МАНАС")
48. Intel Pentium 4 3,06 ГГц с поддержкой технологии Hyper-Threading
Моющее дезинфицирующее средство "Ника-Экстра М", 1 л. 
Бумага "IQ Selection Smooth", А4, 120 г/м2, 500 листов. 
Горка для ванной "Веселое купание". 49. Использование информационных технологий в туризме
50. Автоматизированные информационные технологии в офисе
51. Современные сетевые и информационные технологии
52. Информационные технологии в экономике. Основы сетевых информационных технологий
53. Разработка технологии ремонта, модернизации сервера с двумя процессорами Pentium
57. web дизайн: Flash технологии
58. Удалённый доступ к частной сети через Интернет с помощь технологии VPN
59. Wi-Fi - технология беспроводной связи
60. Компьютерные технологии в судостроении
62. Использование лазеров в информационных технологиях
63. Определение эффективности применения информационной технологии
64. Перспективы развития технологий ПК на примере PDA (Personal Digital Assistant)
Подушка для младенца "Selby". 
Комплект детского постельного белья "Хоккей". 
Фоторамка "Poster yellow" (70х100 см). 65. Новые технологии хранения информации
66. Языки и технология программирования. Начальный курс /Pascal/
68. Информационные технологии в экономике. Разработка информационных технологий.
69. Получение уравнения переходного процесса по передаточной функции
73. Учебник по технологии программирования
75. Технология обработки графической информации в базовом курсе информатики
76. Технология производства молока
77. Технология производства низина. Антибиотические свойства низина
78. Внедрение информационных технологий при ведении социально-гигиенического мониторинга
79. Использование фото и видео съемки в криминалистике
80. Незаконное получение и разглашения сведений, составляющих коммерческую или банковскую тайну
Перчатки одноразовые "Paclan", нитриловые, размер M, 100 штук. 
Ниблер силиконовый "Зайчик", розовый. 
Мягкая игрушка "Волк. Забивака", 21 см. 81. Соотношение доказательств и данных, полученных в результате ОРД
82. Распознавание и прогнозирование лесных пожаров на базе ГИС-технологий
83. Экозащитные техника и технологии
84. Технология проблемного обучения
85. Современные педагогические технологии
89. Современные технологии в образовании
90. Формирование коммуникативной компетентности подростков (на материале уроков иностранного языка)
92. Технология изготовления шпаргалки
93. Развитие творческих способностей на уроках технологии
95. Реферат по технологии приготовления пищи "Венгерская кухня"
96. Технология изготовления вафель с начинкой
Каталка детская Bradex "Движение" (цвет: розовый). 
Средство для сантехники "Cillit", от налета и ржавчины, спрей, 450 мл, 2 штуки. 
Бумага "Color copy", белая, А4, 250 гр/м2, 125 листов. 99. Проблемы использования и пути развития интернет-компьютерных технологий в России
100. Избирательный процесс и избирательные технологии
Совок большой. 
