![]() |
|
сделать стартовой | добавить в избранное |
![]() |
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 |
УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиально- планарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г. Паспортные параметры. Электрические параметры: Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА более: при 298 и 398 К . 1,1 В при 213 К 1,5 В Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В, не более: при 298 и 213 К . 5 мкА при 398 К 150 мкА Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более . 400 пКл Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В, не более 4 пФ Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, Iотсч= 2 мА не более 4 нс Предельные эксплуатационные данные: Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 70 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 до 323 К 200 мА при 393 К . 100 мА Импульсной прямой ток при ?и ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока): при температуре от 213 до 323 К 1500 мА при 393 К . 500 мА Температура перехода 423 К Температура окружающей среды .От 213 до 393 К Семейство вольтамперных характеристик: Iпр ,мА 200 160 120 80 40 0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Uпр ,В Расчёты и графики зависимостей: 1) сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К. Зависимость тока от прямого напряжения: Iпр ,мА 200 I8 180 160 140 120 100 80 60 40 20 I1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 Uпр ,В U1 U8 I1 = 10 мА, U1 = 0,63 В, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом I2 = 20 мА, U2 = 0,73 В, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом I3 = 40 мА, U3 = 0,81 В, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом I4 = 60 мА, U4 = 0,86 В, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом I5 = 80 мА, U5 = 0,90 В, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом I6 = 120 мА, U6 = 0,97 В, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом I7 = 160 мА, U7 = 1,03 В, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом I8 = 200 мА, U8 = 1,10 В, R8 = U8 / I8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом?I1 = 10 мА, ?U1 = 0,10 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 0,10 / 10 мА = 10 Ом ?I2 = 20 мА, ?U2 = 0,08 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 0,08 / 20 мА = 4 Ом ?I3 = 20 мА, ?U3 = 0,05 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 0,05 / 20 мА = 2,5 Ом ?I4 = 20 мА, ?U4 = 0,04 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 0,04 / 20 мА = 2 Ом ?I5 = 40 мА, ?U5 = 0,07 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом ?I6 = 40 мА, ?U6 = 0,06 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 0,06 / 40 мА = 1,5 Ом ?I7 = 40 мА, ?U7 = 0,07 В, r7 = ?U7 / ?I7 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр: R=, Ом 70 R1 60 50 40 30 20 10 R8 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 Uпр ,В U1 U8 Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр: r~, Ом 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 Uпр ,В U1 U7 Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр: Iоб р,м кА 5,0 I7 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 I1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Uоб U1 U7 ,В I1 = 0,25 мкА, U1 = 37 В, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм I2 = 0,50 мкА, U2 = 40 В, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50 мкА = 80 МОм I3 = 1,00 мкА, U3 = 42 В, R3 = U3 / I3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм I4 = 2,00 мкА, U4 = 44 В, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00 мкА = 22 МОм I5 = 3,00 мкА, U5 = 46 В, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм I6 = 4,00 мкА, U6 = 48 В, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00 мкА = 12 МОм I7 = 5,00 мкА, U7 = 50 В, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм?I1 = 0,25 мкА, ?U1 = 3 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм ?I2 = 0,50 мкА, ?U2 = 2 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм ?I3 = 1,00 мкА, ?U3 = 2 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ?I4 = 1,00 мкА, ?U4 = 2 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ?I5 = 1,00 мкА, ?U5 = 2 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ?I6 = 1,00 мкА, ?U6 = 2 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр: R=, МОм 160 140 120 100 80 60 40 20 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Uоб U1 U7 ,В Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр: r~, МОм 12 10 8 6 4 2 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Uоб U1 U7 ,В 2) График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения: Сд, пФ 4 3 2 1 0 20 40 60 80 Uоб рВ Определение величин температурных коэффициентов.
Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр. Iпр ,мА 200 160 120 80 40 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 Uпр ,В U1 U2 I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, 1= 298 K, 2= 213 K Iоб р,м кА 150 I2 125 100 75 50 25 I1 0 10 20 30 40 50 60 Uоб U рВ U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К): Iпр ,мА 500 I2 400 300 200 I1 100 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Uпр 1,2 ,В Тепловой потенциал:По вольтамперной характеристике определяем: U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В, I1 = 200 мА, I2 = 500 мА Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины её элементов. Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:Величины элементов схемы при Uобр = 5 В : Библиографический список. 1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г. 4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г. ----------------------- 213К298К 393К213К298К
Разработки-то другие в основном зачахли. Сейчас мы по-прежнему привлекаем к работе предприятия бывшего Минэлектронпрома СССР, но широкого применения новейшей элементной базы в стране нет. То есть, у себя-то мы ее используем, а в других разработках ее не востребуют. Электронная промышленность живет лишь тогда, когда выпускаемая ею элементная база потребляется в больших количествах. Ведь раньше-то как было? В Союзе электронику брали авиастроение, корабелы, производители сложных станков, телевизионные заводы. В «оборонке». помимо нас, элементная база требовалась тем, кто делал радиолокаторы и системы связи, аппаратуру для танков. управления воздушным движением и так далее, и тому подобное. А сейчас покупателями электроники, создаваемой по нашим заданиям, выступаем только мы. Но производство самих-то комплексов С-300 в России мизерно. Само собой, отечественные электронщики не могут работать мелкими партиями. их заводы разоряются. И хотя потенциал отечественной электронной промышленности сохраняется, по элементной базе мы все больше отстаем от мирового уровня Выключим диктофон
1. Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)
2. Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1
3. Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
4. Технология соединения деталей радиоэлектронной аппаратуры
5. Бытовая радиоэлектронная аппаратура
9. Организация рабочего места по обслуживанию радиоэлектронной аппаратуры.
10. Оценка безотказной работы технической аппаратуры (задачи)
11. Отчёт по лабараторным работам по биологии за 1 семестр
12. Альбом схем по основам теории радиоэлектронной борьбы
13. Геодезия и картография. Создание топографических карт и планов масштаба 1:5000
14. Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620
15. Лжедмитрий 1
16. Русская армия от Петра 1 до Александра 2
17. Александр 1
18. Правовое положение российских военных баз на территории стран СНГ
19. 1. Документы первичного учёта в органах МВД, прокуратуре и судах. 2. Динамические ряды и их виды
20. Темы для экзамена в Финансовой академии, 1 курс
25. Роль восточного фронта в ходе 1 мировой войны
26. Петр 1
27. Решение дифференциальных уравнений 1 порядка методом Эйлера
30. Устройство ввода и отображения информации на базе БИС КР580ВВ79
31. Локальные вычислительные сети на базе IBM PC AT совместимых ПЭВМ
32. Процессор для ограниченного набора команд /часть 1 (7)
33. Разработка информационно-справочной системы "Овощная база" /Prolog/
34. Форматы баз данных в автоматизированных библиографических системах
35. Пример базы данных на Delphi 2.0
36. Проектирование и разработка баз и банков данных
37. База данных для учета оплаты за междугородние разговоры
41. Работа с Базами данных в Delphi
42. Разработка базы данных, отражающей учет успеваемости студентов
43. Базы данных Microsoft Access
44. Разработка базы данных "Культурный досуг"
45. Системы управления базами данных
46. Алгоритм создания базы данных складского учета
47. Разработка базы данных для объекта автоматизации: гомеопатическая аптека
48. Отчёт по созданию курсовой работы «База данных ACCESS»
49. Инструкция по эксплуатации базы данных магазина «Телевизоры» средствами Access 2000
50. Системы обработки информации - язык баз данных SQL со средствами поддержания целостности
53. Работа в среде EXCEL. Средства управления базами данных в EXCEL
57. Большая коллекция шпор для МАТАНа (1 семестр 1 курс)
58. Распознавание и прогнозирование лесных пожаров на базе ГИС-технологий
59. Материально-техническая база общественного питания
60. Теоретическая политология (Часть 1)
61. Расчет системы электроснабжения с напряжением сети 1 кВ и ниже
62. Теплоэлектроцентраль на базе турбовинтового двигателя АИ-20
63. Разработка роботизированного комплекса на базе пресса для склеивания заготовок
64. Разработка и изготовление декоративной резной вазы с подставкой (1) (4))
65. Перспективы развития автомобильного двигателестроения (zip 1.6 Mb)
67. Технология аэродинамической трубы для болидов Формулы 1
68. Разработка технологического процесса ТР топливной аппаратуры автомобиля ГАЗ-31029
69. Разработка технологического процесса ТР топливной аппаратуры автомобиля КамАЗ-5320
75. Усилитель мощности для 1-12 каналов TV
77. Радиорелейная линия Мангыстау - Жармыш на аппаратуре NERA
79. Общая социология для 1 курса
80. Шпаргалка по физике, 1 семестр, Механика
81. Методика формирования ответственного отношения учащихся к своему здоровью (начальные классы 1-3)
82. Фромм Э. "Искусство любить", главы 1,3
83. Синтез 1,3,5-трийодбензола
84. Исследование механизма закрепления гексена, гексина-1 и бензола на поверхности киновари
85. Финансовый анализ как база принятия управленических решений
89. Расчет полной себестоимости и цены изделия /завод "1 Мая" г.Киров/
90. Оценка инвестиционной привлекательности предприятия для создания на его база совместного предприятия
91. Лекции по политэкономии 2 семестр 1 курс
93. Действия владивостокских крейсеров и бой 1 августа 1904г. В Корейском проливе
94. Австрия: от французской революции до 1 мировой войны
95. Идейно-политическое и общественное движение в 1 половине ХIХ в. Декабристы
97. Борьба Кубинского народа против режима Батисты и победа революции 1 января 1959 года
98. Искусство Рима 1-3 вв. н.э.
99. Национально-освободительное движение на Украине в 1-ой половине XIX века
100. Предвидение Петра 1